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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 전류에 전류에 된 결합 결합 - 리버스 누출 @ vr 전압에 전압에 - 결합 (vf) (max) @ if
FFP04U40DNTU Fairchild Semiconductor FFP04U40DNTU 0.2700
RFQ
 ECAD 4754 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 4a 1.4 v @ 4 a 45 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C
2N3906BU Fairchild Semiconductor 2N3906BU 0.0400
RFQ
 ECAD 677 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 40 v 200 MA - PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
FDB035AN06A0 Fairchild Semiconductor FDB035AN06A0 2.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 102 n 채널 60 v 22A (TA), 80A (TC) 6V, 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 124 NC @ 10 v ± 20V 6400 pf @ 25 v - 310W (TC)
FDD6778A Fairchild Semiconductor FDD6778A 0.4100
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 12A (TA), 10A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 870 pf @ 13 v - 3.7W (TA), 24W (TC)
KSE13009TU Fairchild Semiconductor KSE13009TU -
RFQ
 ECAD 8878 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSE13009 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - NPN 3v @ 3a, 12a 8 @ 5a, 5V 4MHz
FDU8778 Fairchild Semiconductor FDU8778 0.4700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 35A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 845 pf @ 13 v - 39W (TC)
FDP3651U Fairchild Semiconductor FDP3651U -
RFQ
 ECAD 3749 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 80A (TC) 10V 18mohm @ 80a, 10V 5.5V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 5522 pf @ 25 v - 255W (TC)
FQD60N03LTM Fairchild Semiconductor FQD60N03LTM 0.6000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 5V, 10V 23mohm @ 30a, 10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 16V 900 pf @ 15 v - 45W (TC)
FGA20S120M Fairchild Semiconductor FGA20S120M 2.0700
RFQ
 ECAD 407 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 fga20 기준 348 w to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 - 트렌치 트렌치 정지 1200 v 40 a 60 a 1.85V @ 15V, 20A - 208 NC -
EGP10A Fairchild Semiconductor egp10a 0.0700
RFQ
 ECAD 164 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 4,990 짐 50 v 950 MV @ 1 a 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
NTD5C446NT4G Fairchild Semiconductor NTD5C446NT4G 1.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-NTD5C446NT4G-600039 1 n 채널 40 v 110A (TC) 10V 3.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 34.3 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 20 v - 66W (TC)
HUFA75344S3 Fairchild Semiconductor HUFA75344S3 1.0400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 20 v ± 20V 3200 pf @ 25 v - 285W (TC)
SGS10N60RUFDTU Fairchild Semiconductor SGS10N60RUFDTU 1.0000
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SGS10N60 기준 55 W. TO-220F-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 300V, 10A, 20ohm, 15V 60 ns - 600 v 16 a 30 a 2.8V @ 15V, 10A 141µJ (on), 215µJ (OFF) 30 NC 15ns/36ns
FQPF16N25 Fairchild Semiconductor FQPF16N25 0.8500
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 9.5A (TC) 10V 230mohm @ 4.75a, 10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 50W (TC)
SGH20N120RUFDTU Fairchild Semiconductor SGH20N120RUFDTU -
RFQ
 ECAD 4216 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 sgh20n 기준 230 w to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 9 600V, 20A, 15ohm, 15V 80 ns - 1200 v 32 a 60 a 3V @ 15V, 20A 1.3mj (on), 1.3mj (OFF) 140 NC 30ns/70ns
FCU5N60TU Fairchild Semiconductor fcu5n60tu -
RFQ
 ECAD 9408 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA FCU5N60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 600 v 4.6A (TC) 10V 950mohm @ 2.3a, 10V 5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 54W (TC)
FGH50N3 Fairchild Semiconductor FGH50N3 -
RFQ
 ECAD 6132 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 463 w TO-247 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 180V, 30A, 5ohm, 15V Pt 300 v 75 a 240 a 1.4V @ 15V, 30A 130µJ (on), 92µJ (OFF) 180 NC 20ns/135ns
FJP13007TU Fairchild Semiconductor FJP13007TU -
RFQ
 ECAD 4685 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 80 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 400 v 8 a - NPN 3v @ 2a, 8a 8 @ 2a, 5V 4MHz
FDP6676 Fairchild Semiconductor FDP6676 0.9800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 84A (TA) 4.5V, 10V 6MOHM @ 42A, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 16V 5324 pf @ 15 v - 93W (TC)
1N457A Fairchild Semiconductor 1N457A -
RFQ
 ECAD 1099 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 1 -65 ° C ~ 150 ° C 150ma - 70 100
MJD45H11TM Fairchild Semiconductor MJD45H11TM -
RFQ
 ECAD 3505 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD45 1.75 w TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1,158 80 v 8 a 10µA PNP 1V @ 400MA, 8A 40 @ 4a, 1v 40MHz
FQP11N40 Fairchild Semiconductor FQP11N40 0.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 11.4A (TC) 10V 480mohm @ 5.7a, 10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 147W (TC)
MJ21193G Fairchild Semiconductor MJ21193G -
RFQ
 ECAD 1831 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 250 W. TO-204AA (TO-3) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MJ21193G-600039 1 250 v 16 a 100µA PNP 4V @ 3.2A, 16A 25 @ 8a, 5V 4MHz
BUT11ATU Fairchild Semiconductor but11atu 0.5400
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 but11 100 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 450 v 5 a 1MA NPN 1.5v @ 500ma, 2.5a - -
FQD4N50TM Fairchild Semiconductor FQD4N50TM 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 2.6A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.3a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
KSC2333YTU-FS Fairchild Semiconductor KSC2333YTU-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 9839 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 15 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 400 v 2 a 1MA NPN 1V @ 100MA, 500MA 20 @ 100MA, 5V -
NDS8434A Fairchild Semiconductor NDS8434A -
RFQ
 ECAD 1167 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 7.8A (TA) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 7.9a, 4.5v 1V @ 250µA 55 NC @ 4.5 v ± 8V 1730 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
FDFME3N311ZT Fairchild Semiconductor fdfme3n311zt 1.0000
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 MOSFET (금속 (() 6-UMLP (1.6x1.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 5,000 n 채널 30 v 1.8A (TA) 299mohm @ 1.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 12V 75 pf @ 15 v - 600MW (TA)
SI4835DY Fairchild Semiconductor si4835dy 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 8.8A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 8.8a, 10V 3V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 25V 1680 pf @ 15 v - 1W (TA)
SFR9224TM Fairchild Semiconductor SFR9224TM 0.3000
RFQ
 ECAD 374 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 987 p 채널 250 v 2.5A (TC) 10V 2.4ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 540 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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