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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	테스트 조건	현재의	전압	전압 - 절연	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	다이오드	전압 - 역방향(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
MMBT4354	-	보상요청	1905년	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3					350mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	375																												60V	800mA								50nA(ICBO)			PNP	500mV @ 50mA, 500mA	50 @ 10mA, 5V	-
FSBF5CH60B	13.6000	보상요청	1	비교차일드	모션 SPM® 3	대부분	활동적인			스루홀	27-PowerDIP 모듈(1.205", 30.60mm)	IGBT	FSBF5					다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.39.0001	1	3상				5A	600V	2500Vrms
MMBT2484	-	보상요청	7247	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MMBT2484			350mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000																												60V	100mA								10nA(ICBO)			NPN	100μA, 1mA에서 350mV	100 @ 10μA, 5V	-
MBRP3045NTU	0.7000	보상요청	336	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	TO-220-3				쇼트키		TO-220-3	다운로드					EAR99	8541.10.0080	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																1쌍의 세션이 시작됩니다	45V	15A	650mV @ 15A		45V에서 1mA	-65°C ~ 150°C
FDS5680	1.0000	보상요청	7325	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		FDS56		MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			N채널					60V	8A(타)	6V, 10V	20m옴 @ 8A, 10V	4V @ 250μA	42nC @ 10V	±20V	15V에서 1850pF	-	2.5W(타)
FDD850N10L	-	보상요청	6698	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			N채널					100V	15.7A(Tc)	5V, 10V	75m옴 @ 12A, 10V	2.5V @ 250μA	28.9nC @ 10V	±20V	25V에서 1465pF	-	50W(Tc)
FQD7N10TM	0.5100	보상요청	176	비교차일드	QFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널					100V	5.8A(Tc)	10V	350m옴 @ 2.9A, 10V	4V @ 250μA	7.5nC @ 10V	±25V	25V에서 250pF	-	2.5W(Ta), 25W(Tc)
HUFA75309P3	0.2500	보상요청	13	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400			N채널					55V	19A(TC)	10V	70m옴 @ 19A, 10V	4V @ 250μA	24nC @ 20V	±20V	25V에서 350pF	-	55W(Tc)
MMBZ5249B	0.0200	보상요청	60	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MMBZ52			300mW	SOT-23	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																					900mV @ 10mA		100nA @ 14V															19V	23옴
FFPF20UP20STU	0.4600	보상요청	1	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	TO-220-2 풀팩				기준		TO-220F-2L	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0080	50		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																	200V		1.15V @ 20A	45ns	200V에서 100μA	-65°C ~ 150°C	20A	-
1N5400	0.0200	보상요청	6663	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	DO-201AD, 축				기준		DO-201AD	다운로드	ROHS3 준수			2156-1N5400-FSTR	EAR99	8541.10.0080	1,250		표준 복구 >500ns, > 200mA(Io)																	50V		1.2V @ 3A		50V에서 5μA	-55°C ~ 150°C	3A	30pF @ 4V, 1MHz
FJMA790	1.0000	보상요청	2286	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	6-VDFN옆패드		FJMA79			1.56W	6-MicroFET(2x2)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000																												35V	2A								100nA(ICBO)			PNP	450mV @ 50mA, 2A	100 @ 1.5A, 1.5V	-
KSC2330YBU	0.0700	보상요청	270	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리					1W	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0075	500																												300V	100mA								100nA(ICBO)			NPN	500mV @ 1mA, 10mA	120 @ 20mA, 10V	50MHz
SJD127T4G	0.3300	보상요청	32	비교차일드	*	대부분	활동적인											다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-SJD127T4G-600039	EAR99	8541.29.0095	998
GBU6J	-	보상요청	9391	비교차일드	-	대부분	활동적인		-50°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	4-ESIP, GBU				기준		GBU	다운로드					EAR99	8541.10.0080	445																					1V @ 6A		600V에서 5μA		4.2A										단상	600V
SB29003TF	0.1500	보상요청	124	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA					2W	SOT-223-4	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-SB29003TF	EAR99	8541.21.0095	1																												400V	300mA								500nA			NPN	750mV @ 5mA, 50mA	50 @ 10mA, 10V	-
FGA90N33ATDTU	-	보상요청	3895	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3		FGA90	기준		223W	TO-3P	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1				-																		23ns					도랑	330V	90A	330A	1.4V @ 15V, 20A	-	95nC	-
FJN3304RTA	0.0200	보상요청	4788	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록		FJN330			300mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000																												50V	100mA								100nA(ICBO)			NPN - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	68 @ 5mA, 5V	250MHz	47kΩ	47kΩ
KSC5402DTTU-FS	1.0000	보상요청	4033	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3					50W	TO-220-3	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1																												450V	2A								100μA			NPN	750mV @ 200mA, 1A	6 @ 1A, 1V	11MHz
FDW2503N	0.4400	보상요청	6	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭)		FDW25		MOSFET(금속)	600mW	8-TSSOP	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	2,500	2 N채널(듀얼)							20V	5.5A		21m옴 @ 5.5A, 4.5V	250μA에서 1.5V	17nC @ 4.5V		1082pF @ 10V	게임 레벨 레벨
FQA6N70	1.2400	보상요청	4	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3				MOSFET(금속)		TO-3P	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	30			N채널					700V	6.4A(Tc)	10V	1.5옴 @ 3.2A, 10V	5V @ 250μA	40nC @ 10V	±30V	25V에서 1400pF	-	152W(Tc)
FFB05U120STM	0.3000	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				기준		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0080	800		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																	1200V		3.5V @ 5A	100ns	1200V에서 5μA	-65°C ~ 150°C	5A	-
FGPF4533	0.7800	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	TO-220-3 풀팩		FGPF4	기준		28.4W	TO-220F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1				-																							도랑	330V		200A	1.8V @ 15V, 50A	-	44nC	-
SSP2N60A	0.3700	보상요청	9	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	807			N채널					600V	2A(TC)	10V	5옴 @ 1A, 10V	4V @ 250μA	21nC @ 10V	±30V	25V에서 410pF	-	54W(Tc)
FDB8445	-	보상요청	5935	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-FDB8445	EAR99	8541.29.0095	1			N채널					40V	70A(Tc)	10V	9m옴 @ 70A, 10V	4V @ 250μA	62nC @ 10V	±20V	3805pF @ 25V	-	92W(Tc)
GBU8G	-	보상요청	2664	비교차일드	-	대부분	활동적인		-50°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	4-ESIP, GBU				기준		GBU	다운로드					EAR99	8541.10.0080	146																					1V @ 8A		400V에서 5μA		5.6A										단상	400V
ISL9K1560G3	1.3300	보상요청	1008	비교차일드	*	대부분	활동적인											다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-ISL9K1560G3-600039			1
FDB2570	1.4400	보상요청	4	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-65°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	800			N채널					150V	22A(타)	6V, 10V	80m옴 @ 11A, 10V	4V @ 250μA	56nC @ 10V	±20V	75V에서 1911pF	-	93W(Tc)
FDPF15N65	-	보상요청	2828	비교차일드	UniFET™	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			N채널					650V	15A(Tc)	10V	440m옴 @ 7.5A, 10V	5V @ 250μA	63nC @ 10V	±30V	3095pF @ 25V	-	38.5W(Tc)
MUR460FFG	1.0000	보상요청	4059	비교차일드	스위치 모드™	대부분	활동적인			스루홀	DO-201AA, DO-27, 축방향				기준		축방향	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																	600V		1.28V @ 4A	75ns	600V에서 10μA	-65°C ~ 175°C	4A	-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²