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불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
JANTXV2N2325U4 Microsemi Corporation jantxv2n2325u4 -
RFQ
 ECAD 8890 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-STD-701 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 3-smd,, 없음 U4 - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 2 MA 150 v 800 MV 15A @ 60Hz 200 µA 2.2 v 1.6 a 10 µA 민감한 민감한
JANTXV2N2326U4 Microsemi Corporation jantxv2n2326u4 -
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/276 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 3-smd,, 없음 U4 - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 2 MA 200 v 800 MV 15A @ 60Hz 200 µA 10 µA 표준 표준
UFR8510R Microsemi Corporation UFR8510R 148.2150
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 UFR8510 기준 DO-5 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 975 MV @ 85 a 50 ns 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C - 675pf @ 10V, 1MHz
MSAD100-18 Microsemi Corporation MSAD100-18 -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D1 기준 D1 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1 양극 양극 공통 1800 v 100A 1.35 V @ 300 a 5 ma @ 1800 v
1N5338A/TR12 Microsemi Corporation 1N5338A/TR12 -
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5338 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 1 v 5.1 v 1.5 옴
3EZ160D5E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ160D5E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 2093 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ160 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 121.6 v 160 v 625 옴
APTC60DAM24T1G Microsemi Corporation APTC60DAM24T1G -
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 MOSFET (금속 (() SP1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 95A (TC) 10V 24mohm @ 47.5a, 10V 3.9V @ 5MA 300 NC @ 10 v ± 20V 14400 pf @ 25 v - 462W (TC)
JAN2N6790U Microsemi Corporation JAN2N6790U -
RFQ
 ECAD 4404 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/555 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-CLCC MOSFET (금속 (() 18-ULCC (9.14x7.49) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 200 v 2.8A (TC) 10V 850mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 14.3 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TC)
1EZ130D5/TR8 Microsemi Corporation 1EZ130D5/TR8 -
RFQ
 ECAD 4253 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ130 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 98.8 v 130 v 910 옴
1N5955AG Microsemi Corporation 1N5955AG 3.4050
RFQ
 ECAD 4766 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5955 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 136.8 v 180 v 900 옴
1N5385A/TR8 Microsemi Corporation 1N5385A/TR8 -
RFQ
 ECAD 7681 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5385 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 122 v 170 v 380 옴
2N5012S Microsemi Corporation 2N5012S -
RFQ
 ECAD 5149 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/727 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - rohs 비준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 1 700 v 200 MA 10NA (ICBO) NPN 1.6V @ 5MA, 25mA 30 @ 25MA, 10V -
1PMT5922/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5922/TR13 -
RFQ
 ECAD 2267 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5922 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6 v 7.5 v 3 옴
1PMT5918/TR7 Microsemi Corporation 1 PMT5918/TR7 -
RFQ
 ECAD 4761 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5918 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 4 옴
JANTXV2N6756 Microsemi Corporation jantxv2n6756 -
RFQ
 ECAD 1653 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/542 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 210mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 75W (TC)
JANTX1N6629US Microsemi Corporation jantx1n6629us -
RFQ
 ECAD 1395 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/590 대부분 활동적인 표면 표면 SQ-Mell, e 1N6629 기준 D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 880 v 1.4 V @ 1.4 a 50 ns 2 µa @ 880 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.4a 40pf @ 10V, 1MHz
689-4D, 4N, 4P Microsemi Corporation 689-4d, 4n, 4p -
RFQ
 ECAD 8427 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 섀시 섀시 nd 689-4 기준 nd 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 400 v 15a 1.2 v @ 10 a 500 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C
SMBG5941B/TR13 Microsemi Corporation SMBG5941B/TR13 -
RFQ
 ECAD 6331 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5941 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 35.8 v 47 v 67 옴
3EZ51D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ51D5E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 1073 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ51 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 38.8 v 51 v 48 옴
2EZ22D10E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ22D10E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 9688 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ22 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 16.7 v 22 v 12 옴
2EZ200D10/TR8 Microsemi Corporation 2EZ200D10/TR8 -
RFQ
 ECAD 1846 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ200 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 152 v 200 v 900 옴
3EZ9.1DE3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ9.1DE3/TR8 -
RFQ
 ECAD 3425 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ9.1 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 2.5 옴
2EZ3.6D2E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ3.6D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 1510 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ3.6 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 80 µa @ 1 v 3.6 v 5 옴
1N5381BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5381BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 4664 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5381 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 93.6 v 130 v 190 옴
1EZ140D2/TR12 Microsemi Corporation 1EZ140D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 8454 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ140 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 106.4 v 140 v 1100 옴
1N5956CG Microsemi Corporation 1N5956cg 6.7950
RFQ
 ECAD 9214 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5956 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 152 v 200 v 1200 옴
3EZ27D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ27D5E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 4263 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ27 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 20.6 v 27 v 10 옴
3EZ5.1D10E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ5.1D10E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 3970 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ5.1 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 5.1 v 3.5 옴
3EZ10D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ10D5E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 7569 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ10 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7.6 v 10 v 3.5 옴
SMBG5932AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5932AE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 8917 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5932 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 15.2 v 20 v 14 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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