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불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
JAN2N6849 Microsemi Corporation JAN2N6849 -
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/564 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 100 v 6.5A (TC) 10V 320mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 34.8 nc @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 25W (TC)
JAN2N6804 Microsemi Corporation JAN2N6804 -
RFQ
 ECAD 6623 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/562 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 100 v 11A (TC) 10V 360mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 75W (TC)
1N5347CE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5347CE3/tr12 -
RFQ
 ECAD 8211 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5347 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 7.2 v 10 v 2 옴
JANTXV2N7334 Microsemi Corporation jantxv2n7334 -
RFQ
 ECAD 9240 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/597 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 2N733 MOSFET (금속 (() 1.4W Mo-036ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 100V 1A 700mohm @ 600ma, 10V 4V @ 250µA 60NC @ 10V - -
3EZ36D10E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ36D10E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ36 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 27.4 v 36 v 22 옴
SMBG5337AE3/TR13 Microsemi Corporation smbg5337ae3/tr13 -
RFQ
 ECAD 4766 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5337 5 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 1 v 4.7 v 2 옴
SMBG5945CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5945CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5945 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51.2 v 68 v 120 옴
1N5335BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5335BE3/tr13 -
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5335 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 50 µa @ 1 v 3.9 v 2 옴
2EZ17D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ17D5E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 4550 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ17 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 13 v 17 v 9 옴
UZ8110 Microsemi Corporation UZ8110 22.6500
RFQ
 ECAD 4262 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% - 구멍을 구멍을 a, 축 방향 UZ8110 1 W. a, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100 v
1N5948CPE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5948cpe3/tr12 -
RFQ
 ECAD 5126 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5948 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 69.2 v 91 v 200 옴
3EZ9.1D10/TR12 Microsemi Corporation 3EZ9.1D10/TR12 -
RFQ
 ECAD 6666 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ9.1 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 2.5 옴
2EZ22D10/TR8 Microsemi Corporation 2EZ22D10/TR8 -
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ22 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 16.7 v 22 v 12 옴
1N5916APE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5916APE3/tr12 -
RFQ
 ECAD 8300 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5916 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 6 옴
2EZ43DE3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ43DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ43 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 32.7 v 43 v 35 옴
1N5378AE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5378AE3/tr13 -
RFQ
 ECAD 9607 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5378 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 72 v 100 v 90 옴
3EZ15D5/TR8 Microsemi Corporation 3EZ15D5/TR8 -
RFQ
 ECAD 1665 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ15 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 11.4 v 15 v 5.5 옴
1N6660 Microsemi Corporation 1N6660 -
RFQ
 ECAD 6150 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) 1N6660 Schottky TO-254AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 1 V @ 30 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
3EZ10D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ10D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 4508 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ10 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7.6 v 10 v 3.5 옴
SMBG4733/TR13 Microsemi Corporation SMBG4733/TR13 -
RFQ
 ECAD 4593 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4733 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
1N5947CPE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5947cpe3/tr12 -
RFQ
 ECAD 8857 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5947 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 62.2 v 82 v 160 옴
SMBG5939AE3/TR13 Microsemi Corporation smbg5939ae3/tr13 -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5939 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 29.7 v 39 v 45 옴
1N5948CPE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5948cpe3/tr8 -
RFQ
 ECAD 4644 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5948 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 69.2 v 91 v 200 옴
APTM50DUM19G Microsemi Corporation APTM50DUM19G -
RFQ
 ECAD 6767 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM50 MOSFET (금속 (() 1136W SP6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 500V 163a 22.5mohm @ 81.5a, 10V 5V @ 10MA 492NC @ 10V 22400pf @ 25v -
2EZ39D5E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ39D5E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 2510 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ39 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 29.7 v 39 v 30 옴
2EZ75D5E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ75D5E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 8502 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ75 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 56 v 75 v 90 옴
1N5954APE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5954APE3/tr12 -
RFQ
 ECAD 9719 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5954 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 121.6 v 160 v 700 옴
1N5336CE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5336CE3/tr13 -
RFQ
 ECAD 4832 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5336 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 1 v 4.3 v 2 옴
2EZ39D10/TR8 Microsemi Corporation 2EZ39D10/TR8 -
RFQ
 ECAD 1703 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ39 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 29.7 v 39 v 30 옴
1N4754UR-1 Microsemi Corporation 1N4754UR-1 3.4650
RFQ
 ECAD 1704 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 1N4754 1 W. do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 29.7 v 39 v 60 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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