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불연속 불연속 제품 (6716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BFY90	-	RFQ	4068	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	TO-206AF, TO-72-4 금속 캔			200MW	To-72	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	쓸모없는	0000.00.0000	1				20dB																				15V	50ma				NPN		20 @ 25MA, 1V	1.3GHz	2.5dB ~ 5dB @ 500MHz
1N4110 (DO35)	-	RFQ	6099	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4110		400MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1																		1 v @ 200 ma		50 NA @ 12.15 v							16 v	100 옴
SK39E3/TR13	-	RFQ	1108	Microsemi Corporation	*	테이프 & tr (TR)	활동적인					SK39				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	3,000
jantx1n4960d	29.4600	RFQ	3519	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4960		5 w	e, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1																		1.5 v @ 1 a		10 µa @ 9.1 v							12 v	2.5 옴
1EZ130D10E3/TR12	-	RFQ	7010	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ130		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																		1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 98.8 v							130 v	910 옴
1N4760 g	-	RFQ	5796	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4760		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1																		1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 51.7 v							68 v	150 옴
2EZ27D2E3/TR8	-	RFQ	9086	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ27		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																		1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 20.6 v							27 v	18 옴
3EZ110D2/TR8	-	RFQ	8127	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ110		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																		1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 83.6 v							110 v	225 옴
VTV075	-	RFQ	2277	Microsemi Corporation	*	대부분	쓸모없는									-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1
APTM10DDAM09T3G	-	RFQ	1847	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP3	APTM10	MOSFET (금속 (()	390W	SP3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)				100V	139a		10mohm @ 69.5a, 10V	4V @ 2.5MA	350NC @ 10V		9875pf @ 25v	-
60205	-	RFQ	3565	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는									-		적용 적용 수 할		쓸모없는	0000.00.0000	1
SK19E3/TR13	-	RFQ	1191	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK19E3	Schottky		DO-214AA (SMBJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)														90 v		800 mv @ 1 a		500 µa @ 90 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
UFT7260SM5D	-	RFQ	6667	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	기준 기준		기준		SM5	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1 연결 연결 시리즈	600 v	35a	1.35 V @ 35 a	75 ns	25 µa @ 600 v
SMBG5932B/TR13	-	RFQ	7282	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5932		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000																		1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 15.2 v							20 v	14 옴
JANTX2N3960	-	RFQ	1602	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/399	대부분	sic에서 중단되었습니다		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔			400MW	TO-18 (TO-206AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	1																								12 v		10µA (ICBO)			NPN	3ma @ 3ma, 30ma	60 @ 10ma, 1v	-
jantxv2n7224u	-	RFQ	9402	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/592	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-267AB		MOSFET (금속 (()		TO-267AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1			n 채널		100 v	34A (TC)	10V	81mohm @ 34a, 10V	4V @ 250µA	125 nc @ 10 v	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
1N5949APE3/tr8	-	RFQ	1740	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5949		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																		1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 76 v							100 v	250 옴
2EZ110DE3/TR12	-	RFQ	9463	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ110		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																		1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 83.6 v							110 v	250 옴
3EZ100D10E3/TR8	-	RFQ	2424	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ100		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																		1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 76 v							100 v	160 옴
1N5375A/TR8	-	RFQ	8971	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5375		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,000																		1.2 v @ 1 a		500 NA @ 59 v							82 v	64 옴
1N5272BDO35	-	RFQ	5762	Microsemi Corporation	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5272		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	10,000																		1.5 v @ 200 ma		100 na @ 84 v							110 v	750 옴
2EZ56D10/TR12	-	RFQ	3966	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ56		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																		1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 42.6 v							56 v	55 옴
APT10SCE65B	-	RFQ	9117	Microsemi Corporation	*	튜브	쓸모없는									-		1 (무제한)		귀 99	8541.10.0080	30
2EZ27D10/TR8	-	RFQ	3789	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ27		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																		1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 20.6 v							27 v	18 옴
MS2200	-	RFQ	3827	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		200 ° C (TJ)	섀시 섀시	M102			1167W	M102	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1				9.7dB																				65V	43.2A				NPN		20 @ 5a, 5V	400MHz ~ 500MHz	-
1N5387E3/tr12	-	RFQ	2110	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5387		5 w	T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000																		1.2 v @ 1 a		500 NA @ 137 v							190 v	450 옴
1N5949BE3/tr13	-	RFQ	1273	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5949		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	5,000																		1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 76 v							100 v	250 옴
2EZ24D5E3/TR12	-	RFQ	1868	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ24		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																		1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 18.2 v							24 v	13 옴
2223-1.7	-	RFQ	6565	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는									-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1
68234Z	-	RFQ	6762	Microsemi Corporation	*	대부분	쓸모없는									-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (6716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²