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불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SMBG5934C/TR13 Microsemi Corporation SMBG5934C/TR13 -
RFQ
 ECAD 1792 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5934 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18.2 v 24 v 19 옴
2EZ17DE3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ17DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 5387 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ17 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 13 v 17 v 9 옴
JANTXV1N4614C-1 Microsemi Corporation jantxv1n4614c-1 -
RFQ
 ECAD 7090 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 3.5 µa @ 1 v 1.8 v 1200 옴
JANTXV1N4614CUR-1 Microsemi Corporation jantxv1n4614cur-1 -
RFQ
 ECAD 5858 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 3.5 µa @ 1 v 1.8 v 1200 옴
3EZ170D5/TR12 Microsemi Corporation 3EZ170D5/TR12 -
RFQ
 ECAD 6548 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ170 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 130.4 v 170 v 650 옴
1PMT4623CE3/TR7 Microsemi Corporation 1 PMT4623CE3/TR7 -
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Microsemi Corporation PowerMite® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1 W. DO-216 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 200 ma 4 µa @ 2 v 4.3 v 1650 옴
MSCD200-18 Microsemi Corporation MSCD200-18 -
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D2 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1 연결 연결 시리즈 1800 v 200a 1.3 v @ 300 a 9 ma @ 1800 v
MSD130-18 Microsemi Corporation MSD130-18 -
RFQ
 ECAD 9781 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 M3 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1.8 V @ 300 a 300 µa @ 1800 v 130 a 3 단계 1.8 kV
JANTXV2N2328 Microsemi Corporation jantxv2n2328 -
RFQ
 ECAD 1107 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/276 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 100 2 MA 300 v 800 MV - 200 µA 220 MA 민감한 민감한
SMBG4738AE3/TR13 Microsemi Corporation smbg4738ae3/tr13 -
RFQ
 ECAD 1296 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4738 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
UMAF5818 Microsemi Corporation UMAF5818 -
RFQ
 ECAD 7862 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 Ultramite ™ UMAF5818 Schottky Ultramite ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v -50 ° C ~ 125 ° C 1A -
1N5382AE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5382AE3/tr13 -
RFQ
 ECAD 7212 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5382 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 101 v 140 v 230 옴
JANTX1N4971C Microsemi Corporation jantx1n4971c 18.2550
RFQ
 ECAD 6370 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 1N4971 5 w e, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 27.4 v 36 v 11 옴
SMBG4746AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4746AE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 3110 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4746 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 13.7 v 18 v 20 옴
1N5914AE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5914AE3/tr13 -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5914 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 3.6 v 9 옴
1N5952AP/TR12 Microsemi Corporation 1N5952AP/TR12 -
RFQ
 ECAD 1102 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5952 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
1N5259A (DO-35) Microsemi Corporation 1N5259A (DO-35) -
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5259 500MW DO-35 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 30 v 39 v 80 옴
SMBJ5952BE3/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5952BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 3024 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5952 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
3EZ20D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ20D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 4851 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ20 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 15.2 v 20 v 7 옴
3EZ15D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ15D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ15 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 11.4 v 15 v 5.5 옴
1N4728UR-1 Microsemi Corporation 1N4728UR-1 3.4650
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 1N4728 1 W. do-213ab - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
1N5337AE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5337AE3/tr12 -
RFQ
 ECAD 7857 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5337 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 1 v 4.7 v 2 옴
1N4731CPE3/TR12 Microsemi Corporation 1N4731cpe3/tr12 -
RFQ
 ECAD 6458 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4731 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.3 v 9 옴
SMBG5920AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5920AE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5920 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 2 옴
2EZ12D2E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ12D2E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 5521 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ12 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 4.5 옴
3EZ14D10E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ14D10E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 6893 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ14 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 10.6 v 14 v 5 옴
1N5917CP/TR12 Microsemi Corporation 1N5917CP/TR12 -
RFQ
 ECAD 6914 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5917 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1.5 v 4.7 v 5 옴
SMBG5915A/TR13 Microsemi Corporation SMBG5915A/TR13 -
RFQ
 ECAD 4823 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5915 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 25 µa @ 1 v 3.9 v 7.5 옴
1N5381/TR8 Microsemi Corporation 1N5381/tr8 -
RFQ
 ECAD 6790 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5381 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 93.6 v 130 v 190 옴
JAN2N1489 Microsemi Corporation JAN2N1489 -
RFQ
 ECAD 3559 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/208 대부분 쓸모없는 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 75 w TO-33 (TO-204AA) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 40 v 6 a 25µA (ICBO) NPN 3v @ 300ma, 1.5a 25 @ 1.5A, 4V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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