SIC
close

불연속 불연속 제품 (5255)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FQU3N40TU Fairchild Semiconductor fqu3n40tu 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.4ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
BZX84C27 Fairchild Semiconductor BZX84C27 0.0200
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
FDMC0222 Fairchild Semiconductor FDMC0222 0.1400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDMC02 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 -
FDPF7N60NZT Fairchild Semiconductor fdpf7n60nzt 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Unifet-II ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 6.5A (TC) 10V 1.25ohm @ 3.25a, ​​10V 5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 730 pf @ 25 v - 33W (TC)
NDB6060L Fairchild Semiconductor NDB6060L 1.0000
RFQ
 ECAD 1081 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 60 v 48A (TC) 5V, 10V 20mohm @ 24a, 10V 2V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 16V 2000 pf @ 25 v - 100W (TC)
FQN1N60CBU Fairchild Semiconductor fqn1n60cbu -
RFQ
 ECAD 2920 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET (금속 (() To-92-3 - Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 300MA (TC) 10V 11.5ohm @ 150ma, 10V 4V @ 250µA 6.2 NC @ 10 v ± 30V 170 pf @ 25 v - 1W (TA), 3W (TC)
FQPF5N50C Fairchild Semiconductor FQPF5N50C 1.0000
RFQ
 ECAD 5408 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 38W (TC)
FDMD8900 Fairchild Semiconductor FDMD8900 0.9900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-powerwdfn FDMD89 MOSFET (금속 (() 2.1W 12-power3.3x5 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 30V 19a, 17a 4mohm @ 19a, 10V 2.5V @ 250µA 35NC @ 10V 2605pf @ 15V -
HUFA75343G3 Fairchild Semiconductor HUFA75343G3 1.0200
RFQ
 ECAD 821 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 150 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 205 NC @ 20 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 270W (TC)
FDPF13N50NZ Fairchild Semiconductor fdpf13n50nz 1.0000
RFQ
 ECAD 4735 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Unifet-II ™ 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FDPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 500 v 12a 540mohm @ 6a, 10V 5V @ 250µA 39 NC @ 10 v 1930 pf @ 25 v - 42W (TC)
FDS9933BZ Fairchild Semiconductor FDS9933BZ 0.5100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS99 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 4.9A 46mohm @ 4.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 15NC @ 4.5V 985pf @ 10V 논리 논리 게이트
FDP6676S Fairchild Semiconductor FDP6676S 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 76A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 38a, 10V 3V @ 1mA 56 NC @ 5 v ± 16V 4853 pf @ 15 v - 70W (TC)
KSC2669YTA Fairchild Semiconductor KSC2669YTA 0.0200
RFQ
 ECAD 9489 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 200 MW 92S 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,752 30 v 30 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 1ma, 10ma 120 @ 2MA, 12V 250MHz
BC546 Fairchild Semiconductor BC546 0.0400
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
MMBZ5234B Fairchild Semiconductor MMBZ5234B -
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
BZX84C13 Fairchild Semiconductor BZX84C13 0.0200
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C13 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
HUF76121P3 Fairchild Semiconductor HUF76121P3 0.4000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 47A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 47a, 10V 3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 850 pf @ 25 v - 75W (TC)
2SA1943RTU Fairchild Semiconductor 2SA1943RTU 2.7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA 150 W. HPM F2 다운로드 귀 99 8541.29.0075 109 250 v 17 a 5µA (ICBO) PNP 3V @ 800ma, 8a 55 @ 1a, 5V 30MHz
FDPF5N50UTYDTU Fairchild Semiconductor FDPF5N50UTYDTU 0.6300
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDPF5N - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 -
SI6426DQ Fairchild Semiconductor SI6426DQ 0.1900
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 5.4A (TA) 2.5V, 4.5V 35mohm @ 5.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 710 pf @ 10 v - 1.1W (TA)
2SD1111-AA Fairchild Semiconductor 2SD1111-AA 0.1200
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 600MW 3-NP 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 700 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.2v @ 100µa, 100ma 5000 @ 50MA, 2V 200MHz
RURG3060CC-F085 Fairchild Semiconductor RURG3060CC-F085 -
RFQ
 ECAD 6082 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 TO-247 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 30A 1.5 V @ 30 a 80 ns 250 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C
FDPF18N20FT Fairchild Semiconductor fdpf18n20ft -
RFQ
 ECAD 1903 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 1180 pf @ 25 v - 41W (TC)
MMBT2222A Fairchild Semiconductor MMBT2222A -
RFQ
 ECAD 8163 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 350 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 40 v 500 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
BZX85C5V6 Fairchild Semiconductor BZX85C5V6 0.0300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% - 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85C5 1.3 w DO-41G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 7 옴
MBRP2045NTU Fairchild Semiconductor MBRP2045NTU 0.3000
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBRP2045 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 800 mV @ 20 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
SGF23N60UFTU Fairchild Semiconductor sgf23n60uftu 1.4200
RFQ
 ECAD 154 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 SGF23N60 기준 75 w to-3pf 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 300V, 12a, 23ohm, 15V - 600 v 23 a 92 a 2.6V @ 15V, 12a 115µJ (on), 135µJ (OFF) 17ns/60ns
FDFS2P102 Fairchild Semiconductor FDFS2P102 0.4300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 20 v 3.3A (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 3.3a, 10V 2V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 900MW (TA)
FDB8896 Fairchild Semiconductor FDB8896 0.9100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 330 n 채널 30 v 19A (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 2525 pf @ 15 v - 80W (TC)
RGP10G Fairchild Semiconductor RGP10G 0.0700
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-RGP10G-600039 4,991 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다