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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1 PMT5919E3/TR7 | - |  | 3808 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5919 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 3 v | 5.6 v | 2 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5363E3/tr12 | - | | 2667 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5363 | 5 w | T-18 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 21.6 v | 30 v | 8 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ17D10E3/TR8 | - | | 1942 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ17 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 13 v | 17 v | 6 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5956bp/tr12 | - | | 5010 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5956 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 152 v | 200 v | 1200 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | aptm10tdum19pg | - | | 9406 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM10 | MOSFET (금속 (() | 208W | SP6-P | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 100V | 70A | 21mohm @ 35a, 10V | 4V @ 1MA | 200nc @ 10v | 5100pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | APTGT100DSK60T3G | - | | 7545 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | 340 W. | 기준 | SP3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 이중 이중 헬기 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V, 100A | 250 µA | 예 | 6.1 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MDS1100 | - | | 1004 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 55TU-1 | 8750W | 55TU-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 8.9dB | 65V | 100A | NPN | 20 @ 5a, 5V | 1.03GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4681 (DO35) | - | | 1286 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N4681 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 2 µa @ 1 v | 2.4 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1 PMT5924/TR13 | - | | 3625 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5924 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 7 v | 9.1 v | 4 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FST63100 | - | | 8805 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | 3-sip 모듈 | Schottky | 3 작은 작은 작은, 미니 핀 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 30A | 820 MV @ 30 a | 1.5 ma @ 100 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5917PE3/TR12 | - | | 5279 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5917 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 1.5 v | 4.7 v | 5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ43DE3/TR8 | - | | 7569 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ43 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 32.7 v | 43 v | 35 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANSR2N2221AUB | 135.1908 | | 8147 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 쟁반 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2221 | 500MW | ub | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBG4753C/TR13 | - | | 5143 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG4753 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 27.4 v | 36 v | 50 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5386CE3/tr8 | - | | 5323 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5386 | 5 w | T-18 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 130 v | 180 v | 430 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ100D10/TR12 | - | | 1668 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ100 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 76 v | 100 v | 160 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ16D5E3/TR8 | - | | 1092 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ16 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 12.2 v | 16 v | 5.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ62DE3/TR12 | - | | 8019 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ62 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 47.1 v | 62 v | 60 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2472 | - | | 4268 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | M112 | 1350W | M112 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 5.6dB | 65V | 40a | NPN | 5 @ 250ma, 5V | 1.025GHz ~ 1.15GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ30D5 | - | | 2435 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ30 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 22.5 v | 30 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| UFR8520R | 148.2150 | | 1453 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | UFR8520 | 기준 | DO-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 975 MV @ 85 a | 50 ns | 50 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 85A | 675pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF553T | - | | 3388 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 파워 파워 | 3W | 파워 파워 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 11.5dB | 16V | 500ma | NPN | 30 @ 250ma, 5V | 175MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5915PE3/TR12 | - | | 7365 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5915 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µa @ 1 v | 3.9 v | 7.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5811/tr | 7.4400 | | 2554 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | b, 축 | 1N5811 | 기준 | b, 축 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | 5 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5229A (DO-35) | 1.6400 | | 11 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5229 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 22 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ200D5E3/TR8 | - | | 7330 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ200 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 152 v | 200 v | 900 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5335/tr8 | - | | 5871 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5335 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 50 µa @ 1 v | 3.9 v | 2 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBJ5334CE3/TR13 | - | | 3147 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5334 | 5 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 150 µa @ 1 v | 3.6 v | 2.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ5334A/TR13 | - | | 7779 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5334 | 5 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 150 µa @ 1 v | 3.6 v | 2.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5375E3/tr12 | - | | 2722 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5375 | 5 w | T-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 59 v | 82 v | 64 옴 |
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