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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SS12FP Fairchild Semiconductor SS12FP 0.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 SOD-123H Schottky SOD-123HE 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
TIP115 Fairchild Semiconductor tip115 1.0000
RFQ
 ECAD 4881 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 tip115 2 w TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 60 v 2 a 2MA pnp- 달링턴 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4v -
FSB70550 Fairchild Semiconductor FSB70550 6.6400
RFQ
 ECAD 897 0.00000000 페어차일드 페어차일드 spm® 7 대부분 활동적인 표면 표면 27-powerlqfn 모듈 MOSFET 다운로드 귀 99 8542.39.0001 49 3 단계 5.3 a 500 v 1500VRMS
FJP2145TU Fairchild Semiconductor FJP2145TU 1.0000
RFQ
 ECAD 4498 0.00000000 페어차일드 페어차일드 ESBC ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FJP214 120 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 800 v 5 a 10µA (ICBO) NPN 2V @ 300MA, 1.5A 20 @ 200ma, 5V 15MHz
BCP68 Fairchild Semiconductor BCP68 0.0500
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.5 w SOT-223-4 - 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BCP68-600039 1 20 v 1 a 10µA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V -
FQAF9P25 Fairchild Semiconductor fqaf9p25 1.1300
RFQ
 ECAD 590 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 p 채널 250 v 7.1A (TC) 10V 620mohm @ 3.55a, 10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1180 pf @ 25 v - 70W (TC)
FDG330P Fairchild Semiconductor fdg330p 0.3400
RFQ
 ECAD 219 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 2A (TA) 110mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 7 NC @ 4.5 v ± 8V 477 pf @ 6 v - 480MW (TA)
GF1G Fairchild Semiconductor GF1G -
RFQ
 ECAD 4274 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 짐 400 v 1 V @ 1 a 2 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BC560C Fairchild Semiconductor BC560C 0.0700
RFQ
 ECAD 6745 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 2156-BC560C-FS 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 250mv @ 5ma, 100ma 380 @ 2MA, 5V 250MHz
FDB0170N607L Fairchild Semiconductor FDB0170N607L -
RFQ
 ECAD 3824 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 60 v 300A (TC) 10V 1.4mohm @ 39a, 10V 4V @ 250µA 243 NC @ 10 v ± 20V 19250 pf @ 30 v - 3.8W (TA), 250W (TC)
FD6M033N06 Fairchild Semiconductor FD6M033N06 3.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Power-SPM ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 EPM15 FD6M033 MOSFET (금속 (() - EPM15 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 19 2 n 채널 (채널) 60V 73A 3.3mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 129NC @ 10V 6010pf @ 25V -
IN5258B Fairchild Semiconductor in5258b -
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% 구멍을 구멍을 축 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1
FSBS5CH60 Fairchild Semiconductor FSBS5CH60 21.5100
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 페어차일드 페어차일드 spm® 3 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 27-powerdip ip (1.205 ", 30.60mm) IGBT FSBS5 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 16 3 단계 5 a 600 v 2500VRMS
KSA992PTA Fairchild Semiconductor KSA992PTA -
RFQ
 ECAD 7772 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 500MW To-92-3 - Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 120 v 50 MA 1µA PNP 300mv @ 1ma, 10ma 200 @ 1ma, 6v 100MHz
KSB1116GTA Fairchild Semiconductor KSB1116GTA 0.0400
RFQ
 ECAD 2375 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 750 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 1,855 50 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 50ma, 1a 200 @ 100ma, 2v 120MHz
KSE13003TH2ATU Fairchild Semiconductor KSE13003th2atu 0.4600
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 20 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 400 v 1.5 a - NPN 3V @ 500MA, 1.5A 14 @ 500ma, 2v 4MHz
FDU6296 Fairchild Semiconductor FDU6296 0.5300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 15A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 31.5 nc @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
FQPF2N90 Fairchild Semiconductor FQPF2N90 1.2000
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 1.4A (TC) 10V 7.2ohm @ 700ma, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 500 pf @ 25 v - 35W (TC)
1N4148_NL Fairchild Semiconductor 1N4148_NL 0.0200
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4148 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 175 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
KSP06TA Fairchild Semiconductor KSP06TA 0.0500
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-KSP06TA-600039 1 80 v 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 1V 100MHz
KSB1366G Fairchild Semiconductor KSB1366G 0.2000
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2 w TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,170 60 v 3 a 100µA (ICBO) PNP 1V @ 200MA, 2A 150 @ 500ma, 5V 9MHz
BC307B Fairchild Semiconductor BC307B 0.0400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA PNP 300MV @ 500µA, 10MA 180 @ 2MA, 5V 130MHz
FQPF13N10 Fairchild Semiconductor FQPF13N10 0.6100
RFQ
 ECAD 146 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 8.7A (TC) 10V 180mohm @ 4.35a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 25V 450 pf @ 25 v - 30W (TC)
HUFA75645P3 Fairchild Semiconductor hufa75645p3 1.1800
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 238 NC @ 20 v ± 20V 3790 pf @ 25 v - 310W (TC)
1N914BTR Fairchild Semiconductor 1N914btr 0.0300
RFQ
 ECAD 186 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 다운로드 귀 99 8541.10.0070 11,539 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 175 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
FQD16N15TM Fairchild Semiconductor FQD16N15TM 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 11.8A (TC) 10V 160mohm @ 5.9a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 25V 910 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 55W (TC)
FDT434P Fairchild Semiconductor FDT434P 1.0000
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FDT43 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 4,000 p 채널 20 v 6A (TA) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 8V 1187 pf @ 10 v - 3W (TA)
KSB564AYTA Fairchild Semiconductor KSB564AYTA 0.0500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 800MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 1V 110MHz
FQP2N50 Fairchild Semiconductor FQP2N50 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 2.1A (TC) 10V 5.3ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 55W (TC)
SI3447DV Fairchild Semiconductor SI3447DV -
RFQ
 ECAD 8313 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 5.5A (TA) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 5.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 8V 1926 pf @ 10 v - 800MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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