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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 최대	입력	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	테스트 조건	현재의	전압	전압 - 절연	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	다이오드	전압 - 역방향(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	NTC 서미스터	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
FQA19N60	-	보상요청	1324	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3				MOSFET(금속)			TO-3PN	다운로드				EAR99	8541.29.0095	1			N채널					600V	18.5A(Tc)	10V	380m옴 @ 9.3A, 10V	5V @ 250μA	90nC @ 10V	±30V	3600pF @ 25V	-	300W(Tc)
2N4126	0.0200	보상요청	75	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					625mW		TO-92	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.21.0075	1																											25V	200mA								50nA(ICBO)				PNP	400mV @ 5mA, 50mA	120 @ 2mA, 1V	250MHz
BD677AS	-	보상요청	6526	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3		BD677			40W		TO-126-3	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	0000.00.0000	1																											60V	4A								500μA				NPN-달링턴	2.8V @ 40mA, 2A	750 @ 2A, 3V	-
FFSH20120ADN-F155	-	보상요청	2177	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	TO-247-3		FFSH20120		SiC(탄화규소) 쇼트키			TO-247	다운로드				EAR99	8541.10.0080	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																1쌍의 세션이 시작됩니다	1200V	10A(DC)	1.75V @ 10A		1200V에서 200μA	-55°C ~ 175°C
RF1K4915696	0.8200	보상요청	2	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)				MOSFET(금속)			8-SOIC	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8541.29.0095	365			N채널					30V	6.3A(타)	5V	30m옴 @ 6.3A, 5V	2V @ 250μA	65nC @ 10V	±10V	2030pF @ 25V	-	2W(타)
KSC2330RTA	-	보상요청	1943년	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리(성형 리드)					1W		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0075	2,000																											300V	100mA								100nA(ICBO)				NPN	500mV @ 1mA, 10mA	40 @ 20mA, 10V	50MHz
FGH30N6S2	0.9500	보상요청	7	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3			기준		167W		TO-247	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	150				390V, 12A, 10옴, 15V																						-	600V	45A	108A	2.5V @ 15V, 12A	55μJ(켜짐), 100μJ(꺼짐)	23nC	6ns/40ns
FDBL9406	-	보상요청	8611	비교차일드	*	대부분	활동적인						FDBL940		-				-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8542.39.0001	2,000																-
KSC5502DTM	-	보상요청	7816	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63					118.16W		TO-252, (D-박)	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1																											750V	2A								100μA				NPN	1.5V @ 200mA, 1A	15 @ 200mA, 1V	11MHz
BF721T1G	-	보상요청	2316	비교차일드	-	대부분	활동적인		-65°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA					1.5W		SOT-223 (TO-261)	다운로드				EAR99	8541.29.0075	1																											300V	50mA								10nA(ICBO)				PNP	800mV @ 5mA, 30mA	50 @ 25mA, 20V	60MHz
ISL9N306AD3	0.8700	보상요청	8	비교차일드	UltraFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA				MOSFET(금속)			아이팩	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	1			N채널					30V	50A(Tc)	4.5V, 10V	6m옴 @ 50A, 10V	3V @ 250μA	90nC @ 10V	±20V	15V에서 3400pF	-	125W(타)
FDPF51N25YDTU	1.9700	보상요청	566	비교차일드	UniFET™	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 아름다운 리드				MOSFET(금속)			TO-220F-3 (Y-형)	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1			N채널					250V	51A(티씨)	10V	60m옴 @ 25.5A, 10V	5V @ 250μA	70nC @ 10V	±30V	3410pF @ 25V	-	38W(Tc)
KSC838YTA	0.0200	보상요청	1999년	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록					250mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	1,751																											30V	30mA								100nA(ICBO)				NPN	400mV @ 1mA, 10mA	120 @ 2mA, 12V	250MHz
FDC6304P	0.2200	보상요청	7373	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6		FDC6304		MOSFET(금속)	700mW		SuperSOT™-6	다운로드				EAR99	8542.39.0001	2	2 P채널(듀얼)							25V	460mA		1.1옴 @ 500mA, 4.5V	250μA에서 1.5V	1.5nC @ 4.5V		62pF @ 10V	게임 레벨 레벨
