전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | jantx2n6768t1 | - | ![]() | 3679 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/543 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | MOSFET (금속 (() | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 400 v | 14A (TC) | 10V | 400mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | APT58M50JCU3 | - | ![]() | 6986 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | MOS 8 ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | MOSFET (금속 (() | SOT-227 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 58A (TC) | 10V | 65mohm @ 42a, 10V | 5V @ 2.5MA | 340 nc @ 10 v | ± 30V | 10800 pf @ 25 v | - | 543W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5924BE3/TR7 | - | ![]() | 6218 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5924 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 7 v | 9.1 v | 4 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5221BDO35E3 | - | ![]() | 2850 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5221 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 µa @ 1 v | 2.4 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ10D2/TR12 | - | ![]() | 7512 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ10 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µa @ 7.6 v | 10 v | 3.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C2329 | - | ![]() | 4055 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | - | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ4.7D2/TR12 | - | ![]() | 6338 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ4.7 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 20 µa @ 1 v | 4.7 v | 4 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ130D5E3/TR12 | - | ![]() | 1558 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ130 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 98.8 v | 130 v | 375 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5383B/TR12 | - | ![]() | 3026 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5383 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 108 v | 150 v | 330 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FST153100A | - | ![]() | 8165 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | TO-249-9, TO-249AA 변형 | Schottky | TO-249 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 양극 양극 공통 | 100 v | 75a | 940 MV @ 75 a | 1.5 ma @ 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5386A/TR8 | - | ![]() | 1614 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5386 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 130 v | 180 v | 430 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ150D10E3/TR8 | - | ![]() | 9905 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1EZ150 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 114 v | 150 v | 1300 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ120D5E3/TR12 | - | ![]() | 6570 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1EZ120 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 91.2 v | 120 v | 710 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ11D10/TR8 | - | ![]() | 8762 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ11 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 8.4 v | 11 v | 4 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ12D5E3/TR8 | - | ![]() | 5177 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ12 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 4.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ13D/TR12 | - | ![]() | 6453 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ13 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | lx7710mdwc-v | - | ![]() | 4708 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 20-CSOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | LX7710 | 기준 | 20 CSOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 8 연결 연결 시리즈 | 140 v | 1A (DC) | 2.08 V @ 700 ma | 100 na @ 75 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR92ALT1 | - | ![]() | 3762 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 273MW | SOT-23 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | - | 15V | 25MA | - | 40 @ 14ma, 10V | 4.5GHz | 3DB @ 500MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx1n4979d | 29.4600 | ![]() | 5377 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4979 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 56 v | 75 v | 55 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5948bp/tr8 | - | ![]() | 7141 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5948 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 69.2 v | 91 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
jantx1n4976cus | 24.6000 | ![]() | 8078 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4976 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 42.6 v | 56 v | 35 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4482E3/TR13 | - | ![]() | 10000 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 1.5 w | DO-214AC (SMAJ) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 50 NA @ 40.8 v | 51 v | 60 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5223A (DO-35) TR | - | ![]() | 5269 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 가방 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5223 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,021 | 1.5 v @ 200 ma | 75 µa @ 1 v | 2.7 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ91D2/TR8 | - | ![]() | 5963 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ91 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 69.2 v | 91 v | 125 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5914APE3/tr12 | - | ![]() | 8601 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5914 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 75 µa @ 1 v | 3.6 v | 9 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5338A/TR13 | - | ![]() | 7444 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5338 | 5 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 1 v | 5.1 v | 1.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ170D10E3/TR8 | - | ![]() | 6520 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ170 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 130.4 v | 170 v | 675 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5337B | - | ![]() | 2650 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5337 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 5 µa @ 1 v | 4.7 v | 2 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5383B/TR8 | - | ![]() | 5492 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5383 | 5 w | T-18 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 108 v | 150 v | 330 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT14260D | - | ![]() | 3299 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 나사 나사 | to-249aa 9 된베이스 된베이스 | 기준 | TO-249 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 연결 연결 시리즈 | 600 v | 70A | 1.35 V @ 70 a | 75 ns | 25 µa @ 600 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고