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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 - 상태 꺼짐 | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | scrs, 수 다이오드 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | 2EZ68D2/TR12 | - | ![]() | 1619 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ68 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 51.7 v | 68 v | 75 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4728A g | - | ![]() | 2007 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 가방 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4728 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µa @ 1 v | 3.3 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5347C/TR12 | - | ![]() | 9294 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5347 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 5 µa @ 7.2 v | 10 v | 2 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ19D5/TR12 | - | ![]() | 7169 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ19 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 14.4 v | 19 v | 7 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5924A/TR7 | - | ![]() | 3853 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5924 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 7 v | 9.1 v | 4 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788 | - | ![]() | 2348 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 6A (TC) | 10V | 300mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSTC40-08 | - | ![]() | 9099 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 시리즈 시리즈 - 연결 scr | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 250 MA | 800 v | 2.5 v | 1000A @ 50Hz | 150 MA | 40 a | 2 scrs | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ51D5E3/TR12 | - | ![]() | 5696 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ51 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 38.8 v | 51 v | 48 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4496E3/TR13 | - | ![]() | 8171 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 1.5 w | DO-214AC (SMAJ) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 25 na @ 160 v | 200 v | 1500 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5915AE3/TR13 | - | ![]() | 5716 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5915 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µa @ 1 v | 3.9 v | 7.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7227 | - | ![]() | 1365 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | MOSFET (금속 (() | TO-254AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 400 v | 14A (TC) | 10V | 315mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ12D5E3/TR12 | - | ![]() | 7795 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ12 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 4.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ30D/TR12 | - | ![]() | 9679 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ30 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 22.5 v | 30 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5942BE3/TR13 | - | ![]() | 4774 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5942 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 38.8 v | 51 v | 70 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5387be3/tr12 | - | ![]() | 2636 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5387 | 5 w | T-18 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 137 v | 190 v | 450 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
JAN2N6798 | - | ![]() | 7332 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/557 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | To-39 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 5.5A (TC) | 10V | 420mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 42.07 NC @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT20F50B | - | ![]() | 2675 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT20F50 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 20A (TC) | 10V | 300mohm @ 10a, 10V | 5v @ 500µa | 75 NC @ 10 v | ± 30V | 2950 pf @ 25 v | - | 290W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
APT50M65B2LLG | - | ![]() | 6678 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | APT50M65 | MOSFET (금속 (() | T-Max ™ [B2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 67A (TC) | 10V | 65mohm @ 33.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 141 NC @ 10 v | ± 30V | 7010 pf @ 25 v | - | 694W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60DAM35T1G | - | ![]() | 9065 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | MOSFET (금속 (() | SP1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 72A (TC) | 10V | 35mohm @ 72a, 10V | 3.9V @ 5.4ma | 518 NC @ 10 v | ± 20V | 14000 pf @ 25 v | - | 416W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60DAM24CT1G | - | ![]() | 7265 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | MOSFET (금속 (() | SP4 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 95A (TC) | 10V | 24mohm @ 47.5a, 10V | 3.9V @ 5MA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 14400 pf @ 25 v | - | 462W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ120D/TR8 | - | ![]() | 1649 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ120 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 91.2 v | 120 v | 300 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF100A120T3WG | - | ![]() | 4301 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP3 | 657 w | 기준 | SP3 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | NPT | 1200 v | 130 a | 3.7V @ 15V, 100A | 250 µA | 예 | 6.5 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75A120D1G | - | ![]() | 7082 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | - | 섀시 섀시 | D1 | 357 w | 기준 | D1 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 110 a | 2.1V @ 15V, 75A | 4 MA | 아니요 | 5.345 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF300DA120D3G | - | ![]() | 9701 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | D-3 모듈 | 2100 w | 기준 | D3 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | NPT | 1200 v | 420 a | 3.7V @ 15V, 300A | 5 MA | 아니요 | 19 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 80180 | - | ![]() | 1051 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGV25H120T3G | - | ![]() | 2351 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP3 | 156 w | 기준 | SP3 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 인버터 | npt, 필드 트렌치 중지 | 1200 v | 40 a | 2.1V @ 15V, 25A | 250 µA | 예 | 1.8 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF250SK60D3G | - | ![]() | 3314 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | D-3 모듈 | 1250 w | 기준 | D3 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | NPT | 600 v | 400 a | 2.45V @ 15V, 300A | 500 µA | 아니요 | 13 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100SK120TG | - | ![]() | 7742 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | 480 W. | 기준 | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 140 a | 2.1V @ 15V, 100A | 250 µA | 예 | 7.2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF15X120T3G | - | ![]() | 6100 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP3 | 140 W. | 기준 | SP3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 단계 인버터 | NPT | 1200 v | 25 a | 3.7V @ 15V, 15a | 250 µA | 예 | 1 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n4955dus | 32.2500 | ![]() | 4613 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4955 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 100 µa @ 5.7 v | 7.5 v | 1.5 옴 |
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