RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (6716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	얻다	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
SMBG5925B/TR13	-	RFQ	2984	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5925		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 8 v						10 v	4.5 옴
1EZ150D10E3/TR8	-	RFQ	9905	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ150		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 114 v						150 v	1300 옴
3EZ140D5/TR12	-	RFQ	9230	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ140		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 106.4 v						140 v	475 옴
FST153100A	-	RFQ	8165	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	TO-249-9, TO-249AA 변형		Schottky		TO-249	-		1 (무제한)		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1 양극 양극 공통	100 v	75a	940 MV @ 75 a		1.5 ma @ 100 v
1EZ130D/TR8	-	RFQ	9993	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ130		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 98.8 v						130 v	910 옴
1N4729AE3/tr13	-	RFQ	8184	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4729		1 W.	DO-204AL (DO-41)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v						3.6 v	10 옴
jantx1n4473cus	28.1550	RFQ	2007	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/406	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SQ-Melf, a	1N4473		1.5 w	D-5A	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1						1 v @ 200 ma		50 na @ 17.6 v						22 v	14 옴
76020H	-	RFQ	2640	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는									-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1
smaj4479e3/tr13	-	RFQ	5860	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA			1.5 w	DO-214AC (SMAJ)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	7,500						1.2 v @ 200 ma		50 NA @ 31.2 v						39 v	30 옴
2EZ3.6D2/TR12	-	RFQ	4859	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ3.6		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 200 ma		80 µa @ 1 v						3.6 v	5 옴
2EZ12D5DO41E3/TR12	-	RFQ	4214	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ12		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v						12 v	4.5 옴
HS247200	-	RFQ	3636	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	반 반		Schottky		반 반	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			200 v		860 mV @ 240 a		8 ma @ 200 v		240A	6000pf @ 5V, 1MHz
2EZ91D5/TR12	-	RFQ	4742	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ91		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 69.2 v						91 v	125 옴
1N5242BDO35E3	-	RFQ	9958	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5242		500MW	DO-35	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v						12 v	30 옴
1N5384C/TR8	-	RFQ	3654	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5384		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,000						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 115 v						160 v	350 옴
2EZ91D2/TR8	-	RFQ	5963	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ91		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 69.2 v						91 v	125 옴
UFT40020D	-	RFQ	1941	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			나사 나사	기준 기준		기준		기준 기준	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1 연결 연결 시리즈	200 v	200a	975 mv @ 200 a	100 ns	50 µa @ 200 v
SMBG4761C/TR13	-	RFQ	3133	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG4761		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 56 v						75 v	175 옴
1N4732CP/TR8	-	RFQ	3780	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4732		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v						4.7 v	8 옴
MS110/TR12	-	RFQ	9407	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	MS110	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)			100 v		830 mv @ 1 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N5258A (DO-35)	-	RFQ	9112	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5258		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 200 ma		100 na @ 27 v						36 v	70 옴
1N5937dg	8.2950	RFQ	3697	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5937		1.25 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 25.1 v						33 v	33 옴
1N5913P/TR12	-	RFQ	9878	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5913		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000						1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v						3.3 v	10 옴
SMAJ5954E3/TR13	-	RFQ	4410	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5954		3 w	DO-214AC (SMAJ)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	7,500						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 121.6 v						160 v	700 옴
1N5385E3/tr12	-	RFQ	1241	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5385		5 w	T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 122 v						170 v	380 옴
3EZ3.9DE3/TR8	-	RFQ	9313	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ3.9		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		80 µa @ 1 v						3.9 v	4.5 옴
1N5954bg	3.4050	RFQ	4753	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5954		1.25 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 121.6 v						160 v	700 옴
SMBG4758A/TR13	-	RFQ	1852	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG4758		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 42.6 v						56 v	110 옴
MRF5812G	-	RFQ	2881	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			1.25W	도 8-	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0075	2,500		13dB ~ 15.5dB										15V	200ma			NPN	50 @ 50MA, 5V	5GHz	2DB ~ 3db @ 500MHz
3EZ8.2d10/tr8	-	RFQ	8296	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ8.2		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 6 v						8.2 v	2.3

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (6716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²