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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
FST80100D Microsemi Corporation FST80100D -
RFQ
ECAD 6587 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 나사 나사 TO-249AA Schottky TO-249 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 100 v 40a 820 MV @ 40 a 2 ma @ 100 v
MS2294 Microsemi Corporation MS2294 -
RFQ
ECAD 8146 0.00000000 Microsemi Corporation * 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
CPT30060D Microsemi Corporation CPT30060D -
RFQ
ECAD 2936 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 60 v 150a 820 MV @ 200 a 4 ma @ 60 v
JANTX1N4967D Microsemi Corporation jantx1n4967d 29.4600
RFQ
ECAD 1636 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 1N4967 5 w e, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 18.2 v 24 v 5 옴
CPT600100 Microsemi Corporation CPT600100 -
RFQ
ECAD 7805 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 300A 850 mV @ 300 a 8 ma @ 100 v
1N5956AP/TR12 Microsemi Corporation 1N5956AP/TR12 -
RFQ
ECAD 6173 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5956 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 152 v 200 v 1200 옴
MRF553T Microsemi Corporation MRF553T -
RFQ
ECAD 3388 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 파워 파워 3W 파워 파워 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1,000 11.5dB 16V 500ma NPN 30 @ 250ma, 5V 175MHz -
SMBG4748A/TR13 Microsemi Corporation SMBG4748A/TR13 -
RFQ
ECAD 5664 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4748 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 16.7 v 22 v 23 옴
SMBG5938A/TR13 Microsemi Corporation SMBG5938A/TR13 -
RFQ
ECAD 9183 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5938 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27.4 v 36 v 38 옴
2EZ24D5/TR8 Microsemi Corporation 2EZ24D5/TR8 -
RFQ
ECAD 7868 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ24 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 18.2 v 24 v 13 옴
MS1226 Microsemi Corporation MS1226 -
RFQ
ECAD 1406 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 200 ° C (TJ) 섀시 섀시 M113 80W M113 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 18db 36v 4.5A NPN 10 @ 500ma, 5V 30MHz -
1N5223A (DO-35)TR Microsemi Corporation 1N5223A (DO-35) TR -
RFQ
ECAD 5269 0.00000000 Microsemi Corporation - 가방 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5223 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,021 1.5 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
1N4733A G Microsemi Corporation 1N4733A g -
RFQ
ECAD 4705 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4733 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
1N5268B (DO-35) Microsemi Corporation 1N5268B (DO-35) -
RFQ
ECAD 5101 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5268 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 62 v 82 v 330 옴
UFT12780A Microsemi Corporation UFT12780A -
RFQ
ECAD 6335 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 800 v 60a 1.35 V @ 60 a 80 ns 30 µa @ 800 v
1N5388C/TR12 Microsemi Corporation 1N5388C/TR12 -
RFQ
ECAD 8330 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5388 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 144 v 200 v 480 옴
JANTX2N5013 Microsemi Corporation JANTX2N5013 -
RFQ
ECAD 9097 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/727 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. To-5 - rohs 비준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 1 800 v 200 MA 10NA (ICBO) NPN 30 @ 20MA, 10V -
JAN2N2221AUB Microsemi Corporation JAN2N2221AUB 6.7032
RFQ
ECAD 5368 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/255 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N2221 500MW ub 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
2EZ11DE3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ11DE3/TR8 -
RFQ
ECAD 7182 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ11 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 8.4 v 11 v 4 옴
2EZ4.3D10E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ4.3D10E3/TR8 -
RFQ
ECAD 1976 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ4.3 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 20 µa @ 1 v 4.3 v 4.5 옴
CDLL3048A-1 Microsemi Corporation CDLL3048A-1 -
RFQ
ECAD 4709 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 CDLL3048 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
1N5952E3/TR13 Microsemi Corporation 1N5952E3/tr13 -
RFQ
ECAD 3651 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5952 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
2N6788U Microsemi Corporation 2N6788U -
RFQ
ECAD 1196 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-CLCC MOSFET (금속 (() 18-ULCC (9.14x7.49) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 100 v 4.5A (TC) 10V 300mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V - 800MW (TC)
JAN1N6660DT1 Microsemi Corporation JAN1N6660DT1 -
RFQ
ECAD 9027 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/608 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) 1N6660 Schottky TO-254AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 45 v 15a 750 mV @ 15 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
1N5381E3/TR8 Microsemi Corporation 1N5381E3/tr8 -
RFQ
ECAD 6916 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5381 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 93.6 v 130 v 190 옴
1EZ140DE3/TR12 Microsemi Corporation 1EZ140DE3/TR12 -
RFQ
ECAD 1960 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ140 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 106.4 v 140 v 1100 옴
2EZ4.7D10E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ4.7D10E3/TR8 -
RFQ
ECAD 8393 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ4.7 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 4.7 v 4.5 옴
MSAD36-08 Microsemi Corporation MSAD36-08 -
RFQ
ECAD 5703 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D1 기준 D1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1 양극 양극 공통 800 v 36a 1.25 V @ 100 a 5 ma @ 800 v
1N821A (DO35) Microsemi Corporation 1N821A (DO35) -
RFQ
ECAD 4020 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N821 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.2 v 10 옴
1N5232A (DO-35)TR Microsemi Corporation 1N5232A (DO-35) TR 1.9400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5232 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고