SIC
close

불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
1EZ190D2E3/TR8 Microsemi Corporation 1EZ190D2E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 3983 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ190 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 144.8 v 190 v 1700 옴
MRF5812GR2 Microsemi Corporation MRF5812GR2 -
RFQ
 ECAD 2812 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MRF5812 1.25W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 13dB ~ 15.5dB 15V 200ma NPN 50 @ 50MA, 5V 5GHz 2DB ~ 3db @ 500MHz
1N4730CE3/TR13 Microsemi Corporation 1N4730CE3/tr13 -
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4730 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3.9 v 9 옴
68106H Microsemi Corporation 68106H -
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 적용 적용 수 할 쓸모없는 0000.00.0000 1
ARF443 Microsemi Corporation ARF443 -
RFQ
 ECAD 9163 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 TO-247-3 - - TO-247AD - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 - - - - -
HU10260 Microsemi Corporation HU10260 -
RFQ
 ECAD 7986 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 반 반 기준 반 반 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.35 V @ 100 a 90 ns 50 µa @ 600 v 100A 275pf @ 10V, 1MHz
JANTX1N4985D Microsemi Corporation jantx1n4985d 29.4600
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 e, 축 방향 1N4985 5 w e, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 98.8 v 130 v 190 옴
SMBG4761/TR13 Microsemi Corporation SMBG4761/TR13 -
RFQ
 ECAD 5231 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4761 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 56 v 75 v 175 옴
APT14050JVFR Microsemi Corporation APT14050JVFR -
RFQ
 ECAD 3606 0.00000000 Microsemi Corporation MOS V® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 1400 v 23A (TC) 10V 500mohm @ 11.5a, 10V 4V @ 5MA 820 NC @ 10 v ± 30V 13500 pf @ 25 v - 694W (TC)
2EZ17D10/TR8 Microsemi Corporation 2EZ17D10/TR8 -
RFQ
 ECAD 8143 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ17 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 13 v 17 v 9 옴
SMBG5334AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5334AE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG5334 5 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 150 µa @ 1 v 3.6 v 2.5 옴
3EZ18DE3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ18DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 9283 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ18 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 13.7 v 18 v 6 옴
1N4764CP/TR8 Microsemi Corporation 1N4764CP/TR8 -
RFQ
 ECAD 9941 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4764 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 76 v 100 v 350 옴
JAN2N2325AU4 Microsemi Corporation Jan2n2325au4 -
RFQ
 ECAD 1299 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-STD-701 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 3-smd,, 없음 U4 - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 2 MA 150 v 600 MV 15A @ 60Hz 20 µA 2.2 v 1.6 a 10 µA 민감한 민감한
1PMT5923B/TR7 Microsemi Corporation 1 PMT5923B/TR7 -
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5923 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6.5 v 8.2 v 3.5 옴
MX1H5615 Microsemi Corporation MX1H5615 -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 축 기준 축 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 200 v - -
1EZ190D10/TR12 Microsemi Corporation 1EZ190D10/TR12 -
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ190 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 144.8 v 190 v 1700 옴
MPA201 Microsemi Corporation MPA201 -
RFQ
 ECAD 3130 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 200 ° C (TJ) 섀시 섀시 55AU 6W 55AU 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 13db 22V 300ma NPN 20 @ 100MA, 5V 2GHz -
SMAJ4477CE3/TR13 Microsemi Corporation smaj4477ce3/tr13 -
RFQ
 ECAD 7656 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA 1.5 w DO-214AC (SMAJ) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 50 NA @ 26.4 v 33 v 25 옴
CPT30060A Microsemi Corporation CPT30060A -
RFQ
 ECAD 1043 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 60 v 150a 820 MV @ 200 a 4 ma @ 60 v
MS2621H Microsemi Corporation MS2621H -
RFQ
 ECAD 1648 0.00000000 Microsemi Corporation * 대부분 쓸모없는 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
SD1013-03 Microsemi Corporation SD1013-03 -
RFQ
 ECAD 2320 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 200 ° C (TJ) 섀시 섀시 M113 13W M113 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 10db 35V 1A NPN 10 @ 200ma, 5V 150MHz -
JANTX2N2323U4 Microsemi Corporation jantx2n2323u4 -
RFQ
 ECAD 5703 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/276 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 3-smd,, 없음 U4 - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 2 MA 50 v 800 MV 15A @ 60Hz 200 µA 10 µA 표준 표준
60158 Microsemi Corporation 60158 -
RFQ
 ECAD 9232 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 - 적용 적용 수 할 쓸모없는 0000.00.0000 1
SMBJ5336B/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5336B/TR13 -
RFQ
 ECAD 4962 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5336 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 1 v 4.3 v 2 옴
2EZ22DE3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ22DE3/TR8 -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ22 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 16.7 v 22 v 12 옴
2EZ33D5DO41E3 Microsemi Corporation 2EZ33D5DO41E3 -
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ33 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 25.1 v 33 v 23 옴
SMBG4752A/TR13 Microsemi Corporation SMBG4752A/TR13 -
RFQ
 ECAD 4547 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING SMBG4752 2 w SMBG (DO-215AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 25.1 v 33 v 45 옴
JANTX1N4956CUS Microsemi Corporation jantx1n4956cus 20.4300
RFQ
 ECAD 6242 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4956 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 µa @ 6.2 v 8.2 v 1.5 옴
3EZ62D10E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ62D10E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 5195 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ62 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 47.1 v 62 v 55 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다