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불연속 불연속 제품 (6716)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
TAN350 Microsemi Corporation TAN350 -
RFQ
 ECAD 1709 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 230 ° C (TJ) 섀시 섀시 55st 1450W 55st 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 7dB ~ 7.5dB 65V 40a NPN 10 @ 1a, 5V 960MHz ~ 1.215GHz -
2EZ190D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ190D10/TR12 -
RFQ
 ECAD 5431 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ190 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 144.8 v 190 v 825 옴
MSDM150-16 Microsemi Corporation MSDM150-16 -
RFQ
 ECAD 9205 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 M3-1 기준 M3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1.4 v @ 150 a 500 µa @ 1600 v 150 a 3 단계 1.6kV
2EZ82DE3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ82DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ82 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 62.2 v 82 v 100 옴
MS2421 Microsemi Corporation MS2421 -
RFQ
 ECAD 9507 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 200 ° C (TJ) 섀시 섀시 M103 875W M103 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 6.3db 65V 22A NPN 10 @ 500ma, 5V 1.025GHz ~ 1.15GHz -
1N5337/TR12 Microsemi Corporation 1N5337/TR12 -
RFQ
 ECAD 2352 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5337 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 5 µa @ 1 v 4.7 v 2 옴
1N5335BE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5335BE3/tr12 -
RFQ
 ECAD 6965 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5335 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 50 µa @ 1 v 3.9 v 2 옴
1N5955P/TR12 Microsemi Corporation 1N5955P/TR12 -
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5955 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 136.8 v 180 v 900 옴
1N5948P/TR8 Microsemi Corporation 1N5948p/tr8 -
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5948 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 69.2 v 91 v 200 옴
2N4957UB Microsemi Corporation 2N4957UB -
RFQ
 ECAD 4013 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N4957 200MW ub 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 25db 30V 30ma PNP 30 @ 5MA, 10V - 3.5dB @ 450MHz
UZ5836 Microsemi Corporation UZ5836 32.2650
RFQ
 ECAD 7813 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 축 UZ5836 5 w - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 5 µa @ 25.9 v 36 v 11 옴
1N5338C/TR12 Microsemi Corporation 1N5338C/TR12 -
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5338 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 1 v 5.1 v 1.5 옴
JAN2N6764 Microsemi Corporation JAN2N6764 -
RFQ
 ECAD 8585 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/543 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AE MOSFET (금속 (() 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 38A (TC) 10V 65mohm @ 38a, 10V 4V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
2N6758 Microsemi Corporation 2N6758 -
RFQ
 ECAD 3895 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 490mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 75W (TC)
FST16090D Microsemi Corporation FST16090D -
RFQ
 ECAD 8837 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 나사 나사 TO-249AA Schottky TO-249 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 90 v 80a 960 MV @ 80 a 2 ma @ 90 v
APT5SM170B Microsemi Corporation APT5SM170B -
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1700 v 5A (TC) 20V 1.25ohm @ 2.5a, 20V 3.2V @ 500µA 21 NC @ 20 v +25V, -10V 249 pf @ 1000 v - 65W (TC)
2EZ14D2E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ14D2E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 1305 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ14 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 10.6 v 14 v 5.5 옴
APTSM120AM08CT6AG Microsemi Corporation APTSM120AM08CT6AG -
RFQ
 ECAD 6482 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTSM120 실리콘 실리콘 (sic) 2300W SP6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널), Schottky 1200V (1.2kv) 370A (TC) 10mohm @ 200a, 20V 3V @ 10MA 1360NC @ 20V -
1N5956AP/TR8 Microsemi Corporation 1N5956AP/TR8 -
RFQ
 ECAD 9290 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5956 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 152 v 200 v 1200 옴
1N829AUR Microsemi Corporation 1N829aur 37.5450
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) 1N829 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.2 v 10 옴
2EZ20D5/TR12 Microsemi Corporation 2EZ20D5/TR12 -
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ20 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 15.2 v 20 v 11 옴
1N5388A/TR8 Microsemi Corporation 1N5388A/TR8 -
RFQ
 ECAD 2854 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5388 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 144 v 200 v 480 옴
1N5388CE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5388CE3/tr12 -
RFQ
 ECAD 2278 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5388 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 144 v 200 v 480 옴
1N5913CP/TR12 Microsemi Corporation 1N5913CP/TR12 -
RFQ
 ECAD 4303 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5913 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.3 v 10 옴
1EZ160D10E3/TR8 Microsemi Corporation 1EZ160D10E3/TR8 -
RFQ
 ECAD 9465 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ160 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 121.6 v 160 v 1400 옴
3EZ16D5/TR8 Microsemi Corporation 3EZ16D5/TR8 -
RFQ
 ECAD 3237 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ16 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 12.2 v 16 v 5.5 옴
UPS5819E3/TR7 Microsemi Corporation UPS5819E3/TR7 0.5000
RFQ
 ECAD 2500 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-216AA UPS5819 Schottky Powermite 1 (Do216-AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 60pf @ 5V, 1MHz
3EZ6.2D5/TR12 Microsemi Corporation 3EZ6.2d5/tr12 -
RFQ
 ECAD 9077 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ6.2 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 6.2 v 1.5 옴
1PMT5921/TR13 Microsemi Corporation 1 PMT5921/TR13 -
RFQ
 ECAD 8180 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-216AA 1pmt5921 3 w DO-216AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 5.2 v 6.8 v 2.5 옴
UZ736HR2 Microsemi Corporation UZ736HR2 36.6900
RFQ
 ECAD 1887 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 축 UZ736 3 w - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 µa @ 27.4 v 36 v 21 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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