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불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SMBJ5335BE3/TR13 Microsemi Corporation smbj5335be3/tr13 -
RFQ
 ECAD 8791 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5335 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 50 µa @ 1 v 3.9 v 2 옴
SMAJ6489CE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ6489CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 9850 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1.5 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
UFT12780A Microsemi Corporation UFT12780A -
RFQ
 ECAD 6335 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 800 v 60a 1.35 V @ 60 a 80 ns 30 µa @ 800 v
MAD1106E3/TU Microsemi Corporation MAD1106E3/tu -
RFQ
 ECAD 4050 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 14-DIP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000
1N5347A/TR8 Microsemi Corporation 1N5347A/TR8 -
RFQ
 ECAD 7595 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5347 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 7.2 v 10 v 2 옴
NSA2048 Microsemi Corporation NSA2048 -
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1
MS1645 Microsemi Corporation MS1645 -
RFQ
 ECAD 6010 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 300 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 670 mV @ 16 a 250 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 16A -
3EZ15D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ15D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 3386 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ15 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 11.4 v 15 v 5.5 옴
SMBJ5953BE3/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5953BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 8233 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5953 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 114 v 150 v 600 옴
2EZ19D5DO41E3 Microsemi Corporation 2EZ19D5DO41E3 -
RFQ
 ECAD 4888 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ19 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 14.4 v 19 v 11 옴
1N4732CP/TR8 Microsemi Corporation 1N4732CP/TR8 -
RFQ
 ECAD 3780 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4732 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
MSKD165-12 Microsemi Corporation MSKD165-12 -
RFQ
 ECAD 1461 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D2 기준 SD2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1 음극 음극 공통 1200 v 165a 1.4 V @ 300 a 9 ma @ 1200 v
APTC90DAM60T1G Microsemi Corporation APTC90DAM60T1G -
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 MOSFET (금속 (() SP1 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 900 v 59A (TC) 10V 60mohm @ 52a, 10V 3.5V @ 6MA 540 nc @ 10 v ± 20V 13600 pf @ 100 v - 462W (TC)
JANTX2N3811L Microsemi Corporation Jantx2N3811L -
RFQ
 ECAD 6178 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/336 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N3811 350MW To-78-6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60V 50ma 10µA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 100µa, 1ma 300 @ 1ma, 5V -
3EZ9.1D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ9.1D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 4614 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ9.1 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 2.5 옴
ARF521 Microsemi Corporation ARF521 -
RFQ
 ECAD 6682 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 500 v M174 81MHz MOSFET M174 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 n 채널 10A 50 MA 150W 15db - 125 v
2EZ51DE3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ51DE3/TR8 -
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ51 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 38.8 v 51 v 48 옴
SMAJ5951E3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5951E3/TR13 -
RFQ
 ECAD 6981 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5951 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91.2 v 120 v 380 옴
3EZ68D10E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ68D10E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 7351 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ68 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 51.7 v 68 v 70 옴
APTC90SKM60T1G Microsemi Corporation APTC90SKM60T1G -
RFQ
 ECAD 8284 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 MOSFET (금속 (() SP1 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 900 v 59A (TC) 10V 60mohm @ 52a, 10V 3.5V @ 6MA 540 nc @ 10 v ± 20V 13600 pf @ 100 v - 462W (TC)
2EZ7.5D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ7.5D5E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ7.5 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 5 v 7.5 v 2 옴
3EZ10DE3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ10DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 6074 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ10 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7.6 v 10 v 3.5 옴
SMBG4759C/TR13 Microsemi Corporation SMBG4759C/TR13 -
RFQ
 ECAD 1235 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4759 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 47.1 v 62 v 125 옴
JANTX1N4475CUS Microsemi Corporation jantx1n4475cus 28.1550
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 1N4475 1.5 w D-5A 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 50 NA @ 21.6 v 27 v 18 옴
1N4128 (DO35) Microsemi Corporation 1N4128 (DO35) -
RFQ
 ECAD 5163 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4128 400MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 10 na @ 45.6 v 60 v 400 옴
APTGT150DA170G Microsemi Corporation APTGT150DA170G -
RFQ
 ECAD 4405 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP6 890 W. 기준 SP6 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1700 v 250 a 2.4V @ 15V, 150A 350 µA 아니요 13.5 nf @ 25 v
MSFC160-08 Microsemi Corporation MSFC160-08 -
RFQ
 ECAD 5675 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 400 MA 800 v 3 v 5400A @ 50Hz 150 MA 160 a 1 scr, 1 다이오드
3EZ5.6DE3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ5.6DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 9579 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ5.6 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.6 v 2.5 옴
2EZ68D2E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ68D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ68 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 51.7 v 68 v 75 옴
APTGF50VDA120T3G Microsemi Corporation APTGF50VDA120T3G -
RFQ
 ECAD 8344 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP3 312 w 기준 SP3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 이중 이중 헬기 NPT 1200 v 70 a 3.7V @ 15V, 50A 250 µA 예 3.45 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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