RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (6716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	얻다	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
3EZ16D2E3/TR8	-	RFQ	6788	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ16		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 12.2 v						16 v	5.5 옴
APT2X50DC60J	-	RFQ	1747	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT2X50	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		SOT-227	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		2 독립	600 v	50a	1.8 V @ 50 a	0 ns	1 ma @ 600 v
3EZ9.1D5/TR8	-	RFQ	6157	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ9.1		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		3 µa @ 7 v						9.1 v	2.5 옴
3EZ14D2E3/TR12	-	RFQ	9466	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ14		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 10.6 v						14 v	5 옴
SMBG5920AE3/TR13	-	RFQ	6451	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5920		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 4 v						6.2 v	2 옴
1N5954cpe3/tr12	-	RFQ	8470	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5954		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 121.6 v						160 v	700 옴
1N4761A g	-	RFQ	7198	Microsemi Corporation	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4761		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 56 v						75 v	175 옴
1N5956PE3/TR12	-	RFQ	4639	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5956		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 152 v						200 v	1200 옴
3EZ15D2E3/TR8	-	RFQ	9951	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ15		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 11.4 v						15 v	5.5 옴
1N5336C/TR12	-	RFQ	7946	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5336		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 1 a		10 µa @ 1 v						4.3 v	2 옴
62028	-	RFQ	8529	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모 쓸모									-		적용 적용 수 할		쓸모없는	0000.00.0000	1
1N5385E3/tr8	-	RFQ	9776	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5385		5 w	T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,000						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 122 v						170 v	380 옴
1N5338BE3/tr13	-	RFQ	2513	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5338		5 w	T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,250						1.2 v @ 1 a		1 µa @ 1 v						5.1 v	1.5 옴
3EZ150DE3/TR12	-	RFQ	9220	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ150		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 114 v						150 v	550 옴
1N5939BP/TR12	-	RFQ	9899	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5939		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 29.7 v						39 v	45 옴
1N5521B (DO35)	-	RFQ	7061	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5521		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 1.5 v						4.3 v	18 옴
SMBG4756E3/TR13	-	RFQ	2853	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG4756		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 35.8 v						47 v	80 옴
MRF4427R1	-	RFQ	1510	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모 쓸모		-	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			1.5W	8-DBGA (2x1.5)	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0075	2,500		20dB										20V	400ma			NPN	10 @ 10ma, 5V	-	-
MS2393	-	RFQ	9370	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모 쓸모		200 ° C (TJ)	섀시 섀시	M138			583W	M138	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1		8.2db										65V	11a			NPN	5 @ 300ma, 5V	1.025GHz ~ 1.15GHz	-
1N5385BE3/TR12	-	RFQ	3948	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5385		5 w	T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 122 v						170 v	380 옴
APT2X21DC120J	-	RFQ	4910	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	동위 동위	APT2X21	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		SOT-227	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		2 독립	1200 v	20A	1.8 V @ 20 a	0 ns	400 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
1N5938cg	6.7950	RFQ	2680	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5938		1.25 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 27.4 v						36 v	38 옴
jantx1n4972d	29.4600	RFQ	1294	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	e, 축 방향	1N4972		5 w	e, 축 방향	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 1 a		2 µa @ 29.7 v						39 v	14 옴
SMBG5923C/TR13	-	RFQ	8101	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5923		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 6.5 v						8.2 v	3.5 옴
2EZ15D5/TR8	-	RFQ	7936	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ15		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 11.4 v						15 v	7 옴
3EZ56D5/TR12	-	RFQ	6435	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ56		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 42.6 v						56 v	50 옴
1N5267A (DO-35)	-	RFQ	5217	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5267		500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 200 ma		100 na @ 53 v						75 v	270 옴
UMA5817-T7	-	RFQ	4491	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모			표면 표면	Ultramite ™	UMA5817	Schottky		Ultramite ™	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			20 v		450 mV @ 1 a		500 µa @ 20 v	-50 ° C ~ 125 ° C	1A	-
SK17E3/TR13	-	RFQ	9604	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK17E3	Schottky		DO-214AA (SMBJ)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			70 v				500 µa @ 70 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
SMAJ4489CE3/TR13	-	RFQ	1426	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA			1.5 w	DO-214AC (SMAJ)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	7,500						1.2 v @ 200 ma		25 na @ 80 v						100 v	250 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (6716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²