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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 현재- 정류 평균 (IO) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | MSD130-08 | - | ![]() | 1638 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | M3 | 기준 | M3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.8 V @ 300 a | 300 µa @ 800 v | 130 a | 3 단계 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSD50-08 | - | ![]() | 9148 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | M1 | 기준 | MSD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.5 v @ 100 a | 200 µa @ 800 v | 50 a | 3 단계 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSD50-12 | - | ![]() | 3430 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | M1 | 기준 | MSD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.5 v @ 100 a | 200 µa @ 1200 v | 50 a | 3 단계 | 1.2kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT30GP60JDQ1 | - | ![]() | 6073 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT30GP60 | 245 w | 기준 | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | Pt | 600 v | 67 a | 2.7V @ 15V, 30A | 500 µA | 아니요 | 3.2 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT15GT60KRG | - | ![]() | 6656 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Thunderbolt IGBT® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | APT15GT60 | 기준 | 184 w | TO-220 [k] | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 15a, 10ohm, 15V | NPT | 600 v | 42 a | 45 a | 2.5V @ 15V, 15a | 150µJ (on), 215µJ (OFF) | 75 NC | 6ns/105ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
APT200GN60JG | - | ![]() | 2546 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | 682 w | 기준 | ISOTOP® | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 283 a | 1.85V @ 15V, 200a | 25 µA | 아니요 | 14.1 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UZ5836 | 32.2650 | ![]() | 7813 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | 축 | UZ5836 | 5 w | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µa @ 25.9 v | 36 v | 11 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT40SM120S | - | ![]() | 9811 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | sicfet ((카바이드) | d3pak | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 41A (TC) | 20V | 100mohm @ 20a, 20V | 3v @ 1ma (1) | 130 nc @ 20 v | +25V, -10V | 2560 pf @ 1000 v | - | 273W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ6.2d5e3/tr12 | - | ![]() | 5892 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ6.2 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 3 v | 6.2 v | 1.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT12520A | - | ![]() | 2073 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 양극 양극 공통 | 200 v | 60a | 975 MV @ 60 a | 40 ns | 30 µa @ 200 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5921C/TR13 | - | ![]() | 3288 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5921 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 5.2 v | 6.8 v | 2.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGFQ25H120T2G | - | ![]() | 6232 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | SP2 | APTGFQ25 | 227 w | 기준 | SP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 | NPT 및 필드 스톱 | 1200 v | 40 a | 2.1V @ 15V, 25A | 250 µA | 예 | 2.02 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | APTM20UM05SG | - | ![]() | 1792 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | J3 모듈 | MOSFET (금속 (() | 기준 기준 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 317A (TC) | 10V | 5MOHM @ 158.5A, 10V | 5V @ 10MA | 448 NC @ 10 v | ± 30V | 27400 pf @ 25 v | - | 1136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ22D5E3/TR12 | - | ![]() | 6696 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ22 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 16.7 v | 22 v | 8 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4730CP/TR8 | - | ![]() | 2634 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4730 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µa @ 1 v | 3.9 v | 9 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4757C/TR13 | - | ![]() | 5737 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ4757 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 38.8 v | 51 v | 95 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5383/tr12 | - | ![]() | 3268 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5383 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 108 v | 150 v | 330 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5931CE3/TR13 | - | ![]() | 1045 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5931 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 13.7 v | 18 v | 12 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4893 | - | ![]() | 8519 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | DO-204AA, DO-7, 축 방향 | 1N4893 | 400MW | DO-7 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 6.35 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 3EZ14D2/TR8 | - | ![]() | 9044 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ14 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 10.6 v | 14 v | 5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ36D10/TR8 | - | ![]() | 3168 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ36 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 27.4 v | 36 v | 22 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ110D/TR8 | - | ![]() | 6225 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1EZ110 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 83.6 v | 110 v | 570 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5946bp/tr8 | - | ![]() | 9065 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5946 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 56 v | 75 v | 140 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4731AE3/tr13 | - | ![]() | 4999 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4731 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 4.3 v | 9 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 2EZ68D/TR12 | - | ![]() | 1076 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ68 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 51.7 v | 68 v | 75 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고