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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
HUF75637S3ST Fairchild Semiconductor HUF75637S3st 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 44A (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4V @ 250µA 108 NC @ 20 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 155W (TC)
HUFA76413DK8 Fairchild Semiconductor HUFA76413DK8 0.3100
RFQ
 ECAD 5694 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HUFA76413 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 291 2 n 채널 (채널) 60V 5.1A (TC) 49mohm @ 5.1a, 10V 3V @ 250µA 23NC @ 10V 620pf @ 25v 논리 논리 게이트
FDS4885C Fairchild Semiconductor FDS4885C 1.0000
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS48 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1 n 및 p 채널 40V 7.5A, 6A 22mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250µA 21NC @ 10V 900pf @ 20V -
FDMB3800N Fairchild Semiconductor FDMB3800N -
RFQ
 ECAD 6599 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMB3800 MOSFET (금속 (() 750MW 8-mlp,, 펫 (3x1.9) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 587 2 n 채널 (채널) 30V 4.8a 4.8A, 10V 40mohm 3V @ 250µA 5.6NC @ 5V 465pf @ 15V 논리 논리 게이트
NDS8858H Fairchild Semiconductor NDS8858H 0.5300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDS885 MOSFET (금속 (() 1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 6.3a, 4.8a 35mohm @ 4.8a, 10V 2.8V @ 250µA 30NC @ 10V 720pf @ 15V 논리 논리 게이트
RF1K4909096 Fairchild Semiconductor RF1K4909096 0.6200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RF1K4 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 12V 3.5A (TA) 50mohm @ 3.5a, 5V 2V @ 250µA 25NC @ 10V 750pf @ 10V 논리 논리 게이트
FDR8308P Fairchild Semiconductor fdr8308p 0.2900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSP (0.130 ", 3.30mm 너비) FDR83 MOSFET (금속 (() 800MW SUPERSOT ™ -8 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.2A 50mohm @ 3.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 19NC @ 4.5V 1240pf @ 10V 논리 논리 게이트
FDMS3616S Fairchild Semiconductor FDMS3616S 0.8300
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 표면 표면 8-powertdfn FDMS3616 MOSFET (금속 (() 1W 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 25V 16a, 18a 6.6mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 27NC @ 10V 1765pf @ 13v 논리 논리 게이트
FDS4935 Fairchild Semiconductor FDS4935 1.0000
RFQ
 ECAD 6688 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS49 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 7a 23mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 21NC @ 5V 1233pf @ 15V 논리 논리 게이트
BC560CTA Fairchild Semiconductor BC560CTA 1.0000
RFQ
 ECAD 1751 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC560 500MW To-92-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 150MHz
BD17910STU Fairchild Semiconductor BD17910STU 0.4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 30 w TO-126-3 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-BD17910STU-600039 1 80 v 3 a 100µA (ICBO) NPN 800mv @ 100ma, 1a 63 @ 150ma, 2V 3MHz
SI9926DY Fairchild Semiconductor Si9926Dy 0.2200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9926 MOSFET (금속 (() 900MW (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 20V 6.5A (TA) 30mohm @ 6.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V 700pf @ 10V -
HGTP3N60A4 Fairchild Semiconductor HGTP3N60A4 -
RFQ
 ECAD 2404 0.00000000 페어차일드 페어차일드 SMPS 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 70 W. TO-220-3 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HGTP3N60A4-600039 1 390V, 3A, 50ohm, 15V - 600 v 17 a 40 a 2.7V @ 15V, 3A 37µJ (on), 25µJ (OFF) 21 NC 6ns/73ns
FDC6432SH Fairchild Semiconductor FDC6432SH 0.4400
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench®, SyncFet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC6432 MOSFET (금속 (() 700MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V, 12V 2.4A, 2.5A 90mohm @ 2.4a, 10V 3V @ 1mA 3.5NC @ 5V 270pf @ 15V 논리 논리 게이트
TIP120TU-F129 Fairchild Semiconductor TIP120TU-F129 -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - 귀 99 8541.29.0095 1
FGL40N120ANTU Fairchild Semiconductor fgl40n120antu 8.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA 기준 500 W. HPM F2 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 600V, 40A, 5ohm, 15V NPT 1200 v 64 a 160 a 3.2V @ 15V, 40A 2.3mj (on), 1.1mj (OFF) 220 NC 15ns/110ns
FDS8928A Fairchild Semiconductor FDS8928A 1.0000
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 n 및 p 채널 30V, 20V 5.5A, 4A 30mohm @ 5.5a, 4.5v 1V @ 250µA 28NC @ 4.5V 900pf @ 10V 논리 논리 게이트
FDD8882 Fairchild Semiconductor FDD8882 0.5100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 588 n 채널 30 v 12.6A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1260 pf @ 15 v - 55W (TC)
FJL4315OTU Fairchild Semiconductor fjl4315otu 2.5900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA 150 W. HPM F2 다운로드 귀 99 8542.39.0001 126 250 v 17 a 5µA (ICBO) NPN 3V @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5V 30MHz
KSH117TF Fairchild Semiconductor KSH117TF -
RFQ
 ECAD 3635 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 1.75 w TO-252-3 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 2,000 100 v 2 a 20µA pnp- 달링턴 3V @ 40MA, 4A 1000 @ 2a, 3v 25MHz
TIP120TU Fairchild Semiconductor TIP120TU 0.4600
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2 w TO-220-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 647 60 v 5 a 500µA npn-달링턴 4V @ 20MA, 5A 1000 @ 3A, 3V -
FCPF36N60NT Fairchild Semiconductor fcpf36n60nt 5.9800
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Supremos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 600 v 36A (TC) 10V 90mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 112 NC @ 10 v ± 30V 4785 pf @ 100 v - -
TIP29A Fairchild Semiconductor tip29a -
RFQ
 ECAD 7289 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 889 60 v 1 a 300µA NPN 700mv @ 125ma, 1a 40 @ 200ma, 4v 3MHz
FDD068AN03L Fairchild Semiconductor FDD068AN03L 0.6100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2525 pf @ 15 v - 80W (TC)
FMG2G75US60 Fairchild Semiconductor FMG2G75US60 35.4500
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 7시 310 w 기준 오후 7시 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 - 600 v 75 a 2.8V @ 15V, 75A 250 µA 아니요 7.056 NF @ 30 v
FQI1P50TU Fairchild Semiconductor fqi1p50tu 1.0000
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 500 v 1.5A (TC) 10V 10.5ohm @ 750ma, 10V 5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 63W (TC)
FDW2510NZ Fairchild Semiconductor FDW2510NZ 0.7200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) FDW25 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 6.4a 24mohm @ 6.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12NC @ 4.5V 870pf @ 10V 논리 논리 게이트
FQA9N90-F109 Fairchild Semiconductor FQA9N90-F109 2.5700
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA9 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 900 v 8.6A (TC) 10V 1.3ohm @ 4.3a, 10V 5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 30V 2700 pf @ 25 v - 240W (TC)
BC858BMTF Fairchild Semiconductor BC858BMTF 0.0200
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 150MHz
1N5256BTR Fairchild Semiconductor 1N5256Btr 0.0200
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5256 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 23 v 30 v 49 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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