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불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr scrs, 수 다이오드 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
1N4739 G Microsemi Corporation 1N4739 g -
RFQ
 ECAD 4242 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4739 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
1N5382C/TR8 Microsemi Corporation 1N5382C/TR8 -
RFQ
 ECAD 1280 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5382 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 101 v 140 v 230 옴
2N6798U Microsemi Corporation 2N6798U -
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-CLCC MOSFET (금속 (() 18-ULCC (9.14x7.49) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 5.5A (TC) 10V 400mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 5.29 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 25W (TC)
3EZ20D2/TR8 Microsemi Corporation 3EZ20D2/TR8 -
RFQ
 ECAD 2128 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ20 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 15.2 v 20 v 7 옴
SMAJ4478E3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ4478E3/TR13 -
RFQ
 ECAD 7172 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1.5 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 50 NA @ 28.8 v 36 v 27
3EZ14D10E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ14D10E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ14 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 10.6 v 14 v 5 옴
1N5927DG Microsemi Corporation 1N5927dg 7.5450
RFQ
 ECAD 6084 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5927 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 6.5 옴
SMBG5918CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5918CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 9047 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5918 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 4 옴
APT47N65SCS3G Microsemi Corporation APT47N65SCS3G -
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - APT47N65 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - 10V - - ± 20V - 417W (TC)
1N5230A (DO-35) Microsemi Corporation 1N5230A (DO-35) -
RFQ
 ECAD 4287 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5230 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 50 µa @ 1.9 v 4.7 v 19 옴
1PMT5914CE3/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5914CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 6985 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5914 3 w DO-216AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 3.6 v 9 옴
1N5338B/TR8 Microsemi Corporation 1N5338B/TR8 -
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5338 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 1 v 5.1 v 1.5 옴
3EZ9.1D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ9.1D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 4614 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ9.1 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 2.5 옴
2EZ15DE3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ15DE3/TR8 -
RFQ
 ECAD 4881 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ15 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 11.4 v 15 v 7 옴
1N5954CPE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5954CPE3/TR8 -
RFQ
 ECAD 8436 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5954 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 121.6 v 160 v 700 옴
MSCD70-16 Microsemi Corporation MSCD70-16 -
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D1 기준 D1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1 연결 연결 시리즈 1600 v 70A 1.48 V @ 200 a 5 ma @ 1600 v
UZ5840 Microsemi Corporation UZ5840 32.5650
RFQ
 ECAD 3892 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 축 UZ5840 5 w - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 28.8 v 40 v 14 옴
1N4732CP/TR8 Microsemi Corporation 1N4732CP/TR8 -
RFQ
 ECAD 3780 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4732 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 8 옴
1N5947AP/TR8 Microsemi Corporation 1N5947AP/TR8 -
RFQ
 ECAD 9147 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5947 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 62.2 v 82 v 160 옴
1N4104 (DO35) Microsemi Corporation 1N4104 (DO35) -
RFQ
 ECAD 8009 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4104 400MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 1 µa @ 7.6 v 10 v 200 옴
SMBJ5953BE3/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5953BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 8233 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5953 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 114 v 150 v 600 옴
2EZ19D5DO41E3 Microsemi Corporation 2EZ19D5DO41E3 -
RFQ
 ECAD 4888 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ19 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 14.4 v 19 v 11 옴
APTC90DAM60T1G Microsemi Corporation APTC90DAM60T1G -
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 MOSFET (금속 (() SP1 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 900 v 59A (TC) 10V 60mohm @ 52a, 10V 3.5V @ 6MA 540 nc @ 10 v ± 20V 13600 pf @ 100 v - 462W (TC)
JANTX2N3811L Microsemi Corporation Jantx2N3811L -
RFQ
 ECAD 6178 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/336 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N3811 350MW To-78-6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60V 50ma 10µA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 100µa, 1ma 300 @ 1ma, 5V -
SMAJ5951E3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5951E3/TR13 -
RFQ
 ECAD 6981 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5951 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91.2 v 120 v 380 옴
1N5347A/TR8 Microsemi Corporation 1N5347A/TR8 -
RFQ
 ECAD 7595 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5347 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 7.2 v 10 v 2 옴
UFT12780A Microsemi Corporation UFT12780A -
RFQ
 ECAD 6335 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 800 v 60a 1.35 V @ 60 a 80 ns 30 µa @ 800 v
SMBG4759C/TR13 Microsemi Corporation SMBG4759C/TR13 -
RFQ
 ECAD 1235 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4759 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 47.1 v 62 v 125 옴
MSTC110-16 Microsemi Corporation MSTC110-16 -
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) 나사 나사 기준 기준 시리즈 시리즈 - 연결 scr 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 250 MA 1.6kV 3 v 2250A @ 50Hz 150 MA 110 a 2 scrs
2EZ7.5D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ7.5D5E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 4126 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ7.5 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 5 v 7.5 v 2 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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