RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (6716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
MSFC110-12	-	RFQ	6402	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준				시리즈 시리즈 - 연결 scr		-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1			250 MA												1.2kV	3 v	2250A @ 50Hz	150 MA	110 a									1 scr, 1 다이오드
1N5384AE3/tr13	-	RFQ	5953	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5384		5 w		T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,250																							1.2 v @ 1 a	500 NA @ 115 v							160 v	350 옴
1N5336/tr8	-	RFQ	4499	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5336		5 w		T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,000																							1.2 v @ 1 a	10 µa @ 1 v							4.3 v	2 옴
75060A	-	RFQ	8447	Microsemi Corporation	*	대부분	쓸모없는										-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1
jantx1n4487cus	28.1550	RFQ	4278	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Melf, a	1N4487		1.5 w		D-5A	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1																							1 v @ 200 ma	250 NA @ 65.6 v							82 v	160 옴
SMAJ4486E3/TR13	-	RFQ	9665	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA			1.5 w		DO-214AC (SMAJ)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	7,500																							1.2 v @ 200 ma	25 NA @ 60.4 v							75 v	130 옴
jantxv2n7236	-	RFQ	8253	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/595	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-254-3, TO-254AA (직선 리드)		MOSFET (금속 (()			TO-254AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		p 채널			100 v	18A (TC)	10V	220mohm @ 18a, 10V	4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V		-	4W (TA), 125W (TC)
1N5950APE3/tr12	-	RFQ	3168	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5950		1.5 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																							1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 83.6 v							110 v	300 옴
1N5952cg	6.7950	RFQ	5012	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5952		1.25 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1																							1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 98.8 v							130 v	450 옴
3EZ15D10/TR12	-	RFQ	1660	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ15		3 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																							1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 11.4 v							15 v	5.5 옴
MS106/TR12	-	RFQ	7811	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	MS106	Schottky			DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																				60 v		690 mV @ 1 a	100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
SK34/TR13	-	RFQ	1431	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SK34	Schottky			do-214ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																				40 v		500 mV @ 3 a	500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
1EZ160D10/TR12	-	RFQ	4169	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ160		1 W.		DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																							1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 121.6 v							160 v	1400 옴
MSCD70-18	-	RFQ	4470	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	D1		기준			D1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	짐																			1 연결 연결 시리즈	1800 v	70A	1.48 V @ 200 a	5 ma @ 1800 v
1N4894A	-	RFQ	1238	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향	1N4894		400MW		DO-7	다운로드	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	100																															6.35 v	10 옴
1N5383AE3/tr8	-	RFQ	9364	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5383		5 w		T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,000																							1.2 v @ 1 a	500 NA @ 108 v							150 v	330 옴
SD1444	-	RFQ	6460	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			5W		To-39	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1				8db																									16V	400ma			NPN	20 @ 50MA, 5V	450MHz ~ 512MHz	-
MRF559T	-	RFQ	2339	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-	-	-			2W		-	-		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0075	1,000				9.5dB																									16V	150ma			NPN	30 @ 50MA, 10V	870MHz	-
44010	-	RFQ	5553	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는										-		적용 적용 수 할		쓸모없는	0000.00.0000	1
MDS140L	-	RFQ	6833	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		200 ° C (TJ)	섀시 섀시	55AW			500W		55AW	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1				9.5dB																									70V	12a			NPN	20 @ 1a, 5v	1.03GHz ~ 1.09GHz	-
MS1015E	-	RFQ	3022	Microsemi Corporation	*	대부분	쓸모없는										-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1
10A060	-	RFQ	9392	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		200 ° C (TJ)	스터드 스터드	55 피트			21W		55 피트	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1				8dB ~ 8.5dB																									24V	3A			NPN	20 @ 400ma, 5V	1GHz	-
3EZ11D10/TR12	-	RFQ	9922	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ11		3 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																							1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 8.4 v							11 v	4 옴
2EZ62D5E3/TR8	-	RFQ	2281	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ62		2 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																							1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 47.1 v							62 v	60 옴
66068B	-	RFQ	9435	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는										-		적용 적용 수 할		쓸모없는	0000.00.0000	1
APTM120SK68T1G	-	RFQ	7952	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP1		MOSFET (금속 (()			SP1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널			1200 v	15A (TC)	10V	816mohm @ 12a, 10V	5V @ 2.5MA	260 NC @ 10 v	± 30V	6696 pf @ 25 v	-	357W (TC)
1 PMT5919CE3/TR7	-	RFQ	4186	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5919		3 w		DO-216AA	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000																							1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 3 v							5.6 v	2 옴
jantx2n6768t1	-	RFQ	3679	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/543	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-254-3, TO-254AA (직선 리드)		MOSFET (금속 (()			TO-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널			400 v	14A (TC)	10V	400mohm @ 14a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
66082B	-	RFQ	8698	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는										-		적용 적용 수 할		쓸모없는	0000.00.0000	1
1N5274BDO35E3	-	RFQ	8407	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5274		500MW		DO-35	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	10,000																							1.5 v @ 200 ma	100 na @ 99 v							130 v	1100 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (6716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²