SIC
close

불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
2N7227U Microsemi Corporation 2N7227U -
RFQ
 ECAD 7513 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-267AB MOSFET (금속 (() TO-267AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 400 v 14A (TC) 10V 315mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
MSAD60-16 Microsemi Corporation MSAD60-16 -
RFQ
 ECAD 7134 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D1 기준 D1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1 양극 양극 공통 1600 v 60a 1.3 V @ 200 a 5 ma @ 1600 v
APT2X20DC60J Microsemi Corporation APT2X20DC60J -
RFQ
 ECAD 9712 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 섀시 섀시 동위 동위 APT2X20 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 600 v 20A 1.8 V @ 20 a 0 ns 400 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C
1N5951AP/TR8 Microsemi Corporation 1N5951AP/TR8 -
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5951 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91.2 v 120 v 380 옴
APTGT150DU170G Microsemi Corporation aptgt150du170g -
RFQ
 ECAD 6379 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 890 W. 기준 SP6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 이중, 소스 일반적인 트렌치 트렌치 정지 1700 v 250 a 2.4V @ 15V, 150A 350 µA 아니요 13.5 nf @ 25 v
SMAJ5949E3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5949E3/TR13 -
RFQ
 ECAD 1248 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5949 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 76 v 100 v 250 옴
APTM120SK15G Microsemi Corporation APTM120SK15G -
RFQ
 ECAD 2674 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 MOSFET (금속 (() SP6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 60A (TC) 10V 175mohm @ 30a, 10V 5V @ 10MA 748 NC @ 10 v ± 30V 20600 pf @ 25 v - 1250W (TC)
3EZ33D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ33D5E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 1177 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ33 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 25.1 v 33 v 20 옴
54006H Microsemi Corporation 54006H -
RFQ
 ECAD 6794 0.00000000 Microsemi Corporation * 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
UFT7260SM6A Microsemi Corporation UFT7260SM6A -
RFQ
 ECAD 7619 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 기준 기준 기준 sm6 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 600 v 35a 1.35 V @ 35 a 75 ns 25 µa @ 600 v
2EZ11D10E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ11D10E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 9850 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ11 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 8.4 v 11 v 4 옴
1N5334CE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5334CE3/tr12 -
RFQ
 ECAD 1197 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5334 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 150 µa @ 1 v 3.6 v 2.5 옴
2EZ3.6D2/TR12 Microsemi Corporation 2EZ3.6D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 4859 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ3.6 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 80 µa @ 1 v 3.6 v 5 옴
SMBG5939BE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5939BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 6279 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5939 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 29.7 v 39 v 45 옴
APTML60U12R020T1AG Microsemi Corporation APTML60U12R020T1AG -
RFQ
 ECAD 9180 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 MOSFET (금속 (() SP1 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 45A (TC) 10V 150mohm @ 22.5a, 10V 4V @ 2.5MA ± 30V 7600 pf @ 25 v - 568W (TC)
SMBG5934A/TR13 Microsemi Corporation SMBG5934A/TR13 -
RFQ
 ECAD 2983 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5934 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18.2 v 24 v 19 옴
3EZ190D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ190D5E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ190 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 144.8 v 190 v 800 옴
SMBG4732C/TR13 Microsemi Corporation SMBG4732C/TR13 -
RFQ
 ECAD 3605 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4732 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
SMBG5923B/TR13 Microsemi Corporation SMBG5923B/TR13 -
RFQ
 ECAD 8466 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5923 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6.5 v 8.2 v 3.5 옴
JANTX2N5015 Microsemi Corporation JANTX2N5015 -
RFQ
 ECAD 9950 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/727 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 1 W. To-5 - rohs 비준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 1 1000 v 200 MA 10NA (ICBO) NPN 30 @ 20MA, 10V -
SMBG5944CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5944CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 3179 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5944 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
1N4755A G Microsemi Corporation 1N4755A g -
RFQ
 ECAD 7552 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4755 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 32.7 v 43 v 70 옴
MS1015 Microsemi Corporation MS1015 -
RFQ
 ECAD 4694 0.00000000 Microsemi Corporation * 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
3EZ6.8D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ6.8D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 3154 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ6.8 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.8 v 2 옴
SDM30004 Microsemi Corporation SDM30004 -
RFQ
 ECAD 7378 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 400 v 1.1 v @ 300 a 75 µa @ 400 v 300A -
APTC60AM83BC1G Microsemi Corporation APTC60AM83BC1G -
RFQ
 ECAD 8492 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTC60 MOSFET (금속 (() 250W SP1 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 3 n 채널 (채널 레그 + 부스트 헬기 헬기) 600V 36a 83mohm @ 24.5a, 10V 5V @ 3MA 250NC @ 10V 7200pf @ 25v 슈퍼 슈퍼
2N2323U4 Microsemi Corporation 2N2323U4 -
RFQ
 ECAD 2875 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/276 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 3-smd,, 없음 U4 - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 2 MA 50 v 800 MV - 200 µA 220 MA 민감한 민감한
CPT30060 Microsemi Corporation CPT30060 -
RFQ
 ECAD 6121 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 MD3CC Schottky 트윈 트윈 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 150a 820 MV @ 200 a 4 ma @ 60 v
1N4761AE3/TR13 Microsemi Corporation 1N4761AE3/tr13 -
RFQ
 ECAD 9743 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4761 1 W. DO-204AL (DO-41) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 56 v 75 v 175 옴
SMBJ5383AE3/TR13 Microsemi Corporation smbj5383ae3/tr13 -
RFQ
 ECAD 3071 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5383 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 108 v 150 v 330 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다