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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
2EZ6.8D2/TR12 Microsemi Corporation 2EZ6.8D2/TR12 -
RFQ
ECAD 3560 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ6.8 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.8 v 2 옴
2EZ14D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ14D/TR8 -
RFQ
ECAD 2949 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ14 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 10.6 v 14 v 5.5 옴
2EZ17D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ17D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 4550 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ17 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 13 v 17 v 9 옴
VRF2933FL Microsemi Corporation VRF2933FL -
RFQ
ECAD 7818 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 활동적인 170 v M177 VRF2933 30MHz MOSFET M177 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 - 250 MA 300W 22db - 50 v
SD1013-03 Microsemi Corporation SD1013-03 -
RFQ
ECAD 2320 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 200 ° C (TJ) 섀시 섀시 M113 13W M113 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 10db 35V 1A NPN 10 @ 200ma, 5V 150MHz -
SMBG5917BE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5917BE3/TR13 -
RFQ
ECAD 3694 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5917 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1.5 v 4.7 v 5 옴
1N5232B (DO-35) Microsemi Corporation 1N5232B (DO-35) -
RFQ
ECAD 9547 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5232 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
SMBJ5916AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5916AE3/TR13 -
RFQ
ECAD 1153 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5916 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.3 v 6 옴
JANTX1N4955DUS Microsemi Corporation jantx1n4955dus 32.2500
RFQ
ECAD 4613 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4955 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 100 µa @ 5.7 v 7.5 v 1.5 옴
3EZ17D2/TR8 Microsemi Corporation 3EZ17D2/TR8 -
RFQ
ECAD 5160 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ17 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 13 v 17 v 6 옴
3EZ39D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ39D/TR12 -
RFQ
ECAD 9306 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ39 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 29.7 v 39 v 28 옴
3EZ51D5/TR8 Microsemi Corporation 3EZ51D5/TR8 -
RFQ
ECAD 4469 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ51 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 38.8 v 51 v 48 옴
1N4895A Microsemi Corporation 1N4895A -
RFQ
ECAD 6970 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N4895 400MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 100 6.35 v 10 옴
1N5336BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5336BE3/tr13 -
RFQ
ECAD 7102 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5336 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 1 v 4.3 v 2 옴
MS2212 Microsemi Corporation MS2212 -
RFQ
ECAD 8600 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 250 ° C (TJ) 섀시 섀시 M222 50W M222 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 8.1db ~ 8.9db 55V 1.8a NPN 15 @ 500ma, 5V 960MHz ~ 1.215GHz -
1N5228A (DO-35) Microsemi Corporation 1N5228A (DO-35) -
RFQ
ECAD 2004 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5228 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 950 MV 3.9 v 23 옴
3EZ39D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ39D2E3/TR8 -
RFQ
ECAD 5277 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ39 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 29.7 v 39 v 28 옴
SMBJ4763CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBJ4763CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 1784 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ4763 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
1PMT4621CE3/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT4621CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 9908 0.00000000 Microsemi Corporation PowerMite® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1 W. DO-216 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.1 v @ 200 ma 7.5 µa @ 2 v 3.6 v 1700 옴
MPA201 Microsemi Corporation MPA201 -
RFQ
ECAD 3130 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 200 ° C (TJ) 섀시 섀시 55AU 6W 55AU 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 13db 22V 300ma NPN 20 @ 100MA, 5V 2GHz -
FST31180E3 Microsemi Corporation FST31180E3 -
RFQ
ECAD 3919 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 180 v 15a 830 mv @ 15 a 100 µa @ 180 v -55 ° C ~ 175 ° C
UFT40020A Microsemi Corporation UFT40020A -
RFQ
ECAD 5727 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 나사 나사 기준 기준 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 200a 975 mv @ 200 a 100 ns 50 µa @ 200 v
3EZ100D10E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ100D10E3/TR8 -
RFQ
ECAD 2424 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ100 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 76 v 100 v 160 옴
JANTX2N4957UB Microsemi Corporation jantx2n4957ub -
RFQ
ECAD 2552 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N4957 200MW ub 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 25db 30V 30ma PNP 30 @ 5MA, 10V - 3.5dB @ 450MHz
3EZ6.2D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ6.2d5e3/tr8 -
RFQ
ECAD 1641 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ6.2 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 6.2 v 1.5 옴
2C5014 Microsemi Corporation 2C5014 -
RFQ
ECAD 2967 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - - - - - rohs 비준수 적용 적용 수 할 쓸모없는 0000.00.0000 1 - - - - -
1N5953BP/TR8 Microsemi Corporation 1N5953bp/tr8 -
RFQ
ECAD 9739 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5953 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 114 v 150 v 600 옴
3EZ36D5/TR8 Microsemi Corporation 3EZ36D5/TR8 -
RFQ
ECAD 8256 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ36 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 27.4 v 36 v 22 옴
JANTX1N4956CUS Microsemi Corporation jantx1n4956cus 20.4300
RFQ
ECAD 6242 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4956 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 µa @ 6.2 v 8.2 v 1.5 옴
3EZ130D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ130D2/TR12 -
RFQ
ECAD 2146 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ130 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 98.8 v 130 v 375 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고