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불연속 불연속 제품 (6716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
3EZ22D2E3/TR8	-	RFQ	2018	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ22		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 16.7 v	22 v	8 옴
1N4739 g	-	RFQ	4242	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4739		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 200 ma	10 µa @ 7 v	9.1 v	5 옴
1N5382C/TR8	-	RFQ	1280	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5382		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,000																1.2 v @ 1 a	500 NA @ 101 v	140 v	230 옴
2N6798U	-	RFQ	5073	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	18-CLCC		MOSFET (금속 (()		18-ULCC (9.14x7.49)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	200 v	5.5A (TC)	10V	400mohm @ 3.5a, 10V	4V @ 250µA	5.29 NC @ 10 v	± 20V		-	800MW (TA), 25W (TC)
3EZ30D5/TR12	-	RFQ	4443	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ30		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 22.5 v	30 v	16 옴
3EZ7.5D2E3/TR8	-	RFQ	4213	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ7.5		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 5 v	7.5 v	2 옴
3EZ43D10/TR8	-	RFQ	5249	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ43		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 32.7 v	43 v	33 옴
APTM120SK15G	-	RFQ	2674	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP6		MOSFET (금속 (()		SP6	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	1200 v	60A (TC)	10V	175mohm @ 30a, 10V	5V @ 10MA	748 NC @ 10 v	± 30V	20600 pf @ 25 v	-	1250W (TC)
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SMAJ4478E3/TR13	-	RFQ	7172	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA			1.5 w	DO-214AC (SMAJ)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma	50 NA @ 28.8 v	36 v	27
3EZ14D10E3/TR8	-	RFQ	3295	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ14		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 10.6 v	14 v	5 옴
CPT60145A	-	RFQ	4593	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	TO-244AB		Schottky		TO-244AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 양극 양극 공통	45 v	300A	650 mV @ 300 a	8 ma @ 45 v
1N5927dg	7.5450	RFQ	6084	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5927		1.25 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1																1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 9.1 v	12 v	6.5 옴
SMBG5918CE3/TR13	-	RFQ	9047	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5918		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000																1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 2 v	5.1 v	4 옴
1N5334C/TR8	-	RFQ	4851	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5334		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,000																1.2 v @ 1 a	150 µa @ 1 v	3.6 v	2.5 옴
SMAJ5949E3/TR13	-	RFQ	1248	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SMAJ5949		3 w	DO-214AC (SMAJ)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 76 v	100 v	250 옴
APT47N65SCS3G	-	RFQ	1612	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		-	APT47N65	-		-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		-		-	10V	-	-		± 20V		-	417W (TC)
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1 PMT5914CE3/TR13	-	RFQ	6985	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5914		3 w	DO-216AA	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	12,000																1.2 v @ 200 ma	75 µa @ 1 v	3.6 v	9 옴
1N5338B/TR8	-	RFQ	4330	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5338		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,000																1.2 v @ 1 a	1 µa @ 1 v	5.1 v	1.5 옴
3EZ9.1D2/TR12	-	RFQ	4614	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ9.1		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000																1.2 v @ 200 ma	3 µa @ 7 v	9.1 v	2.5 옴
2EZ15DE3/TR8	-	RFQ	4881	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ15		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																1.2 v @ 200 ma	500 NA @ 11.4 v	15 v	7 옴
1N5954CPE3/TR8	-	RFQ	8436	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5954		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 121.6 v	160 v	700 옴
MSCD70-16	-	RFQ	3490	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	D1		기준		D1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	짐												1 연결 연결 시리즈	1600 v	70A	1.48 V @ 200 a	5 ma @ 1600 v
UZ5840	32.5650	RFQ	3892	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	축	UZ5840		5 w	-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1																	5 µa @ 28.8 v	40 v	14 옴
1N4732CP/TR8	-	RFQ	3780	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4732		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																1.2 v @ 200 ma	10 µa @ 1 v	4.7 v	8 옴
NSA2048	-	RFQ	9162	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는									-	rohs 비준수	1 (무제한)		귀 99	8541.30.0080	1
1N5947AP/TR8	-	RFQ	9147	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5947		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500																1.2 v @ 200 ma	1 µa @ 62.2 v	82 v	160 옴
1N4104 (DO35)	-	RFQ	8009	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4104		400MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1																1 v @ 200 ma	1 µa @ 7.6 v	10 v	200 옴
MSKD165-12	-	RFQ	1461	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	D2		기준		SD2	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	짐												1 음극 음극 공통	1200 v	165a	1.4 V @ 300 a	9 ma @ 1200 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (6716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²