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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	테스트 조건	얻다	현재의	전압	전압 - 절연	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)	모델 지수(dB 일반 @ f)
FDZ208P	1.3400	보상요청	5	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	30-WFBGA				MOSFET(금속)		30-BGA(4x3.5)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	3,000			P채널						30V	12.5A(타)	4.5V, 10V	10.5m옴 @ 12.5A, 10V	3V @ 250μA	35nC @ 5V	±25V	15V에서 2409pF	-	2.2W(타)
HUF76419D3STR4921	0.5100	보상요청	2	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8542.39.0001	1			N채널						60V	20A(TC)	4.5V, 10V	37m옴 @ 20A, 10V	3V @ 250μA	27.5nC @ 10V	±16V	25V에서 900pF	-	75W(Tc)
FSB50450S	7.6400	보상요청	401	비교차일드	모션 SPM® 5	대부분	활동적인			표면 실장	23-SMD 모듈, 매매기 날개	MOSFET						다운로드	해당 없음	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8542.39.0001	43	3상 인버터					1.5A	500V	1500Vrms
1N916	1.0000	보상요청	2109	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				기준		DO-35 (DO-204AH)	다운로드				EAR99	8541.10.0070	1		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도																		100V		1V @ 10mA	4ns	75V에서 5μA	-65°C ~ 175°C	200mA	2pF @ 0V, 1MHz
HUFA75345P3	2.2600	보상요청	6	비교차일드	UltraFET™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	400			N채널						55V	75A(Tc)	10V	7m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	275nC @ 20V	±20V	25V에서 4000pF	-	325W(Tc)
FGH30N6S2	0.9500	보상요청	7	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			기준		167W	TO-247	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	150				390V, 12A, 10옴, 15V																								-	600V	45A	108A	2.5V @ 15V, 12A	55μJ(켜짐), 100μJ(꺼짐)	23nC	6ns/40ns
FFD04H60S	0.5900	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				기준		TO-252, (D-박)	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																		600V		2.1V @ 4A	60ns	600V에서 100μA	-65°C ~ 150°C	4A	-
1N5263B	1.8600	보상요청	158	비교차일드	-	대부분	활동적인	±0.5%	-	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향		1N5263			500mW	-	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.10.0050	162																						900mV @ 200mA		41V에서 100nA													56V	150옴
BD436S	-	보상요청	8546	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3					36W	TO-126-3	다운로드				EAR99	8541.29.0095	344																													32V	4A						100μA			PNP	500mV @ 200mA, 2A	40 @ 10mA, 5V	3MHz
S3GB	-	보상요청	8955	비교차일드	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 실장	DO-214AA, SMB				기준		DO-214AA(SMB)	다운로드				EAR99	8541.10.0080	622		표준 복구 >500ns, > 200mA(Io)																		400V		1.15V @ 3A	1.5μs	400V에서 10μA	-55°C ~ 150°C	3A	18pF @ 0V, 1MHz
MMBD6050	0.0300	보상요청	27	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				기준		SOT-23-3	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도																		70V		1.1V @ 100mA	4ns	50V에서 100nA	-55°C ~ 150°C	200mA	2.5pF @ 0V, 1MHz
KSC1674OBU	0.0200	보상요청	146	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					250mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	1,000					-																								20V	20mA									NPN		70 @ 1mA, 6V	600MHz			3dB ~ 5dB @ 100MHz
FJY4011R	0.0200	보상요청	9581	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	SC-89, SOT-490		FJY401			200mW	SOT-523F	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	3,000																													40V	100mA						100nA(ICBO)			PNP - 사전 바이어스됨	300mV @ 1mA, 10mA	100 @ 1mA, 5V	200MHz	22kΩ
HUF75945P3	1.0000	보상요청	3993	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	1			N채널						200V	38A(Tc)	10V	71m옴 @ 38A, 10V	4V @ 250μA	280nC @ 20V	±20V	4023pF @ 25V	-	310W(Tc)
FDS3692	1.0000	보상요청	9168	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)				MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1			N채널						100V	4.5A(타)	6V, 10V	60m옴 @ 4.5A, 10V	4V @ 250μA	15nC @ 10V	±20V	25V에서 746pF	-	2.5W(타)
