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불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
APT35SM70B Microsemi Corporation APT35SM70B -
RFQ
 ECAD 9262 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 700 v 35A (TC) 20V 145mohm @ 10a, 20V 2.5V @ 1mA 67 NC @ 20 v +25V, -10V 1035 pf @ 700 v - 176W (TC)
MRF5812G Microsemi Corporation MRF5812G -
RFQ
 ECAD 2881 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 1.25W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 2,500 13dB ~ 15.5dB 15V 200ma NPN 50 @ 50MA, 5V 5GHz 2DB ~ 3db @ 500MHz
SD1444 Microsemi Corporation SD1444 -
RFQ
 ECAD 6460 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 5W To-39 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 8db 16V 400ma NPN 20 @ 50MA, 5V 450MHz ~ 512MHz -
SMBJ5916A/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5916A/TR13 -
RFQ
 ECAD 9452 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5916 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.3 v 6 옴
SK35/TR13 Microsemi Corporation SK35/TR13 -
RFQ
 ECAD 3052 0.00000000 Microsemi Corporation * 테이프 & tr (TR) 활동적인 SK35 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000
FST16050 Microsemi Corporation FST16050 -
RFQ
 ECAD 2094 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 to-249aa 9 된베이스 된베이스 Schottky TO-249 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 80a 740 mV @ 80 a 2 ma @ 50 v
APTJC120AM25VCT1AG Microsemi Corporation APTJC120AM25VCT1AG -
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - - - APTJC120 - - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 7 - - - - - - - -
2EZ150D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ150D5E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 5489 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ150 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 114 v 150 v 575 옴
JANS2N2221AUBC Microsemi Corporation JANS2N2221AUBC 130.9606
RFQ
 ECAD 1829 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/255 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N2221 500MW 3-smd 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
SMBG4764E3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4764E3/TR13 -
RFQ
 ECAD 4477 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4764 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 76 v 100 v 350 옴
1N5954BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5954BE3/tr13 -
RFQ
 ECAD 9619 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5954 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 121.6 v 160 v 700 옴
SMBJ5336C/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5336C/TR13 -
RFQ
 ECAD 1396 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5336 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 1 v 4.3 v 2 옴
SMAJ4470E3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ4470E3/TR13 -
RFQ
 ECAD 1887 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1.5 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 50 na @ 12.8 v 16 v 10 옴
3EZ33D/TR8 Microsemi Corporation 3EZ33D/TR8 -
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ33 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 25.1 v 33 v 20 옴
1N5950APE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5950APE3/tr12 -
RFQ
 ECAD 3168 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5950 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 83.6 v 110 v 300 옴
3EZ91D5/TR8 Microsemi Corporation 3EZ91D5/TR8 -
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ91 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 69.2 v 91 v 115 옴
2EZ11D5/TR12 Microsemi Corporation 2EZ11D5/TR12 -
RFQ
 ECAD 5737 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ11 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 8.4 v 11 v 4 옴
1N821A (DO35) Microsemi Corporation 1N821A (DO35) -
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N821 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.2 v 10 옴
2EZ4.7D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ4.7D/TR8 -
RFQ
 ECAD 2271 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ4.7 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 4.7 v 4.5 옴
UFR8510 Microsemi Corporation UFR8510 148.2150
RFQ
 ECAD 3704 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 UFR8510 기준 DO-5 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 975 MV @ 85 a 50 ns 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C - 675pf @ 10V, 1MHz
2EZ47D2/TR8 Microsemi Corporation 2EZ47D2/TR8 -
RFQ
 ECAD 7006 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ47 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 35.8 v 47 v 40
2EZ16D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ16D/TR8 -
RFQ
 ECAD 3675 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ16 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 12.2 v 16 v 8 옴
2EZ43D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ43D/TR8 -
RFQ
 ECAD 2648 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ43 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 32.7 v 43 v 35 옴
2N2221AUA Microsemi Corporation 2N2221AUA 14.7763
RFQ
 ECAD 7150 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD 2N2221 650 MW 4-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
APTM100DDA35T3G Microsemi Corporation APTM100DDA35T3G -
RFQ
 ECAD 8780 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTM100 MOSFET (금속 (() 390W SP3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 1000V (1KV) 22A 420mohm @ 11a, 10V 5V @ 2.5MA 186NC @ 10V 5200pf @ 25V -
1PMT5914B/TR7 Microsemi Corporation 1 PMT5914B/TR7 -
RFQ
 ECAD 7452 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5914 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 3.6 v 9 옴
1EZ160D10E3/TR12 Microsemi Corporation 1EZ160D10E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 8791 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ160 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 121.6 v 160 v 1400 옴
62091B Microsemi Corporation 62091B -
RFQ
 ECAD 6122 0.00000000 Microsemi Corporation * 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
1N5950CE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5950CE3/tr13 -
RFQ
 ECAD 9343 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5950 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 83.6 v 110 v 300 옴
3EZ150D5/TR12 Microsemi Corporation 3EZ150D5/TR12 -
RFQ
 ECAD 6059 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ150 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 114 v 150 v 550 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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