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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UZ7756L | 75.4800 |  | 13 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | 축 | UZ7756 | 6 w | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 42.6 v | 56 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTM20DAM10TG | - | | 4061 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | MOSFET (금속 (() | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 175A (TC) | 10V | 12MOHM @ 87.5A, 10V | 5V @ 5MA | 224 NC @ 10 v | ± 30V | 13700 pf @ 25 v | - | 694W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20DUM10TG | - | | 3956 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTM20 | MOSFET (금속 (() | 694W | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 200V | 175a | 12MOHM @ 87.5A, 10V | 5V @ 5MA | 224NC @ 10V | 13700pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTDF100H120G | - | | 5216 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | 기준 | SP4 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 3 V @ 100 a | 100 µa @ 1200 v | 120 a | 단일 단일 | 1.2kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTDF200H20G | - | | 5917 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | 기준 | SP6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 3 V @ 200 a | 150 µa @ 1200 v | 285 a | 단일 단일 | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTGT75H60T2G | - | | 1814 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP2 | APTGT75 | 250 W. | 기준 | SP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 100 a | 1.9V @ 15V, 75A | 250 µA | 예 | 4.62 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4978c | 18.2550 | | 7882 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4978 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 51.7 v | 68 v | 50 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantx1n4979cus | 24.6000 | | 8662 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4979 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 56 v | 75 v | 55 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4980cus | 24.6000 | | 2603 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4980 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 62.2 v | 82 v | 80 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4981cus | 24.6000 | | 1424 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4981 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 69.2 v | 91 v | 90 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4984cus | 24.6000 | | 3547 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4984 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 91.2 v | 120 v | 170 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4984d | 29.4600 | | 4326 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4984 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 91.2 v | 120 v | 170 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4988cus | 24.6000 | | 3919 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4988 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 136.8 v | 180 v | 450 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4988dus | 30.7500 | | 2061 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4988 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 136.8 v | 180 v | 450 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantx1n4472cus | 28.1550 | | 6410 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4472 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 50 na @ 16 v | 20 v | 12 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4480dus | 49.5750 | | 6784 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4480 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 50 na @ 34.4 v | 43 v | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4955c | 18.2850 | | 2601 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4955 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 100 µa @ 5.7 v | 7.5 v | 1.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4959dus | 32.2500 | | 7427 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4959 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µa @ 8.4 v | 11 v | 2.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4963c | 18.2850 | | 4941 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4963 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 µa @ 12.2 v | 16 v | 3.5 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4964c | 18.2850 | | 2073 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | e, 축 방향 | 1N4964 | 5 w | e, 축 방향 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 µa @ 13.7 v | 18 v | 4 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4491dus | 49.5750 | | 7293 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4491 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 250 NA @ 96 v | 120 v | 400 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4492dus | 49.5750 | | 6962 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4492 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 250 NA @ 104 v | 130 v | 500 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantx1n4496cus | 38.7300 | | 9565 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/406 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Melf, a | 1N4496 | 1.5 w | D-5A | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 v @ 200 ma | 250 NA @ 160 v | 200 v | 1500 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT45GR65B2DU30 | - | | 1373 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT45GR65 | 기준 | 543 w | T-Max ™ [B2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 433V, 45A, 4.3OHM, 15V | 80 ns | NPT | 650 v | 118 a | 224 a | 2.4V @ 15V, 45A | 203 NC | 15ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT10043JVR | - | | 2867 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 튜브 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 22A (TJ) | 430mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 1MA | 480 nc @ 10 v | 9000 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT75GN120JDQ3G | - | | 4063 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | 379 w | 기준 | ISOTOP® | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 124 a | 2.1V @ 15V, 75A | 200 µA | 아니요 | 4.8 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT15F60B | - | | 4244 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT15F60 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 16A (TC) | 10V | 430mohm @ 7a, 10V | 5v @ 500µa | 72 NC @ 10 v | ± 30V | 2882 pf @ 25 v | - | 290W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | APT20M19JVR | - | | 7350 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | MOS V® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 200 v | 112A (TC) | 10V | 19mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 1MA | 495 NC @ 10 v | ± 30V | 11640 pf @ 25 v | - | 500W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APT2X60D20J | - | | 2292 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 튜브 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT2X60 | 기준 | ISOTOP® | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 200 v | 60a | 1.3 V @ 60 a | 31 ns | 250 µa @ 200 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5260BDO35E3 | - | | 3152 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5260 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 33 v | 43 v | 93 옴 |
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