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불연속 불연속 제품 (5251)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BC560ABU Fairchild Semiconductor BC560ABU 0.0200
RFQ
 ECAD 6659 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 13,975 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
FDS7296N3 Fairchild Semiconductor FDS7296N3 1.0700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1540 pf @ 15 v - 3W (TA)
RFD3055LESM Fairchild Semiconductor RFD3055LESM 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,255 n 채널 60 v 11A (TC) 5V 107mohm @ 8a, 5V 3V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v ± 16V 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
BC80825MTF Fairchild Semiconductor BC80825MTF 0.0400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 25 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
FDW262P Fairchild Semiconductor FDW262P 0.5700
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 20 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 47mohm @ 4.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 8V 1193 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
2SA1319S-AA Fairchild Semiconductor 2SA1319S-AA 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-2SA1319S-AA-600039 1
HUFA75345P3 Fairchild Semiconductor hufa75345p3 2.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 275 NC @ 20 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 325W (TC)
SS9013GBU Fairchild Semiconductor SS9013GBU 0.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1,000 20 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 50ma, 500ma 112 @ 50MA, 1V -
FDBL9403-F085 Fairchild Semiconductor FDBL9403-F085 -
RFQ
 ECAD 3363 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 240A (TC) 10V 0.9mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 188 NC @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 25 v - 357W (TJ)
HUF76113T3ST Fairchild Semiconductor HUF76113T3ST 0.5500
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 4.7A (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 4.7a, 10V 3V @ 250µA 20.5 nc @ 10 v ± 20V 625 pf @ 25 v - 1.1W (TA)
MMBZ5238B Fairchild Semiconductor MMBZ5238B 0.0200
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 500 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 6.5 v 8.7 v 8 옴
1N5380BG Fairchild Semiconductor 1N5380BG -
RFQ
 ECAD 7314 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 T-18, 축, 5 w 축 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 91.2 v 120 v 170 옴
FQA6N80 Fairchild Semiconductor fqa6n80 1.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 6.3A (TC) 10V 1.95ohm @ 3.15a, 10V 5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 30V 1500 pf @ 25 v - 185W (TC)
FDD5N50FTM Fairchild Semiconductor fdd5n50ftm 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 3.5A (TC) 10V 1.55ohm @ 1.75a, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 650 pf @ 25 v - 40W (TC)
BAV21-T50A Fairchild Semiconductor BAV21-T50A 244.9900
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) - 2156-BAV21-T50A 2 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 250 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 175 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
FJL42150TU Fairchild Semiconductor FJL42150TU 1.6200
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
FDMS5362LF085 Fairchild Semiconductor FDMS5362LF085 -
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 귀 99 8542.29.0095 526 n 채널 60 v 17.6A (TC) 4.5V, 10V 33mohm @ 17.6a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 878 pf @ 25 v - 41.7W (TJ)
FDS7064N Fairchild Semiconductor FDS7064N 1.2700
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V 7.5mohm @ 16a, 4.5v 2V @ 250µA 48 NC @ 4.5 v ± 12V 3355 pf @ 15 v - 3W (TA)
FDMS86252L Fairchild Semiconductor FDMS86252L -
RFQ
 ECAD 9092 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-FDMS86252L 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 150 v 4.4A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 56mohm @ 4.4a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1335 pf @ 75 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
FJV3115RMTF Fairchild Semiconductor fjv3115rmtf -
RFQ
 ECAD 7742 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 fjv311 200 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
IRFW540ATM Fairchild Semiconductor IRFW540ATM 0.6900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 28A (TC) 10V 52mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1710 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 107W (TC)
FQU2N60TU Fairchild Semiconductor fqu2n60tu 0.6700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.7ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
MMBT2369A Fairchild Semiconductor MMBT2369A -
RFQ
 ECAD 3975 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2369 225 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 15 v 200 MA 400NA (ICBO) NPN 500mv @ 10ma, 100ma 40 @ 10ma, 1v -
1N5408 Fairchild Semiconductor 1N5408 1.0000
RFQ
 ECAD 1378 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5408 기준 DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,250 짐 1000 v 1.2 v @ 3 a 1.5 µs 200 na @ 1000 v -50 ° C ~ 175 ° C 3A -
HUF76139S3ST Fairchild Semiconductor HUF76139S3st 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 75a, 10V 3V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 165W (TC)
MMBFJ310 Fairchild Semiconductor MMBFJ310 -
RFQ
 ECAD 1654 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 25 v TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBFJ3 450MHz JFET SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 n 채널 60ma 10 MA - 12db 3db 10 v
FQB7N10TM Fairchild Semiconductor FQB7N10TM 0.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 7.3A (TC) 10V 350mohm @ 3.65a, 10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 25V 250 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 40W (TC)
HUF76013P3 Fairchild Semiconductor HUF76013P3 0.2900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 20 v 20A (TC) 5V, 10V 22MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 624 pf @ 20 v - 50W (TC)
FDW2503NZ Fairchild Semiconductor FDW2503NZ 0.5500
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) FDW25 MOSFET (금속 (() 600MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 5.5A 20mohm @ 5.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 1286pf @ 10V 논리 논리 게이트
FDB33N25TM Fairchild Semiconductor FDB33N25TM -
RFQ
 ECAD 7869 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 250 v 33A (TC) 10V 94mohm @ 16.5a, 10V 5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 2135 pf @ 25 v - 235W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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