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불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
3EZ22D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ22D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 2018 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ22 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 16.7 v 22 v 8 옴
2EZ5.6D2/TR12 Microsemi Corporation 2EZ5.6D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 4565 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ5.6 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.6 v 2.5 옴
2EZ39D5/TR8 Microsemi Corporation 2EZ39D5/TR8 -
RFQ
 ECAD 6625 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ39 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 29.7 v 39 v 30 옴
SMBG4761CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4761CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 3704 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4761 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 56 v 75 v 175 옴
JANTX1N4978DUS Microsemi Corporation jantx1n4978dus 30.7500
RFQ
 ECAD 3679 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4978 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 51.7 v 68 v 50 옴
SDM30004 Microsemi Corporation SDM30004 -
RFQ
 ECAD 7378 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 400 v 1.1 v @ 300 a 75 µa @ 400 v 300A -
2N3811U Microsemi Corporation 2N3811U -
RFQ
 ECAD 7940 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N3811 350MW To-78-6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60V 50ma 10µA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 100µa, 1ma 300 @ 1ma, 5V -
3EZ24D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ24D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ24 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 18.2 v 24 v 9 옴
MS2216H Microsemi Corporation MS2216H -
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 Microsemi Corporation * 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
JAN2N6758 Microsemi Corporation JAN2N6758 -
RFQ
 ECAD 1491 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/542 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 490mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 75W (TC)
MSDT200-16 Microsemi Corporation MSDT200-16 -
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 M5 모듈 다리, 3 상 -Scrs/다이오드 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 1.6kV 3 v 1900a @ 50Hz 150 MA 200a 1 scr, 6 다이오드
CPT50060 Microsemi Corporation CPT50060 -
RFQ
 ECAD 8919 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 250A 730 mv @ 250 a 8 ma @ 60 v
1N5914BPE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5914BPE3/tr8 -
RFQ
 ECAD 5521 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5914 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 3.6 v 9 옴
61110 Microsemi Corporation 61110 -
RFQ
 ECAD 5925 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 적용 적용 수 할 쓸모없는 0000.00.0000 1
1N5955BG Microsemi Corporation 1N5955bg 3.4050
RFQ
 ECAD 2351 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5955 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 136.8 v 180 v 900 옴
54006H Microsemi Corporation 54006H -
RFQ
 ECAD 6794 0.00000000 Microsemi Corporation * 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
APT30SCD120S Microsemi Corporation APT30SCD120 -
RFQ
 ECAD 9646 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky d3pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 30 a 0 ns 600 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 99a 2100pf @ 0V, 1MHz
SMBG5919C/TR13 Microsemi Corporation SMBG5919C/TR13 -
RFQ
 ECAD 4419 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5919 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 2 옴
2EZ180D2/TR12 Microsemi Corporation 2EZ180D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 4181 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ180 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 136.8 v 180 v 725 옴
UFT7260SM4D Microsemi Corporation UFT7260SM4D -
RFQ
 ECAD 2004 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 기준 기준 기준 sm4 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 600 v 35a 1.35 V @ 35 a 75 ns 25 µa @ 600 v
1N5952BPE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5952BPE3/tr8 -
RFQ
 ECAD 4478 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5952 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
1N5383A/TR8 Microsemi Corporation 1N5383A/TR8 -
RFQ
 ECAD 2335 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5383 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 108 v 150 v 330 옴
JANTX2N3029 Microsemi Corporation jantx2n3029 -
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-S-19500/419 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N3029 TO-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 5 MA 1kv 250 MA 800 MV 5a, 8a 200 µA 1.5 v 100 NA 민감한 민감한
1214-370M Microsemi Corporation 1214-370m -
RFQ
 ECAD 8618 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 200 ° C (TJ) 섀시 섀시 55st 600W 55st 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 8.7dB ~ 9dB 75V 25A NPN 10 @ 5a, 5V 1.2GHz ~ 1.4GHz -
1N5339CE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5339CE3/tr12 -
RFQ
 ECAD 6649 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5339 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 2 v 5.6 v 1 옴
SMBG5931C/TR13 Microsemi Corporation SMBG5931C/TR13 -
RFQ
 ECAD 7470 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5931 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
1N5375AE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5375AE3/tr12 -
RFQ
 ECAD 5313 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5375 5 w T-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 59 v 82 v 64 옴
1N5335C/TR8 Microsemi Corporation 1N5335C/TR8 -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5335 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 50 µa @ 1 v 3.9 v 2 옴
2EZ11DE3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ11DE3/TR8 -
RFQ
 ECAD 7182 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ11 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 8.4 v 11 v 4 옴
2EZ47D5E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ47D5E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 8473 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ47 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 35.8 v 47 v 40
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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