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불연속 불연속 제품 (5251)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
2N4124 Fairchild Semiconductor 2N4124 0.0200
RFQ
 ECAD 7613 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 2156-2N4124-FS 귀 99 8541.21.0075 5,000 25 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 120 @ 2MA, 1V 300MHz
TIP41A Fairchild Semiconductor tip41a -
RFQ
 ECAD 4852 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 6 a 700µA NPN 1.5V @ 600MA, 6A 30 @ 300ma, 4v 3MHz
1N5240BTR Fairchild Semiconductor 1N5240btr 0.0200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5240 500MW DO-35 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
RFD14N05SL Fairchild Semiconductor RFD14N05SL -
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
BC368 Fairchild Semiconductor BC368 1.0000
RFQ
 ECAD 1834 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 20 v 1 a 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V 65MHz
KSC838COBU Fairchild Semiconductor KSC838COBU 0.0300
RFQ
 ECAD 4448 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 9,745 30 v 30 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 1ma, 10ma 70 @ 2MA, 12V 250MHz
FMKA130 Fairchild Semiconductor FMKA130 0.1000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 1 ma @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
FQT1N60CTF Fairchild Semiconductor fqt1n60ctf 1.0000
RFQ
 ECAD 6362 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FQT1N60 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,800 -
SB580 Fairchild Semiconductor SB580 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 Schottky Do-201ad 다운로드 귀 99 8541.10.0080 876 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 850 mV @ 5 a 500 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 380pf @ 4V, 1MHz
1N914ATR Fairchild Semiconductor 1N914AT 0.0400
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 귀 99 8541.10.0070 7,991 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 V @ 20 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 175 ° C (°) 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
FQD5N20LTF Fairchild Semiconductor fqd5n20ltf -
RFQ
 ECAD 9925 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 834 n 채널 200 v 3.8A (TC) 5V, 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 2V @ 250µA 6.2 NC @ 5 v ± 20V 325 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 37W (TC)
1N4730A_NL Fairchild Semiconductor 1N4730A_NL -
RFQ
 ECAD 6787 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 50 µa @ 1 v 3.9 v 9 옴
FGP5N60LS Fairchild Semiconductor FGP5N60L 0.7500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 83 w TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 400 400V, 5A, 10ohm, 15V 현장 현장 600 v 10 a 36 a 3.2v @ 12v, 14a 38µJ (on), 130µJ (OFF) 18.3 NC 4.3ns/36ns
RGF1A Fairchild Semiconductor RGF1A 0.1200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 2,410 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.5pf @ 4V, 1MHz
KSE13003H1ASTU Fairchild Semiconductor KSE13003H1astu 1.0000
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 20 W. TO-126-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400 v 1.5 a - NPN 3V @ 500MA, 1.5A 9 @ 500ma, 2v 4MHz
FQPF19N10 Fairchild Semiconductor FQPF19N10 0.6100
RFQ
 ECAD 582 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 13.6A (TC) 10V 100mohm @ 6.8a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 780 pf @ 25 v - 38W (TC)
MMBT5088 Fairchild Semiconductor MMBT5088 -
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 100 MA 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 350 @ 1ma, 5V 50MHz
MMSZ5231B Fairchild Semiconductor MMSZ5231B -
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5231B 500MW SOD-123 다운로드 0000.00.0000 1 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
2N7052 Fairchild Semiconductor 2N7052 0.0600
RFQ
 ECAD 5293 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 12 100 v 1.5 a 200na npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 1000 @ 1a, 5V 200MHz
FDAF59N30 Fairchild Semiconductor FDAF59N30 2.4400
RFQ
 ECAD 5606 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 33 n 채널 300 v 34A (TC) 10V 56mohm @ 17a, 10V 5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 30V 4670 pf @ 25 v - 161W (TC)
SS9015DBU Fairchild Semiconductor SS9015DBU 0.0200
RFQ
 ECAD 779 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 100 MA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5ma, 100ma 400 @ 1ma, 5V 190mhz
FDMC2512SDC Fairchild Semiconductor FDMC2512SDC -
RFQ
 ECAD 2558 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (3.3x3.3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 25 v 32A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 27A, 10V 2.5V @ 1mA 68 NC @ 10 v ± 20V 4410 pf @ 13 v - 3W (TA), 66W (TC)
DF06S2 Fairchild Semiconductor DF06S2 -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 4-SDIP 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
FMM7G50US60N Fairchild Semiconductor fmm7g50us60n 28.1700
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 기준 기준 139 w 3 정류기 정류기 브리지 - 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-FMM7G50US60N 귀 99 8541.29.0095 11 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 600 v 50 a 2.7V @ 15V, 50A 250 µA 예 3.565 NF @ 30 v
NDS356AP-NB8L005A Fairchild Semiconductor NDS356AP-NB8L005A 0.1800
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156S356AP-NB8L005A-600039 1,707 p 채널 30 v 1.1A (TA) 4.5V, 10V 200mohm @ 1.3a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 NC @ 5 v ± 20V 280 pf @ 10 v - 500MW (TA)
FQPF2N50 Fairchild Semiconductor FQPF2N50 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 1.3A (TC) 10V 5.3ohm @ 650ma, 10V 5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 20W (TC)
FQP55N06 Fairchild Semiconductor FQP55N06 1.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 55A (TC) 10V 20mohm @ 27.5a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 25V 1690 pf @ 25 v - 133W (TC)
1N5257BTR Fairchild Semiconductor 1N5257BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 241 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 25 v 33 v 58 옴
FCPF290N80 Fairchild Semiconductor FCPF290N80 3.0800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF290 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 귀 99 8542.39.0001 98 n 채널 800 v 17A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4.5V @ 1.7ma 75 NC @ 10 v ± 20V 3205 pf @ 100 v - 40W (TC)
RS1KFP Fairchild Semiconductor RS1KFP -
RFQ
 ECAD 8408 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 SOD-123H RS1K 기준 SOD-123HE 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 1.2 a 300 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.2A 18pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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