SFI9510TU	0.7300	보상요청	950	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA				MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	1			P채널						100V	3.6A(Tc)	10V	1.2옴 @ 1.8A, 10V	4V @ 250μA	10nC @ 10V	±30V	335pF @ 25V	-	3.8W(Ta), 32W(Tc)
FJE3303H2TU	0.2500	보상요청	31	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3					20W	TO-126-3	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1,212																													400V	1.5A						10μA(ICBO)			NPN	3V @ 500mA, 1.5A	14 @ 500mA, 2V	4MHz
KSR1101MTF	0.0700	보상요청	31	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		KSR1101			200mW	SOT-23	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.21.0075	3,000																													50V	100mA						100nA(ICBO)			NPN - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	20 @ 10mA, 5V	250MHz	4.7kΩ	4.7kΩ
FDBL9406	-	보상요청	8611	비교차일드	*	대부분	활동적인						FDBL940		-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8542.39.0001	2,000																	-
2N4126	0.0200	보상요청	75	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					625mW	TO-92	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.21.0075	1																													25V	200mA						50nA(ICBO)			PNP	400mV @ 5mA, 50mA	120 @ 2mA, 1V	250MHz
RF1K4915696	0.8200	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)				MOSFET(금속)		8-SOIC	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.29.0095	365			N채널						30V	6.3A(타)	5V	30m옴 @ 6.3A, 5V	2V @ 250μA	65nC @ 10V	±10V	2030pF @ 25V	-	2W(타)
MM5Z20V	1.0000	보상요청	1416	비교차일드	-	대부분	활동적인	±6%	-55°C ~ 150°C	표면 실장	SC-79, SOD-523					200mW	SOD-523F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.10.0050	8,000																								14V에서 50nA													20V	55옴
BF721T1G	-	보상요청	2316	비교차일드	-	대부분	활동적인		-65°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA					1.5W	SOT-223 (TO-261)	다운로드				EAR99	8541.29.0075	1																													300V	50mA						10nA(ICBO)			PNP	800mV @ 5mA, 30mA	50 @ 25mA, 20V	60MHz
FQA19N60	-	보상요청	1324	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3				MOSFET(금속)		TO-3PN	다운로드				EAR99	8541.29.0095	1			N채널						600V	18.5A(Tc)	10V	380m옴 @ 9.3A, 10V	5V @ 250μA	90nC @ 10V	±30V	3600pF @ 25V	-	300W(Tc)
ISL9K3060G3	1.6300	보상요청	17	비교차일드	스텔스™	대부분	활동적인			스루홀	TO-247-3				눈사태		TO-247	다운로드				EAR99	8541.10.0070	184		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																	1쌍의 세션이 시작됩니다	600V	30A	2.4V @ 30A	45ns	600V에서 100μA	-55°C ~ 175°C
FDP6035AL	1.3600	보상요청	106	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-65°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	50			N채널						30V	48A(타)	4.5V, 10V	12m옴 @ 24A, 10V	3V @ 250μA	18nC @ 5V	±20V	15V에서 1250pF	-	52W(Tc)
KSC2330RTA	-	보상요청	1943년	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드)					1W	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0075	2,000																													300V	100mA						100nA(ICBO)			NPN	500mV @ 1mA, 10mA	40 @ 20mA, 10V	50MHz
FFSH20120ADN-F155	-	보상요청	2177	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	TO-247-3		FFSH20120		SiC(탄화규소) 쇼트키		TO-247	다운로드				EAR99	8541.10.0080	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																	1쌍의 세션이 시작됩니다	1200V	10A(DC)	1.75V @ 10A		1200V에서 200μA	-55°C ~ 175°C
KSC5502DTM	-	보상요청	7816	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63					118.16W	TO-252, (D-박)	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1																													750V	2A						100μA			NPN	1.5V @ 200mA, 1A	15 @ 200mA, 1V	11MHz
1N5380BG	-	보상요청	7314	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	T-18, 축					5W	축방향	다운로드				EAR99	8541.10.0050	1																						1.2V @ 1A		91.2V에서 500nA													120V	170옴

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²