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불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce
APT40GP60SG Microsemi Corporation APT40GP60SG -
RFQ
 ECAD 1746 0.00000000 Microsemi Corporation Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT40GP60 기준 543 w D3 [S] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 40A, 5ohm, 15V Pt 600 v 100 a 160 a 2.7V @ 15V, 40A 385µJ (on), 352µJ (OFF) 135 NC 20ns/64ns
NSA2048 Microsemi Corporation NSA2048 -
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1
2EZ14DE3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ14DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ14 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 10.6 v 14 v 5.5 옴
SMBG4744CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4744CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4744 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
1N4763APE3/TR12 Microsemi Corporation 1N4763APE3/tr12 -
RFQ
 ECAD 1011 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4763 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
2EZ36D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ36D10/TR12 -
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ36 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 27.4 v 36 v 25 옴
SMBG4741AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4741AE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 3982 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4741 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 8 옴
3EZ120DE3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ120DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 3035 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ120 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 91.2 v 120 v 300 옴
2EZ43D2/TR12 Microsemi Corporation 2EZ43D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 5794 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ43 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 32.7 v 43 v 35 옴
SMBJ4762CE3/TR13 Microsemi Corporation smbj4762ce3/tr13 -
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ4762 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 62.2 v 82 v 200 옴
2EZ24D5/TR8 Microsemi Corporation 2EZ24D5/TR8 -
RFQ
 ECAD 7868 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ24 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 18.2 v 24 v 13 옴
JANTX1N4987D Microsemi Corporation jantx1n4987d 29.4600
RFQ
 ECAD 5325 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 1N4987 5 w e, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 121.6 v 160 v 350 옴
2EZ16D10/TR8 Microsemi Corporation 2EZ16D10/TR8 -
RFQ
 ECAD 1031 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ16 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 12.2 v 16 v 8 옴
JAN2N6764T1 Microsemi Corporation JAN2N6764T1 -
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/543 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) MOSFET (금속 (() TO-254AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 38A (TC) 10V 65mohm @ 38a, 10V 4V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
1PMT5922A/TR7 Microsemi Corporation 1 PMT5922A/TR7 -
RFQ
 ECAD 4651 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5922 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6 v 7.5 v 3 옴
3EZ3.9D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ3.9D5E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 8756 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ3.9 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 80 µa @ 1 v 3.9 v 4.5 옴
MSDT200-16 Microsemi Corporation MSDT200-16 -
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 M5 모듈 다리, 3 상 -Scrs/다이오드 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 1.6kV 3 v 1900a @ 50Hz 150 MA 200a 1 scr, 6 다이오드
3EZ33D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ33D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 8527 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ33 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 25.1 v 33 v 20 옴
APTGF300SK120D3G Microsemi Corporation APTGF300SK120D3G -
RFQ
 ECAD 1307 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 D-3 모듈 2100 w 기준 D3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 NPT 1200 v 420 a 3.7V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 19 nf @ 25 v
MS1801 Microsemi Corporation MS1801 -
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
1PMT5916C/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5916C/TR13 -
RFQ
 ECAD 3279 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5916 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 6 옴
JANTXV1N6626U Microsemi Corporation jantxv1n6626u 24.8100
RFQ
 ECAD 3813 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/590 대부분 활동적인 표면 표면 SQ-Mell, e 1N6626 기준 D-5B - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.35 V @ 2 a 30 ns 2 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.75A -
1N5945CG Microsemi Corporation 1N5945cg 6.7950
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5945 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51.2 v 68 v 120 옴
APT18M80S Microsemi Corporation APT18M80S -
RFQ
 ECAD 1610 0.00000000 Microsemi Corporation MOS 8 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB APT18M80 MOSFET (금속 (() d3pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 19A (TC) 10V 530mohm @ 9a, 10V 5V @ 1MA 120 nc @ 10 v ± 30V 3760 pf @ 25 v - 500W (TC)
1N5335B Microsemi Corporation 1N5335B -
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5335 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 50 µa @ 1 v 3.9 v 2 옴
APTGF50H60T2G Microsemi Corporation APTGF50H60T2G -
RFQ
 ECAD 3207 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP3 250 W. 기준 SP3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 인버터 NPT 600 v 65 a 2.45V @ 15V, 50A 250 µA 예 2.2 NF @ 25 v
1N5916BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5916BE3/tr13 -
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5916 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 6 옴
61074 Microsemi Corporation 61074 -
RFQ
 ECAD 5014 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 적용 적용 수 할 쓸모없는 0000.00.0000 1
1N5913AP/TR12 Microsemi Corporation 1N5913AP/TR12 -
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5913 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
2EZ14D5 Microsemi Corporation 2EZ14D5 -
RFQ
 ECAD 2914 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ14 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 10.6 v 14 v 5.5 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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