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불연속 불연속 제품 (6716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
APT4012BVR	-	RFQ	2441	Microsemi Corporation	MOS V®	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		MOSFET (금속 (()		TO-247AD	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		400 v	37A (TC)	10V	120mohm @ 18.5a, 10V	4V @ 1MA	290 NC @ 10 v	± 30V	5400 pf @ 25 v	-	370W (TC)
3EZ47D10E3/TR12	-	RFQ	8422	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ47		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																	1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 35.6 v							47 v	38 옴
3EZ43D10/TR12	-	RFQ	6767	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활성	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ43		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																	1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 32.7 v							43 v	33 옴
1N5955cp/tr12	-	RFQ	4962	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5955		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																	1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 136.8 v							180 v	900 옴
SMBG5921A/TR13	-	RFQ	1564	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5921		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 5.2 v							6.8 v	2.5 옴
CPT600150A	-	RFQ	8042	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	TO-244AB		Schottky		TO-244AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													1 양극 양극 공통	150 v	300A	850 mV @ 300 a	7 ma @ 150 v
2N5097	-	RFQ	7947	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			4 w	To-5	-	rohs 비준수	적용 적용 수 할		귀 99	8541.29.0095	1																						600 v	1 a	-			NPN	-	-	-
JAN2N2221AUB	6.7032	RFQ	5368	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/255	대부분	활성		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	3-smd,, 없음	2N2221		500MW	ub	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	1																						50 v	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50MA, 500MA	40 @ 150ma, 10V	-
3EZ16D10/TR12	-	RFQ	8081	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ16		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																	1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 12.2 v							16 v	5.5 옴
1N5914CPE3/TR8	-	RFQ	6164	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5914		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																	1.2 v @ 200 ma	75 µa @ 1 v							3.6 v	9 옴
MS1004	-	RFQ	7883	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		200 ° C (TJ)	섀시 섀시	M177			330W	M177	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1			14.5dB																			55V	40a				NPN		15 @ 10a, 6V	30MHz	-
1N5335/tr8	-	RFQ	5871	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5335		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,000																	1.2 v @ 1 a	50 µa @ 1 v							3.9 v	2 옴
1N5915bp/tr8	-	RFQ	4932	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5915		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																	1.2 v @ 200 ma	25 µa @ 1 v							3.9 v	7.5 옴
3EZ15D10/TR12	-	RFQ	1660	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ15		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																	1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 11.4 v							15 v	5.5 옴
MS106/TR12	-	RFQ	7811	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	MS106	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)														60 v		690 mV @ 1 a	100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
SK34/TR13	-	RFQ	1431	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활성			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK34	Schottky		do-214ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)														40 v		500 mV @ 3 a	500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
1EZ160D10/TR12	-	RFQ	4169	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ160		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																	1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 121.6 v							160 v	1400 옴
MSCD70-18	-	RFQ	4470	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	D1		표준		D1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	짐													1 연결 연결 시리즈	1800 v	70A	1.48 V @ 200 a	5 ma @ 1800 v
2EZ5.6D2/TR12	-	RFQ	4565	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ5.6		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																	1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 2 v							5.6 v	2.5 옴
1N4894A	-	RFQ	1238	Microsemi Corporation	-	벌크	활성	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향	1N4894		400MW	DO-7	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	100																									6.35 v	10 옴
1N5383AE3/tr8	-	RFQ	9364	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5383		5 w	T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,000																	1.2 v @ 1 a	500 NA @ 108 v							150 v	330 옴
SD1444	-	RFQ	6460	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			5W	To-39	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1			8db																			16V	400ma				NPN		20 @ 50MA, 5V	450MHz ~ 512MHz	-
MRF559T	-	RFQ	2339	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-	-	-			2W	-	-		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0075	1,000			9.5dB																			16V	150ma				NPN		30 @ 50MA, 10V	870MHz	-
44010	-	RFQ	5553	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는									-		적용 적용 수 할		쓸모없는	0000.00.0000	1
MDS140L	-	RFQ	6833	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		200 ° C (TJ)	섀시 섀시	55AW			500W	55AW	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1			9.5dB																			70V	12a				NPN		20 @ 1a, 5v	1.03GHz ~ 1.09GHz	-
2EZ180D2/TR12	-	RFQ	4181	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ180		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																	1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 136.8 v							180 v	725 옴
1N5375AE3/tr8	-	RFQ	6105	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5375		5 w	T-18	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,000																	1.2 v @ 1 a	500 NA @ 59 v							82 v	64 옴
MS1015E	-	RFQ	3022	Microsemi Corporation	*	대부분	쓸모없는									-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1
10A060	-	RFQ	9392	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		200 ° C (TJ)	스터드 스터드	55 피트			21W	55 피트	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1			8dB ~ 8.5dB																			24V	3A				NPN		20 @ 400ma, 5V	1GHz	-
SMBG5916CE3/TR13	-	RFQ	6372	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5916		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.2 v @ 200 ma	10 µa @ 1 v							4.3 v	6 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (6716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²