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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce
1EZ100D/TR8 Microsemi Corporation 1EZ100D/TR8 -
RFQ
ECAD 5680 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1EZ100 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 100 v
1N5384A/TR8 Microsemi Corporation 1N5384A/TR8 -
RFQ
ECAD 5065 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5384 5 w T-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 115 v 160 v 350 옴
2EZ18DE3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ18DE3/TR8 -
RFQ
ECAD 3058 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ18 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 13.7 v 18 v 10 옴
3EZ16D10/TR8 Microsemi Corporation 3EZ16D10/TR8 -
RFQ
ECAD 9090 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ16 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 12.2 v 16 v 5.5 옴
3EZ9.1D5/TR12 Microsemi Corporation 3EZ9.1D5/TR12 -
RFQ
ECAD 9244 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ9.1 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 2.5 옴
3EZ75D10/TR12 Microsemi Corporation 3EZ75D10/TR12 -
RFQ
ECAD 3392 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ75 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 56 v 75 v 85 옴
3EZ18D/TR8 Microsemi Corporation 3EZ18D/TR8 -
RFQ
ECAD 5806 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ18 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 13.7 v 18 v 6 옴
3EZ8.2D10/TR12 Microsemi Corporation 3EZ8.2D10/TR12 -
RFQ
ECAD 6785 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ8.2 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 6 v 8.2 v 2.3
SMBJ5950B/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5950B/TR13 -
RFQ
ECAD 9393 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5950 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 83.6 v 110 v 300 옴
SK38B/TR13 Microsemi Corporation SK38B/TR13 -
RFQ
ECAD 8398 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK38 Schottky SMB (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 850 mV @ 3 a 500 µa @ 80 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1N4109 (DO35) Microsemi Corporation 1N4109 (DO35) -
RFQ
ECAD 4490 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4109 400MW Do-204AH (DO-35 유리) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 50 na @ 11.4 v 15 v 100 옴
3EZ140D10E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ140D10E3/TR12 -
RFQ
ECAD 4095 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ140 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 106.4 v 140 v 475 옴
JANTX1N4488C Microsemi Corporation jantx1n4488c 33.2550
RFQ
ECAD 4839 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4488 1.5 w DO-41 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 200 ma 250 NA @ 72.8 v 91 v 200 옴
3EZ19D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ19D5E3/TR8 -
RFQ
ECAD 8471 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ19 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 14.4 v 19 v 7 옴
APTGT100DH60T3G Microsemi Corporation APTGT100DH60T3G -
RFQ
ECAD 1244 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SP3 340 W. 기준 SP3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 비대칭 비대칭 트렌치 트렌치 정지 600 v 150 a 1.9V @ 15V, 100A 250 µA 6.1 NF @ 25 v
2EZ170D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ170D10/TR12 -
RFQ
ECAD 8103 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ170 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 130.4 v 170 v 675 옴
2EZ30D10/TR8 Microsemi Corporation 2EZ30D10/TR8 -
RFQ
ECAD 7150 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ30 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 22.5 v 30 v 20 옴
JANTX1N4969DUS Microsemi Corporation jantx1n4969dus 30.7500
RFQ
ECAD 3409 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4969 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 22.8 v 30 v 8 옴
1N5380BE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5380BE3/tr8 -
RFQ
ECAD 5303 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5380 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 86.4 v 120 v 170 옴
1N4762AG Microsemi Corporation 1N4762AG 3.1350
RFQ
ECAD 7851 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4762 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 62.2 v 82 v 200 옴
2EZ170D5/TR8 Microsemi Corporation 2EZ170D5/TR8 -
RFQ
ECAD 8267 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ170 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 130.4 v 170 v 675 옴
3EZ62D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ62D2/TR12 -
RFQ
ECAD 2351 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ62 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 47.1 v 62 v 55 옴
SMBJ5338AE3/TR13 Microsemi Corporation smbj5338ae3/tr13 -
RFQ
ECAD 6073 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ5338 5 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 1 v 5.1 v 1.5 옴
3EZ100D10/TR8 Microsemi Corporation 3EZ100D10/TR8 -
RFQ
ECAD 1619 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ100 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 76 v 100 v 160 옴
MS104E3/TR12 Microsemi Corporation MS104E3/TR12 -
RFQ
ECAD 1102 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MS104 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 690 mV @ 1 a 100 µa @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
3EZ190D5E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ190D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 8706 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 3EZ190 3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 144.8 v 190 v 800 옴
2EZ170D2/TR8 Microsemi Corporation 2EZ170D2/TR8 -
RFQ
ECAD 4895 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ170 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 130.4 v 170 v 675 옴
1N5374AE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5374AE3/tr8 -
RFQ
ECAD 9400 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1N5374 5 w T-18 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 54 v 75 v 45 옴
APTC90H12SCTG Microsemi Corporation APTC90H12SCTG -
RFQ
ECAD 1312 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTC90 MOSFET (금속 (() 250W SP4 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 4 n 채널 (채널 교량) 900V 30A 120mohm @ 26a, 10V 3.5v @ 3ma 270NC @ 10V 6800pf @ 100v 슈퍼 슈퍼
1N5917CP/TR8 Microsemi Corporation 1N5917CP/TR8 -
RFQ
ECAD 3508 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5917 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1.5 v 4.7 v 5 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고