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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
FD6M033N06 Fairchild Semiconductor FD6M033N06 3.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Power-SPM ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 EPM15 FD6M033 MOSFET (금속 (() - EPM15 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 19 2 n 채널 (채널) 60V 73A 3.3mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 129NC @ 10V 6010pf @ 25V -
FDMC7200 Fairchild Semiconductor FDMC7200 -
RFQ
 ECAD 9382 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMC72 MOSFET (금속 (() 700MW, 900MW 8-power33 (3x3) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 30V 6a, 8a 23.5mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 10nc @ 10v 660pf @ 15V 논리 논리 게이트
FQAF9P25 Fairchild Semiconductor fqaf9p25 1.1300
RFQ
 ECAD 590 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 p 채널 250 v 7.1A (TC) 10V 620mohm @ 3.55a, 10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1180 pf @ 25 v - 70W (TC)
FQAF90N08 Fairchild Semiconductor FQAF90N08 2.3700
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 80 v 56A (TC) 10V 16mohm @ 28a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 25V 3250 pf @ 25 v - 100W (TC)
FDMA6023PZT Fairchild Semiconductor FDMA6023PZT 0.3800
RFQ
 ECAD 369 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 FDMA6023 MOSFET (금속 (() 700MW 6 x 2 (2x2) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 792 2 p 채널 (채널) 20V 3.6a 60mohm @ 3.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 885pf @ 10V 논리 논리 게이트
BC560C Fairchild Semiconductor BC560C 0.0700
RFQ
 ECAD 6745 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 2156-BC560C-FS 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 250mv @ 5ma, 100ma 380 @ 2MA, 5V 250MHz
KSH31CTM Fairchild Semiconductor KSH31CTM 0.2000
RFQ
 ECAD 7502 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 1.56 w TO-252-3 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 450 100 v 3 a 50µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 10 @ 3a, 4v 3MHz
FLZ36VC Fairchild Semiconductor FLZ36VC 0.0200
RFQ
 ECAD 9474 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 4,513 1.2 v @ 200 ma 133 NA @ 27 v 34.3 v 63 옴
FJN4310RBU Fairchild Semiconductor fjn4310rbu 0.0200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN431 300MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 1,000 40 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 200MHz 10 KOHMS
IN5258B Fairchild Semiconductor in5258b -
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% 구멍을 구멍을 축 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1
HUF75637S3ST Fairchild Semiconductor HUF75637S3st 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 44A (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4V @ 250µA 108 NC @ 20 v ± 20V 1700 pf @ 25 v - 155W (TC)
FDS6672A Fairchild Semiconductor FDS6672A 1.6500
RFQ
 ECAD 259 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12.5A (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 14a, 10V 2V @ 250µA 46 NC @ 4.5 v ± 12V 5070 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
BZX85C13 Fairchild Semiconductor BZX85C13 0.0300
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 귀 99 8541.10.0050 10,230 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 9.1 v 13 v 10 옴
BCP68 Fairchild Semiconductor BCP68 0.0500
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.5 w SOT-223-4 - 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BCP68-600039 1 20 v 1 a 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V -
BZX84C33 Fairchild Semiconductor BZX84C33 -
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
KSB1366G Fairchild Semiconductor KSB1366G 0.2000
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2 w TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,170 60 v 3 a 100µA (ICBO) PNP 1V @ 200MA, 2A 150 @ 500ma, 5V 9MHz
FDZ375P Fairchild Semiconductor FDZ375P 1.5400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (금속 (() 4-WLCSP (1x1) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 p 채널 20 v 3.7A (TA) 1.5V, 4.5V 78mohm @ 2a, 4.5v 1.2V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 8V 865 pf @ 10 v - 1.7W (TA)
FDU6296 Fairchild Semiconductor FDU6296 0.5300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 15A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 31.5 nc @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
KSE13003TH2ATU Fairchild Semiconductor KSE13003th2atu 0.4600
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 20 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 400 v 1.5 a - NPN 3V @ 500MA, 1.5A 14 @ 500ma, 2v 4MHz
FQPF2N90 Fairchild Semiconductor FQPF2N90 1.2000
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 1.4A (TC) 10V 7.2ohm @ 700ma, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 500 pf @ 25 v - 35W (TC)
1N4148_NL Fairchild Semiconductor 1N4148_NL 0.0200
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4148 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 175 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
KSB1116GTA Fairchild Semiconductor KSB1116GTA 0.0400
RFQ
 ECAD 2375 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 750 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 1,855 50 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 50ma, 1a 200 @ 100ma, 2v 120MHz
FQD16N15TM Fairchild Semiconductor FQD16N15TM 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 11.8A (TC) 10V 160mohm @ 5.9a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 25V 910 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 55W (TC)
MM3Z16VC Fairchild Semiconductor MM3Z16VC -
RFQ
 ECAD 1740 0.00000000 페어차일드 페어차일드 기음 대부분 활동적인 ± 5% 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323F - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MM3Z16VC-600039 1 1 V @ 10 ma 45 NA @ 11.2 v 16 v 37 옴
RFP4N05L Fairchild Semiconductor RFP4N05L 0.5300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-RFP4N05L-600039 1
FQA7N80C Fairchild Semiconductor fqa7n80c 1.0100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 1.9ohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1680 pf @ 25 v - 198W (TC)
FDMS3606AS Fairchild Semiconductor FDMS3606AS 1.0900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS3606 MOSFET (금속 (() 1W 8-pqfn (5x6) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 13a, 27a 8mohm @ 13a, 10V 2.7V @ 250µA 29NC @ 10V 1695pf @ 15V 논리 논리 게이트
2SD1111-AA Fairchild Semiconductor 2SD1111-AA 0.1200
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 600MW 3-NP 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 700 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.2v @ 100µa, 100ma 5000 @ 50MA, 2V 200MHz
1N458ATR Fairchild Semiconductor 1N458AT 0.0300
RFQ
 ECAD 278 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 (DO-204AH) 다운로드 귀 99 8541.10.0070 11,539 짐 150 v 1 v @ 100 ma 25 µa @ 125 v 175 ° C (°) 500ma -
MPSA14D26Z Fairchild Semiconductor MPSA14D26Z -
RFQ
 ECAD 9603 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 30 v 1.2 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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