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불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
1N5933DG Microsemi Corporation 1N5933dg 7.5450
RFQ
 ECAD 4685 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5933 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 16.7 v 22 v 17.5 옴
SMBG4740E3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4740E3/TR13 -
RFQ
 ECAD 1906 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4740 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
JAN1N6627U Microsemi Corporation JAN1N6627U 14.1900
RFQ
 ECAD 7306 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/590 대부분 활동적인 표면 표면 SQ-Mell, e 1N6627 기준 D-5B - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.35 V @ 2 a 30 ns 2 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.75A -
1214-55 Microsemi Corporation 1214-55 -
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 200 ° C (TJ) 섀시 섀시 55AW 175W 55AW 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 7db 50V 8a NPN 20 @ 1a, 5v 1.2GHz ~ 1.4GHz -
1N5380BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5380BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 6761 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5380 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 86.4 v 120 v 170 옴
3EZ36D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ36D5E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 3407 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ36 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 27.4 v 36 v 22 옴
1N5956BG Microsemi Corporation 1N5956BG 3.4050
RFQ
 ECAD 1691 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5956 1.25 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 152 v 200 v 1200 옴
SMBG4738E3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4738E3/TR13 -
RFQ
 ECAD 7558 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4738 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
JANTX2N7224U Microsemi Corporation jantx2n7224u -
RFQ
 ECAD 6410 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/592 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-267AB MOSFET (금속 (() TO-267AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 34A (TC) 10V 81mohm @ 34a, 10V 4V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
SMAJ5955AE3/TR13 Microsemi Corporation smaj5955ae3/tr13 -
RFQ
 ECAD 8101 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SMAJ5955 3 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 136.8 v 180 v 900 옴
1N5380CE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5380CE3/tr8 -
RFQ
 ECAD 6031 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5380 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 86.4 v 120 v 170 옴
APT2X101DL40J Microsemi Corporation APT2X101DL40J -
RFQ
 ECAD 1784 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT2X101 기준 ISOTOP® 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 400 v 100A 1.125 V @ 100 a 120 ns 500 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C
3EZ56D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ56D/TR12 -
RFQ
 ECAD 8136 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ56 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 42.6 v 56 v 50 옴
MSKD200-12 Microsemi Corporation MSKD200-12 -
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D2 기준 SD2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1 음극 음극 공통 1200 v 200a 1.3 v @ 300 a 9 ma @ 1200 v
SK35E3/TR13 Microsemi Corporation SK35E3/TR13 -
RFQ
 ECAD 6222 0.00000000 Microsemi Corporation * 테이프 & tr (TR) 활동적인 SK35 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000
1EZ160D2E3/TR8 Microsemi Corporation 1EZ160D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 1784 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ160 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 121.6 v 160 v 1400 옴
SMBJ5355B/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5355B/TR13 -
RFQ
 ECAD 3474 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5355 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 13 v 18 v 2.5 옴
3EZ43D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ43D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 5333 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ43 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 32.7 v 43 v 33 옴
FST80100A Microsemi Corporation FST80100A -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 나사 나사 TO-249AA Schottky TO-249 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 40a 820 MV @ 40 a 2 ma @ 100 v
1N4731AP/TR8 Microsemi Corporation 1N4731AP/TR8 -
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4731 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.3 v 9 옴
SMBG4741A/TR13 Microsemi Corporation SMBG4741A/TR13 -
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4741 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 8 옴
2EZ190D2/TR8 Microsemi Corporation 2EZ190D2/TR8 -
RFQ
 ECAD 6972 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ190 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 144.8 v 190 v 825 옴
2EZ36D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ36D5E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 9596 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ36 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 27.4 v 36 v 25 옴
1N5271B (DO-35) Microsemi Corporation 1N5271B (DO-35) -
RFQ
 ECAD 5494 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5271 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 76 v 100 v 500 옴
1035MP Microsemi Corporation 1035MP -
RFQ
 ECAD 2263 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 200 ° C (TJ) 섀시 섀시 55FW-1 125W 55FW-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 10dB ~ 10.5dB 65V 2.5A NPN 20 @ 100MA, 5V 1.025GHz ~ 1.15GHz -
3EZ3.9D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ3.9D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 5436 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ3.9 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 80 µa @ 1 v 3.9 v 4.5 옴
2EZ62D2E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ62D2E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 2387 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ62 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 47.1 v 62 v 60 옴
2EZ19D2/TR8 Microsemi Corporation 2EZ19D2/TR8 -
RFQ
 ECAD 4169 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ19 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 14.4 v 19 v 11 옴
3EZ6.8D10/TR12 Microsemi Corporation 3EZ6.8D10/TR12 -
RFQ
 ECAD 8423 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ6.8 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.8 v 2 옴
3EZ100D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ100D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 4726 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ100 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 76 v 100 v 160 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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