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불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SMBG4764C/TR13 Microsemi Corporation SMBG4764C/TR13 -
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4764 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 76 v 100 v 350 옴
2EZ130D2E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ130D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 5044 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ130 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 98.8 v 130 v 400 옴
2EZ19D10/TR8 Microsemi Corporation 2EZ19D10/TR8 -
RFQ
 ECAD 9643 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ19 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 14.4 v 19 v 11 옴
2EZ75D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ75D10/TR12 -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ75 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 56 v 75 v 90 옴
APT20SCE170B Microsemi Corporation APT20SCE170B -
RFQ
 ECAD 1894 0.00000000 Microsemi Corporation * 튜브 쓸모없는 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 30
3EZ3.6D/TR8 Microsemi Corporation 3EZ3.6D/TR8 -
RFQ
 ECAD 9581 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ3.6 3 w DO-204AL (DO-41) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 3.6 v 5 옴
2N6804 Microsemi Corporation 2N6804 -
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 100 v 11A (TC) 10V 360mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 75W (TC)
SMBG5922C/TR13 Microsemi Corporation SMBG5922C/TR13 -
RFQ
 ECAD 2319 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5922 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6 v 7.5 v 3 옴
1N5953CP/TR8 Microsemi Corporation 1N5953CP/TR8 -
RFQ
 ECAD 4430 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5953 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 114 v 150 v 600 옴
3EZ39D5/TR8 Microsemi Corporation 3EZ39D5/TR8 -
RFQ
 ECAD 7056 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ39 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 29.7 v 39 v 28 옴
3EZ47D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ47D5E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 9423 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ47 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 35.6 v 47 v 38 옴
3EZ24DE3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ24DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 7401 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ24 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 18.2 v 24 v 9 옴
1EZ130DE3/TR12 Microsemi Corporation 1EZ130DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 2805 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ130 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 98.8 v 130 v 910 옴
SMAJ5955BE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5955BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 4901 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5955 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 136.8 v 180 v 900 옴
FST16045 Microsemi Corporation FST16045 -
RFQ
 ECAD 9727 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 to-249aa 9 된베이스 된베이스 Schottky TO-249 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 80a 740 mV @ 80 a 2 ma @ 45 v
2EZ56D5/TR8 Microsemi Corporation 2EZ56D5/TR8 -
RFQ
 ECAD 6959 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ56 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 42.6 v 56 v 55 옴
JANTX2N6798 Microsemi Corporation JANTX2N6798 -
RFQ
 ECAD 1054 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/557 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 5.5A (TC) 10V 420mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 42.07 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 25W (TC)
APTM10HM09FTG Microsemi Corporation aptm10hm09ftg -
RFQ
 ECAD 5229 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM10 MOSFET (금속 (() 390W SP4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 교량) 100V 139a 10mohm @ 69.5a, 10V 4V @ 2.5MA 350NC @ 10V 9875pf @ 25v -
1PMT5915A/TR7 Microsemi Corporation 1 PMT5915A/TR7 -
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5915 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 25 µa @ 1 v 3.9 v 7.5 옴
1EZ190D/TR12 Microsemi Corporation 1EZ190D/TR12 -
RFQ
 ECAD 7473 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ190 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 144.8 v 190 v 1700 옴
45005 Microsemi Corporation 45005 -
RFQ
 ECAD 6607 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 적용 적용 수 할 쓸모없는 0000.00.0000 1
2EZ130D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ130D10/TR12 -
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ130 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 98.8 v 130 v 400 옴
APT10M07JVR Microsemi Corporation APT10M07JVR -
RFQ
 ECAD 3254 0.00000000 Microsemi Corporation MOS V® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 225A (TC) 10V 4V @ 5MA 1050 NC @ 10 v ± 30V 21600 pf @ 25 v - 700W (TC)
3EZ20D10E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ20D10E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 2120 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ20 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 15.2 v 20 v 7 옴
1N5384E3/TR12 Microsemi Corporation 1N5384E3/tr12 -
RFQ
 ECAD 4847 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5384 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 115 v 160 v 350 옴
JANTX2N6800 Microsemi Corporation jantx2n6800 -
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/557 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 400 v 3A (TC) 10V 1.1ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 34.75 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 25W (TC)
1N5379BE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5379BE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 3082 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5379 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 79.2 v 110 v 125 옴
APT2X60D30J Microsemi Corporation APT2X60D30J -
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT2X60 기준 ISOTOP® 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 300 v 60a 1.4 V @ 60 a 38 ns 250 µa @ 300 v
APT70GR65B2SCD30 Microsemi Corporation APT70GR65B2SCD30 -
RFQ
 ECAD 8906 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT70GR65 595 w T-Max ™ [B2] - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 433V, 70A, 4.3OHM, 15V NPT 650 v 134 a 260 a 2.4V @ 15V, 70A 305 NC 19ns/170ns
1N5923CG Microsemi Corporation 1N5923cg 6.0300
RFQ
 ECAD 7431 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5923 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6.5 v 8.2 v 3.5 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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