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불연속 불연속 제품 (6716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MSFC25-08	-	RFQ	3081	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준				시리즈 시리즈 - scr/다이오드		-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1		200 MA	800 v	2.5 v	550A @ 50Hz	150 MA	25 a										1 scr, 1 다이오드
MSFC110-08	-	RFQ	7501	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준				시리즈 시리즈 - 연결 scr		-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1		250 MA	800 v	3 v	2250A @ 50Hz	150 MA	110 a										1 scr, 1 다이오드
1N5916E3/tr13	-	RFQ	8202	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5916		1.5 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	5,000											1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 1 v					4.3 v	6 옴
MS1000	-	RFQ	7020	Microsemi Corporation	*	대부분	쓸모없는										-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1
SMBG5338C/TR13	-	RFQ	8658	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5338		5 w		SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000											1.2 v @ 1 a		1 µa @ 1 v					5.1 v	1.5 옴
jantx1n4491d	41.5800	RFQ	6378	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4491		1.5 w		DO-41	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1 v @ 200 ma		250 NA @ 96 v					120 v	400 옴
5819SMG/TR13	-	RFQ	7588	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	5819sm	Schottky			DO-215AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)								40 v		550 mV @ 1 a		1 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MSFC40-08	-	RFQ	6822	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준				시리즈 시리즈 - scr/다이오드		-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1		250 MA	800 v	2.5 v	1000A @ 50Hz	150 MA	40 a										1 scr, 1 다이오드
1N5387CE3/tr12	-	RFQ	4650	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5387		5 w		T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000											1.2 v @ 1 a		500 NA @ 137 v					190 v	450 옴
SMAJ5955E3/TR13	-	RFQ	3462	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5955		3 w		DO-214AC (SMAJ)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	7,500											1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 136.8 v					180 v	900 옴
3EZ100DE3/TR12	-	RFQ	6642	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ100		3 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000											1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 76 v					100 v	160 옴
3EZ43D10E3/TR8	-	RFQ	8219	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ43		3 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500											1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 32.7 v					43 v	33 옴
2EZ5.6D5	-	RFQ	5005	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ5.6		2 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000											1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v					5.6 v	2.5 옴
APT2X30DC120J	-	RFQ	9450	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT2X30	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky			SOT-227	-		1 (무제한)		귀 99	8541.10.0080	1	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)							2 독립	1200 v	30A	1.8 V @ 30 a	0 ns	600 µa @ 1200 v
jantx1n4975cus	24.6000	RFQ	7886	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Mell, e	1N4975		5 w		D-5B	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.5 v @ 1 a		2 µa @ 38.8 v					51 v	27
MSFC130-08	-	RFQ	4445	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준				시리즈 시리즈 - scr/다이오드		-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1		400 MA	800 v	3 v	4700A @ 50Hz	150 MA	130 a										1 scr, 1 다이오드
FST16090A	-	RFQ	9519	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			나사 나사	TO-249AA		Schottky			TO-249	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)							1 양극 양극 공통	90 v	80a	960 MV @ 80 a		2 ma @ 90 v
CPT600100D	-	RFQ	5376	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	TO-244AB		Schottky			TO-244AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)							1 연결 연결 시리즈	100 v	300A	850 mV @ 300 a		8 ma @ 100 v
UFT7130A	-	RFQ	5593	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			나사 나사	기준 기준		기준			기준 기준	-		1 (무제한)		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)							1 양극 양극 공통	300 v	35a	1.2 v @ 35 a	60 ns	25 µa @ 300 v
1N5386BE3/tr13	-	RFQ	7447	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5386		5 w		T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,250											1.2 v @ 1 a		500 NA @ 130 v					180 v	430 옴
3EZ170D10E3/TR8	-	RFQ	8483	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ170		3 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500											1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 130.4 v					170 v	650 옴
3EZ3.9D10E3/TR8	-	RFQ	8275	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ3.9		3 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500											1.2 v @ 200 ma		80 µa @ 1 v					3.9 v	4.5 옴
SMBG5919AE3/TR13	-	RFQ	9011	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5919		2 w		SMBG (DO-215AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000											1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v					5.6 v	2 옴
SMBG5945BE3/TR13	-	RFQ	6842	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5945		2 w		SMBG (DO-215AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000											1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 51.2 v					68 v	120 옴
UFT7260SM3A	-	RFQ	9686	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	기준 기준		기준			sm3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)							1 양극 양극 공통	600 v	35a	1.35 V @ 35 a	75 ns	25 µa @ 600 v
1N5954AG	3.4050	RFQ	6987	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5954		1.25 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1											1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 121.6 v					160 v	700 옴
SMBG5924AE3/TR13	-	RFQ	1567	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5924		2 w		SMBG (DO-215AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000											1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 7 v					9.1 v	4 옴
SMBG4754A/TR13	-	RFQ	2905	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG4754		2 w		SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000											1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 29.7 v					39 v	60 옴
2EZ82D5/TR12	-	RFQ	4250	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ82		2 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000											1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 62.2 v					82 v	100 옴
SMBG5927BE3/TR13	-	RFQ	1315	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5927		2 w		SMBG (DO-215AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000											1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v					12 v	6.5 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (6716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²