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디스크리트 반도체(5251)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	테스트 조건	자연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)
FQPF5N50C	1.0000	보상요청	5408	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	50			N채널		500V	5A(Tc)	10V	1.4옴 @ 2.5A, 10V	4V @ 250μA	24nC @ 10V	±30V	25V에서 625pF	-	38W(Tc)
FDMC6680AZ	0.2000	보상요청	18	비교차일드	*	대부분	활동적인					FDMC6680		-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	3,000													-
FQB19N20CTM	1.0000	보상요청	3683	비교차일드	QFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1			N채널		200V	19A(TC)	10V	170m옴 @ 9.5A, 10V	4V @ 250μA	53nC @ 10V	±30V	25V에서 1080pF	-	3.13W(Ta), 139W(Tc)
1N968BTR	0.0400	보상요청	35	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				500mW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0050	5,000																				15.2V에서 5μA													20V	25옴
FLZ13VC	0.0200	보상요청	7129	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±3%	-65°C ~ 175°C	표면 실장	DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80				500mW	SOD-80	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0050	8,515																		1.2V @ 200mA		133nA @ 10V													13.3V	11.4옴
FDA38N30	-	보상요청	4934	비교차일드	UniFET™	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET(금속)		TO-3PN	다운로드						0000.00.0000	1			N채널		300V	38A(Tc)	10V	85m옴 @ 19A, 10V	5V @ 250μA	60nC @ 10V	±30V	25V에서 2600pF	-	312W(Tc)
BC560C	0.0700	보상요청	6745	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92 (TO-226)	다운로드	ROHS3 준수			2156-BC560C-FS	EAR99	8541.21.0075	5,000																									45V	100mA						15nA(ICBO)			PNP	250mV @ 5mA, 100mA	380 @ 2mA, 5V	250MHz
ISL9V3036P3	1.4100	보상요청	3	비교차일드	EcoSPARK®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		논리		150W	TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	400				300V, 1k옴, 5V																				-	360V	21A		1.6V @ 4V, 6A	-	17nC	-/4.8μs
FDH300A_NL	0.5700	보상요청	14	비교차일드	-	대부분	활동적인			스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향			기준		DO-35	-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도														125V		1V @ 200mA		125V에서 1nA	175°C(최대)	200mA	6pF @ 0V, 1MHz
337년	1.0000	보상요청	6122	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록				625mW	TO-92 (TO-226)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	2,000																									45V	800mA						100nA			NPN	700mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 1V	210MHz
HUF76132S3ST	0.9800	보상요청	9	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		TO-263AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	800			N채널		30V	75A(Tc)	4.5V, 10V	11m옴 @ 75A, 10V	3V @ 250μA	52nC @ 10V	±20V	25V에서 1650pF	-	120W(Tc)
FFAF05U120DNTU	1.0600	보상요청	699	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			스루홀	TO-3P-3 풀팩			기준		TO-3PF	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0080	30		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)													1쌍씩 시작됩니다	1200V	5A	3.5V @ 5A	100ns	1200V에서 5μA	-65°C ~ 150°C
BSR15	-	보상요청	1370	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSR15			350mW	SOT-23-3	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000																									40V	800mA						20nA(ICBO)			PNP	1.6V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	200MHz
FGP3040G2	1.0100	보상요청	3	비교차일드	*	대부분	활동적인										-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1
FPF1C2P5BF07A	71.4300	보상요청	433	비교차일드	-	대부분	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	방역	F1 모듈	FPF1C2		MOSFET(금속)	250W	F1	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	5N채널(광태양인터)				650V	36A		90m옴 @ 27A, 10V	3.8V @ 250μA	-		-	-
BSS138K	-	보상요청	2650	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET(금속)		SOT-23-3	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	1			N채널		50V	220mA(타)	1.8V, 2.5V	1.6옴 @ 50mA, 5V	1.2V @ 250μA	2.4nC @ 10V	±12V	25V에서 58pF	-	350mW(타)
