RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (6716)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	얻다	전압 - 상태 꺼짐	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
2EZ39D/TR12	-	RFQ	7361	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ39		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 29.7 v					39 v	30 옴
1N5272BDO35	-	RFQ	5762	Microsemi Corporation	-	가방	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5272		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	10,000													1.5 v @ 200 ma		100 na @ 84 v					110 v	750 옴
SD1526-01	-	RFQ	5633	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		200 ° C (TJ)	섀시 섀시	M115	SD1526		21.9W	M115	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1			9.5dB															45V	1A			NPN	-	960MHz ~ 1.215GHz	-
CPT50235D	-	RFQ	2464	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	TO-244AB		Schottky		TO-244AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)									1 연결 연결 시리즈	35 v	250A	550 mV @ 250 a		12 ma @ 35 v
1N5948cpe3/tr8	-	RFQ	4644	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5948		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,500													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 69.2 v					91 v	200 옴
3EZ22D10/TR12	-	RFQ	8815	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ22		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 16.7 v					22 v	8 옴
1N4748 g	-	RFQ	8534	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4748		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 16.7 v					22 v	23 옴
1 PMT5919AE3/TR13	-	RFQ	9727	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5919		3 w	DO-216AA	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	12,000													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v					5.6 v	2 옴
1N5947AP/TR12	-	RFQ	7962	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N5947		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000													1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 62.2 v					82 v	160 옴
1N5388CE3/tr13	-	RFQ	1623	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5388		5 w	T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	1,250													1.2 v @ 1 a		500 NA @ 144 v					200 v	480 옴
2EZ20DE3/TR12	-	RFQ	1761	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ20		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 15.2 v					20 v	11 옴
1EZ170DE3/TR12	-	RFQ	8982	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ170		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 130.4 v					170 v	1450 옴
1EZ180D10E3/TR12	-	RFQ	3813	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ180		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 136.8 v					180 v	1500 옴
1N5338CE3/tr12	-	RFQ	6001	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5338		5 w	T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000													1.2 v @ 1 a		1 µa @ 1 v					5.1 v	1.5 옴
1N5341BE3	-	RFQ	1277	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5341		5 w	T-18	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000													1.2 v @ 1 a		1 µa @ 3 v					6.2 v	1 옴
3EZ20D5/TR12	-	RFQ	4289	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	3EZ20		3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 15.2 v					20 v	7 옴
1N5363BE3/TR12	-	RFQ	7715	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	T-18, 축,	1N5363		5 w	T-18	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000													1.2 v @ 1 a		500 NA @ 21.6 v					30 v	8 옴
2EZ120D2/TR12	-	RFQ	2485	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	2EZ120		2 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 91.2 v					120 v	325 옴
1 PMT5923B/TR7	-	RFQ	4414	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-216AA	1pmt5923		3 w	DO-216AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 6.5 v					8.2 v	3.5 옴
MX1H5615	-	RFQ	3544	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	축		기준		축	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	짐										200 v					-	-
1EZ190D10/TR12	-	RFQ	8316	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1EZ190		1 W.	DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	4,000													1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 144.8 v					190 v	1700 옴
SMBG4761/TR13	-	RFQ	5231	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG4761		2 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000													1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 56 v					75 v	175 옴
MRF4427G	-	RFQ	6511	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		-	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			1.5W	도 8-	-		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0075	2,500			20dB															20V	400ma			NPN	10 @ 10ma, 5V	-	-
MPA201	-	RFQ	3130	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		200 ° C (TJ)	섀시 섀시	55AU			6W	55AU	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1			13db															22V	300ma			NPN	20 @ 100MA, 5V	2GHz	-
HU10260	-	RFQ	7986	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	반 반		기준		반 반	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)										600 v		1.35 V @ 100 a	90 ns	50 µa @ 600 v	100A	275pf @ 10V, 1MHz
SMBG5334AE3/TR13	-	RFQ	1454	Microsemi Corporation	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-215AA, SMB GULL WING	SMBG5334		5 w	SMBG (DO-215AA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	3,000													1.2 v @ 1 a		150 µa @ 1 v					3.6 v	2.5 옴
MS2321A	-	RFQ	5260	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는									-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1
MS2621H	-	RFQ	1648	Microsemi Corporation	*	대부분	쓸모없는									-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1
SD1013-03	-	RFQ	2320	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는		200 ° C (TJ)	섀시 섀시	M113			13W	M113	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1			10db															35V	1A			NPN	10 @ 200ma, 5V	150MHz	-
jantx2n2323u4	-	RFQ	5703	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/276	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	3-smd,, 없음				U4	-	rohs 비준수	1 (무제한)		귀 99	8541.30.0080	1		2 MA		50 v	800 MV	15A @ 60Hz	200 µA	10 µA	표준 표준

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (6716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²