KSA928AYBU	-	보상요청	7501	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리					1W		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0075	500																											30V	2A								100nA(ICBO)				PNP	2V @ 30mA, 1.5A	160 @ 500mA, 2V	120MHz
MM5Z20V	1.0000	보상요청	1416	비교차일드	-	대부분	활동적인	±6%	-55°C ~ 150°C	표면 실장	SC-79, SOD-523					200mW		SOD-523F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.10.0050	8,000																							14V에서 50nA															20V	55옴
RFD3055SM9A	0.4600	보상요청	2537	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63				MOSFET(금속)			TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	40			N채널					60V	12A(TC)	10V	150m옴 @ 12A, 10V	4V @ 250μA	23nC @ 20V	±20V	25V에서 300pF	-	53W(Tc)
FDP6035AL	1.3600	보상요청	106	비교차일드	파워트렌치®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-65°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	50			N채널					30V	48A(타)	4.5V, 10V	12m옴 @ 24A, 10V	3V @ 250μA	18nC @ 5V	±20V	15V에서 1250pF	-	52W(Tc)
BC546	0.0400	보상요청	114	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					500mW		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0075	2,000																											65V	100mA								15nA(ICBO)				NPN	600mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2mA, 5V	300MHz
FEP16BTA	0.6100	보상요청	6792	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	TO-220-3				기준			TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.10.0080	346		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																1쌍 구역	100V	16A	950mV @ 8A	35ns	100V에서 10μA	-55°C ~ 150°C
FMG1G300US60HE	73.7500	보상요청	5	비교차일드	-	대부분	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	방역	기준기준					892W	기준	-	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	1	하나의																									-	600V	300A		2.7V @ 15V, 300A						250μA	아니요
GBU8A	0.8200	보상요청	890	비교차일드	-	대부분	활동적인		-50°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	4-ESIP, GBU				기준			GBU	다운로드				EAR99	8541.10.0080	367																					1V @ 8A		50V에서 5μA		5.6A									단상	50V
IRFS240B	0.7200	보상요청	1	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				MOSFET(금속)			TO-220F	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	EAR99	8541.29.0095	1			N채널					200V	12.8A(Tc)	10V	180m옴 @ 6.4A, 10V	4V @ 250μA	58nC @ 10V	±30V	25V에서 1700pF	-	73W(Tc)
KSD986YS	1.0000	보상요청	6085	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3					1W		TO-126-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	2,000																											80V	1.5A								10μA(ICBO)				NPN-달링턴	1.5V @ 1mA, 1A	8000 @ 1A, 2V	-
FDS9933BZ	0.5100	보상요청	11	비교차일드	파워트렌치®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		FDS99		MOSFET(금속)	900mW		8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.21.0095	2,500	2 P채널(듀얼)							20V	4.9A		46m옴 @ 4.9A, 4.5V	250μA에서 1.5V	15nC @ 4.5V		985pF @ 10V	게임 레벨 레벨
HUF76139P3	0.9500	보상요청	12	비교차일드	-	대부분	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.	EAR99	8541.29.0095	1			N채널					30V	75A(Tc)	4.5V, 10V	7.5m옴 @ 75A, 10V	3V @ 250μA	78nC @ 10V	±20V	2700pF @ 25V	-	165W(Tc)
MM3Z6V2B	0.0300	보상요청	18	비교차일드	-	대부분	활동적인	±2%	-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-90, SOD-323F					200mW		SOD-323F	다운로드				EAR99	8541.10.0050	1																					1V @ 10mA		2.7μA @ 4V															6.2V	9옴
FSBF15CH60BTH	15.9000	보상요청	259	비교차일드	모션-SPM®	대부분	활동적인			스루홀	27-PowerDIP 모듈(1.205", 30.60mm)	IGBT	FSBF1						-	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우	EAR99	8542.39.0001	19	3상				15A	600V	2500Vrms
RFP14N05L	0.4000	보상요청	19	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수			EAR99	8541.29.0095	400			N채널					50V	14A(TC)	5V	100m옴 @ 14A, 5V	2V @ 250μA	40nC @ 10V	±10V	25V에서 670pF	-	48W(Tc)
HUF75842P3	-	보상요청	1670년	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)			TO-220-3	다운로드				EAR99	8542.39.0001	1			N채널					150V	43A(Tc)	10V	42m옴 @ 43A, 10V	4V @ 250μA	175nC @ 20V	±20V	2730pF @ 25V	-	230W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²