RGF1B	0.1300	보상요청	20	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	DO-214AC, SMA			기준		DO-214AC(SMA)	다운로드					EAR99	8541.10.0080	2,392		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)														100V		1.3V @ 1A	150ns	100V에서 5μA	-65°C ~ 175°C	1A	8.5pF @ 4V, 1MHz
BZX79C10	0.0300	보상요청	203	비교차일드	-	대부분	활동적인	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				500mW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드					EAR99	8541.10.0050	11,539																		1.5V @ 100mA		200nA @ 7V													10V	20옴
FJAF6810AYDTBTU	0.5100	보상요청	4819	비교차일드	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3 풀팩				60W	TO-3PF	-	ROHS3 준수			2156-FJAF6810AYDTBTU-FS	EAR99	8541.29.0095	30																									750V	10A						1mA			NPN	3V @ 1.5A, 6A	5 @ 6A, 5V	-
FDS8958A	-	보상요청	9962	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인			표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	FDS89		MOSFET(금속)	900mW	8-SOIC	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1	N 및 P 채널				30V	7A, 5A		28m옴 @ 7A, 10V	3V @ 250μA	16nC @ 10V		575pF @ 15V	게임 레벨 레벨
FDB6035L	3.4000	보상요청	800	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-65°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		TO-263AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	800			N채널		30V	58A(티씨)	4.5V, 10V	11m옴 @ 26A, 10V	3V @ 250μA	46nC @ 10V	±20V	1230pF @ 15V	-	75W(Tc)
FJY4011R	0.0200	보상요청	9581	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	SC-89, SOT-490	FJY401			200mW	SOT-523F	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0075	3,000																									40V	100mA						100nA(ICBO)			PNP - 사전 바이어스됨	300mV @ 1mA, 10mA	100 @ 1mA, 5V	200MHz	22kΩ
1N6011B	1.8400	보상요청	20	비교차일드	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	±5%	-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				500mW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.10.0050	163																		1.2V @ 200mA		100nA @ 23V													30V	78옴
SGL25N120RUFTU	1.0000	보상요청	6403	비교차일드	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-264-3, TO-264AA	SGL25N	기준		270W		다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1				600V, 25A, 10옴, 15V																				-	1200V	40A	75A	3V @ 15V, 25A	1.6mJ(켜짐), 1.63mJ(꺼짐)	165nC	30ns/70ns
FDB86102LZ	0.8700	보상요청	11	비교차일드	파워트렌치®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK (TO-263)	다운로드					EAR99	8542.39.0001	345			N채널		100V	8.3A(Ta), 30A(Tc)	4.5V, 10V	24m옴 @ 8.3A, 10V	3V @ 250μA	21nC @ 10V	±20V	50V에서 1275pF	-	3.1W(타)
HUF76129D3S	0.5400	보상요청	24	비교차일드	UltraFET™	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252-3(DPAK)	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1			N채널		30V	20A(TC)	4.5V, 10V	16m옴 @ 20A, 10V	3V @ 250μA	46nC @ 10V	±20V	25V에서 1425pF	-	105W(Tc)
FYD0504SATM	-	보상요청	5460	비교차일드	-	대부분	활동적인			표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	FYD05		쇼트키		D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.10.0080	2,500		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)														40V		550mV @ 5A		40V에서 1mA	-65°C ~ 150°C	5A	-
FQI6N60CTU	0.7000	보상요청	1	비교차일드	QFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK(TO-262)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널		600V	5.5A(Tc)	10V	2옴 @ 2.75A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 10V	±30V	25V에서 810pF	-	125W(Tc)
MMBT3906	-	보상요청	9960	비교차일드	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT			250mW	SOT-23-3(TO-236)	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000																									40V	200mA						50nA			PNP	400mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250MHz
ES1D-F080	-	보상요청	2274	비교차일드	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-ES1D-F080-600039			1

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²