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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | 2EZ12D5/TR8 | - | ![]() | 8242 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ12 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 4.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 76018 | - | ![]() | 7306 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n4481dus | 49.5750 | ![]() | 3260 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4481 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 50 NA @ 37.6 v | 47 v | 50 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5937A/TR13 | - | ![]() | 4583 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5937 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 25.1 v | 33 v | 33 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5921B/TR13 | - | ![]() | 9032 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5921 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 5.2 v | 6.8 v | 2.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
jantxv2n6798 | - | ![]() | 8573 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/557 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | TO-205AF (TO-39) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 5.5A (TC) | 10V | 420mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 42.07 NC @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2284 | - | ![]() | 2388 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCD120-12 | - | ![]() | 1036 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | D1 | 기준 | D1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 1200 v | 120a | 1.43 V @ 300 a | 6 ma @ 1200 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ22D5 | 2.6700 | ![]() | 452 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ22 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 16.7 v | 22 v | 12 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60DDAM45CT1G | - | ![]() | 6698 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTC60 | MOSFET (금속 (() | 250W | SP1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 600V | 49a | 45mohm @ 24.5a, 10V | 3.9V @ 3MA | 150NC @ 10V | 7200pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n4968d | 30.7500 | ![]() | 1890 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4968 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 20.6 v | 27 v | 6 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C2323 | - | ![]() | 1044 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | - | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC90H12T2G | - | ![]() | 3553 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP2 | APTC90 | MOSFET (금속 (() | 250W | SP2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (채널 교량) | 900V | 30A | 120mohm @ 26a, 10V | 3.5v @ 3ma | 270NC @ 10V | 6800pf @ 100v | 슈퍼 슈퍼 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCD100-18 | - | ![]() | 6357 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | D1 | 기준 | D1 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 1800 v | 100A | 1.35 V @ 300 a | 5 ma @ 1800 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | umil3 | - | ![]() | 4147 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시, 마운트 스터드 | 55 피트 | 11W | 55 피트 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 11.8dB ~ 13dB | 30V | 700ma | NPN | 10 @ 100a, 5V | 225MHz ~ 400MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ39D5E3/TR8 | - | ![]() | 9090 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ39 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 29.7 v | 39 v | 28 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ100D10/TR12 | - | ![]() | 3435 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ100 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 76 v | 100 v | 175 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ3.6DE3/TR8 | - | ![]() | 3652 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ3.6 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 80 µa @ 1 v | 3.6 v | 5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx1n6629us | - | ![]() | 1395 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/590 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N6629 | 기준 | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 880 v | 1.4 V @ 1.4 a | 50 ns | 2 µa @ 880 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.4a | 40pf @ 10V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UTV8100B | - | ![]() | 8059 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 55rt | 290W | 55rt | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.5dB ~ 9.5dB | 60V | 15a | NPN | 20 @ 1a, 5v | 470MHz ~ 860MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4744E3/TR13 | - | ![]() | 2981 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG4744 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 11.4 v | 15 v | 14 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ39D10E3/TR12 | - | ![]() | 8384 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ39 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 29.7 v | 39 v | 30 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N1016C | - | ![]() | 7822 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 2N1016 | 150 W. | To-82 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 7.5 a | 1MA | NPN | 2.5V @ 1a, 5a | 10 @ 5a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT40SM120B | - | ![]() | 7432 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | sicfet ((카바이드) | TO-247 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 1200 v | 41A (TC) | 20V | 100mohm @ 20a, 20V | 3v @ 1ma (1) | 130 nc @ 20 v | +25V, -10V | 2560 pf @ 1000 v | - | 273W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ14D5/TR12 | - | ![]() | 5694 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ14 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 10.6 v | 14 v | 5.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ39D10/TR8 | - | ![]() | 4309 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ39 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 29.7 v | 39 v | 28 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 0912-45 | - | ![]() | 1694 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 55ct | 225W | 55ct | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 8db ~ 9db | 60V | 4.5A | NPN | 10 @ 300ma, 5V | 960MHz ~ 1.215GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT14280A | - | ![]() | 2563 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 나사 나사 | to-249aa 9 된베이스 된베이스 | 기준 | TO-249 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 양극 양극 공통 | 800 v | 70A | 1.35 V @ 70 a | 75 ns | 25 µa @ 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5378A/TR12 | - | ![]() | 8906 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5378 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 72 v | 100 v | 90 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS18145 | - | ![]() | 6190 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | 반 반 | Schottky | 반 반 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 700 mV @ 180 a | 4 ma @ 45 v | 180a | 7500pf @ 5V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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