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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 얻다 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id VGS (Max) FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
1N4104 (DO35) Microsemi Corporation 1N4104 (DO35) -
RFQ
ECAD 8009 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4104 400MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 1 µa @ 7.6 v 10 v 200 옴
SMBG5918CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5918CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 9047 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5918 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 4 옴
1N5954CPE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5954CPE3/TR8 -
RFQ
ECAD 8436 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5954 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 121.6 v 160 v 700 옴
1PMT5914CE3/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5914CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 6985 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5914 3 w DO-216AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 75 µa @ 1 v 3.6 v 9 옴
1N5383C/TR8 Microsemi Corporation 1N5383C/TR8 -
RFQ
ECAD 5631 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5383 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 108 v 150 v 330 옴
3EZ110D10/TR8 Microsemi Corporation 3EZ110D10/TR8 -
RFQ
ECAD 5958 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ110 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 83.6 v 110 v 225 옴
2EZ47DE3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ47DE3/TR12 -
RFQ
ECAD 4938 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ47 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 35.8 v 47 v 40
3EZ20D5E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ20D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 9246 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ20 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 15.2 v 20 v 7 옴
D16-4148E3/TU Microsemi Corporation D16-4148E3/TU -
RFQ
ECAD 9214 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) 기준 16-DIP - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 8 독립 100 v - 1.2 v @ 100 ma 5 ns 100 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
2EZ140D10E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ140D10E3/TR12 -
RFQ
ECAD 2402 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ140 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 106.4 v 140 v 500 옴
3EZ15D10/TR12 Microsemi Corporation 3EZ15D10/TR12 -
RFQ
ECAD 1660 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ15 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 11.4 v 15 v 5.5 옴
1N4105 (DO35) Microsemi Corporation 1N4105 (DO35) -
RFQ
ECAD 8602 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4105 400MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 50 NA @ 8.44 v 11 v 200 옴
3EZ14D5E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ14D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 6613 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ14 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 10.6 v 14 v 5 옴
1N5916CP/TR8 Microsemi Corporation 1N5916CP/TR8 -
RFQ
ECAD 5052 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5916 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 6 옴
1N5955BG Microsemi Corporation 1N5955bg 3.4050
RFQ
ECAD 2351 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5955 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 136.8 v 180 v 900 옴
1N5384C/TR8 Microsemi Corporation 1N5384C/TR8 -
RFQ
ECAD 3654 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5384 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 115 v 160 v 350 옴
3EZ18D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ18D/TR12 -
RFQ
ECAD 1556 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ18 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 13.7 v 18 v 6 옴
JANTX1N4972CUS Microsemi Corporation jantx1n4972cus 24.6000
RFQ
ECAD 4670 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4972 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 29.7 v 39 v 14 옴
2EZ5.6D2E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ5.6D2E3/TR12 -
RFQ
ECAD 6937 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ5.6 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.6 v 2.5 옴
JANTX1N4957DUS Microsemi Corporation jantx1n4957dus 32.2500
RFQ
ECAD 3510 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4957 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 25 µa @ 6.9 v 9.1 v 2 옴
3EZ150D2E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ150D2E3/TR12 -
RFQ
ECAD 9537 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ150 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 114 v 150 v 550 옴
SMBJ5378BE3/TR13 Microsemi Corporation smbj5378be3/tr13 -
RFQ
ECAD 7822 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5378 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 72 v 100 v 90 옴
MS1076 Microsemi Corporation MS1076 -
RFQ
ECAD 1827 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 200 ° C (TJ) 섀시 섀시 M174 320W M174 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 12db 35V 16A NPN 15 @ 7a, 5V 30MHz -
1PMT5916B/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5916B/TR13 -
RFQ
ECAD 8973 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5916 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 6 옴
2EZ15DE3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ15DE3/TR8 -
RFQ
ECAD 4881 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ15 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 11.4 v 15 v 7 옴
APT47N65SCS3G Microsemi Corporation APT47N65SCS3G -
RFQ
ECAD 1612 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - APT47N65 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - 10V - - ± 20V - 417W (TC)
SMBJ5335BE3/TR13 Microsemi Corporation smbj5335be3/tr13 -
RFQ
ECAD 8791 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5335 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 50 µa @ 1 v 3.9 v 2 옴
UFT12780A Microsemi Corporation UFT12780A -
RFQ
ECAD 6335 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 800 v 60a 1.35 V @ 60 a 80 ns 30 µa @ 800 v
1N5347A/TR8 Microsemi Corporation 1N5347A/TR8 -
RFQ
ECAD 7595 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5347 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 7.2 v 10 v 2 옴
MS1645 Microsemi Corporation MS1645 -
RFQ
ECAD 6010 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 300 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 670 mV @ 16 a 250 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 16A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고