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불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
1N5384B/TR12 Microsemi Corporation 1N5384B/TR12 -
RFQ
 ECAD 6011 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5384 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 115 v 160 v 350 옴
1N5384AE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5384AE3/tr13 -
RFQ
 ECAD 5953 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5384 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 115 v 160 v 350 옴
MSCD165-18 Microsemi Corporation MSCD165-18 -
RFQ
 ECAD 2680 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D2 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1 연결 연결 시리즈 1800 v 165a 1.4 V @ 300 a 9 ma @ 1800 v
MSAD165-18 Microsemi Corporation MSAD165-18 -
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D2 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1 양극 양극 공통 1800 v 165a 1.4 V @ 300 a 9 ma @ 1800 v
APTGF50TDU120PG Microsemi Corporation aptgf50tdu120pg -
RFQ
 ECAD 7403 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP6 312 w 기준 SP6-P 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 트리플, 공통 - 듀얼 소스 NPT 1200 v 75 a 3.7V @ 15V, 50A 250 µA 아니요 3.45 NF @ 25 v
1N5921DG Microsemi Corporation 1N5921DG 7.5450
RFQ
 ECAD 8829 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5921 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 5.2 v 6.8 v 2.5 옴
SMBG4754AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4754AE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 5753 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4754 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 29.7 v 39 v 60 옴
3EZ7.5D10E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ7.5D10E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 8623 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ7.5 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 5 v 7.5 v 2 옴
62090 Microsemi Corporation 62090 -
RFQ
 ECAD 7623 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 적용 적용 수 할 쓸모없는 0000.00.0000 1
3EZ12D2E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ12D2E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 6570 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ12 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 4.5 옴
3EZ56D5/TR8 Microsemi Corporation 3EZ56D5/TR8 -
RFQ
 ECAD 1034 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ56 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 42.6 v 56 v 50 옴
1N5913APE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5913APE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 5320 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5913 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
3EZ8.2D/TR8 Microsemi Corporation 3ez8.2d/tr8 -
RFQ
 ECAD 4399 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ8.2 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6 v 8.2 v 2.3
MS1051 Microsemi Corporation MS1051 -
RFQ
 ECAD 8784 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 200 ° C (TJ) 섀시 섀시 M174 290W M174 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 11dB ~ 13dB 18V 20A NPN 10 @ 5ma, 5V 30MHz -
1N6660CCT1 Microsemi Corporation 1N6660CCT1 183.2850
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA 1N6660 Schottky TO-254AA 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 750 mV @ 15 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
46007T Microsemi Corporation 46007T -
RFQ
 ECAD 9262 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 적용 적용 수 할 쓸모없는 0000.00.0000 1
1N4764CP/TR12 Microsemi Corporation 1N4764CP/TR12 -
RFQ
 ECAD 3978 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4764 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 76 v 100 v 350 옴
3EZ11D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ11D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ11 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 8.4 v 11 v 4 옴
SMBG5940BE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5940BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 9145 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5940 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 32.7 v 43 v 53
1EZ100D10E3/TR8 Microsemi Corporation 1EZ100D10E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 4697 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ100 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 100 v
SMBG4729CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4729CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4729 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.6 v 10 옴
1N5385C/TR12 Microsemi Corporation 1N5385C/TR12 -
RFQ
 ECAD 8585 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5385 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 122 v 170 v 380 옴
3EZ100D2E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ100D2E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ100 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 76 v 100 v 160 옴
SMAJ6489CE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ6489CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 9850 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1.5 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
APT8024LVRG Microsemi Corporation APT8024LVRG -
RFQ
 ECAD 7987 0.00000000 Microsemi Corporation MOS V® 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA MOSFET (금속 (() TO-264 [L] - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 800 v 33A (TC) 10V 240mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 2.5MA 425 NC @ 10 v - 7740 pf @ 25 v - -
SMBJ4750C/TR13 Microsemi Corporation SMBJ4750C/TR13 -
RFQ
 ECAD 8312 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ4750 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 20.6 v 27 v 35 옴
JANTXV1N4614DUR-1 Microsemi Corporation jantxv1n4614dur-1 -
RFQ
 ECAD 3374 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 쓸모없는 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 3.5 µa @ 1 v 1.8 v 1200 옴
SMBG5930CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5930CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5930 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12.2 v 16 v 10 옴
1N4118 (DO35) Microsemi Corporation 1N4118 (DO35) -
RFQ
 ECAD 4497 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4118 400MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 10 NA @ 20.45 v 27 v 150 옴
1EZ180D2E3/TR8 Microsemi Corporation 1EZ180D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 4311 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ180 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 136.8 v 180 v 1500 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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