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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 전압 - 테스트 | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT97N65LC6 | - |  | 1228 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | APT97N65 | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 650 v | 97A (TC) | 10V | 41mohm @ 48.5a, 10V | 3.5v @ 2.96ma | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 7650 pf @ 25 v | - | 862W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | 1EZ100D10E3/TR12 | - | | 6824 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1EZ100 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||
| VRF191 | - | | 1108 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 튜브 | 쓸모없는 | 270 v | T11 | 30MHz | MOSFET | T11 | 다운로드 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 12a | 250 MA | 150W | 22db | - | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5921A/TR7 | - | | 7891 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5921 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 5.2 v | 6.8 v | 2.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
 | jantx1n4971dus | 30.7500 | | 8975 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4971 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 27.4 v | 36 v | 11 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| SMBG4750C/TR13 | - | | 4457 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG4750 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 20.6 v | 27 v | 35 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ110D5DO41E3 | - | | 6396 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ110 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 83.6 v | 110 v | 250 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
 | SMAJ5954E3/TR13 | - | | 4410 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMAJ5954 | 3 w | DO-214AC (SMAJ) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 121.6 v | 160 v | 700 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
| SMBG5930B/TR13 | - | | 5563 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5930 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 12.2 v | 16 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| APTC90AM602G | - | | 5744 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP2 | APTC90 | MOSFET (금속 (() | 462W | SP2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 교량) | 900V | 59a | 60mohm @ 52a, 10V | 3.5V @ 6MA | 540NC @ 10V | 13600pf @ 100v | 슈퍼 슈퍼 | |||||||||||||||||||||||
| 3EZ68D/TR12 | - | | 6350 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ68 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 51.7 v | 68 v | 70 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5947p/tr8 | - | | 8902 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5947 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 62.2 v | 82 v | 160 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ140D2/TR12 | - | | 9103 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ140 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 106.4 v | 140 v | 475 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| MSAD70-16 | - | | 3104 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | D1 | 기준 | D1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1 양극 양극 공통 | 1600 v | 70A | 1.48 V @ 200 a | 5 ma @ 1600 v | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ20D/TR12 | - | | 1723 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ20 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 15.2 v | 20 v | 11 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5382AE3/tr8 | - | | 9782 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | T-18, 축, | 1N5382 | 5 w | T-18 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 101 v | 140 v | 230 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5525B (DO35) | - | | 4285 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5525 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 5 v | 6.2 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| 1 PMT5915BE3/TR13 | - | | 2961 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5915 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µa @ 1 v | 3.9 v | 7.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ7.5D2/TR12 | - | | 5163 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ7.5 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 5 v | 7.5 v | 2 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5954cg | 6.7950 | | 6811 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5954 | 1.25 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 121.6 v | 160 v | 700 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ160D10/TR12 | - | | 7314 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ160 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 121.6 v | 160 v | 625 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
 | FST16050D | - | | 3533 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 나사 나사 | TO-249AA | Schottky | TO-249 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 연결 연결 시리즈 | 50 v | 80a | 740 mV @ 80 a | 2 ma @ 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1EZ160D2E3/TR12 | - | | 6732 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1EZ160 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 121.6 v | 160 v | 1400 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6768 | - | | 8625 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AE | 2N6768 | MOSFET (금속 (() | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 400 v | 14A (TC) | 10V | 400mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||
| jantx1n4967d | 29.4600 | | 1636 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4967 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 18.2 v | 24 v | 5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ120D5DO41E3 | - | | 3758 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ120 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 91.2 v | 120 v | 325 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ200D10E3/TR12 | - | | 3468 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 2EZ200 | 2 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 152 v | 200 v | 900 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4966dus | 32.2500 | | 6992 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4966 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 16.7 v | 22 v | 5 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ200D10/TR12 | - | | 8537 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 3EZ200 | 3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 152 v | 200 v | 875 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N4761CPE3/TR8 | - | | 2938 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4761 | 1 W. | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 56 v | 75 v | 175 옴 |
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