| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC857CMTF | 0.0200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 310mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF1N50 | - | ![]() | 1398 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 900mA(Tc) | 10V | 9옴 @ 450mA, 10V | 5V @ 250μA | 5.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 150pF | - | 16W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z20V | 1.0000 | ![]() | 1416 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±6% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | 200mW | SOD-523F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 14V에서 50nA | 20V | 55옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C18 | 0.0300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1W | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2V @ 200mA | 12.5V에서 500nA | 18V | 20옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB6030BL | 3.2000 | ![]() | 82 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 40A(Tc) | 4.5V, 10V | 18m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 17nC @ 5V | ±20V | 15V에서 1160pF | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDV305N | - | ![]() | 6963 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 20V | 900mA(타) | 2.5V, 4.5V | 220m옴 @ 900mA, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 1.5nC @ 4.5V | ±12V | 109pF @ 10V | - | 350mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMS6G10US60 | 15.4500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 상자 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 오후 25시~AA | 66W | 삼상 다리 정류기 | 오후 25시~AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 삼상인버터 | - | 600V | 10A | 2.7V @ 15V, 10A | 250μA | 예 | 30V에서 710pF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8896_NL | 1.0000 | ![]() | 1286 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 17A(타), 94A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.7m옴 @ 35A, 10V | 2.5V @ 250μA | 60nC @ 10V | ±20V | 2525pF @ 15V | - | 80W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP3N80C | 0.7500 | ![]() | 53 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 401 | N채널 | 800V | 3A(TC) | 10V | 4.8옴 @ 1.5A, 10V | 5V @ 250μA | 16.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 705pF | - | 107W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1319S-AA | 0.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-2SA1319S-AA-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS12FP | 0.0800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-123H | 쇼트키 | SOD-123HE | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 20V | 450mV @ 1A | 20V에서 400μA | -55°C ~ 150°C | 1A | 80pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB834YTU | 0.4500 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 1.5W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60V | 3A | 100μA(ICBO) | PNP | 1V @ 300mA, 3A | 100 @ 500mA, 5V | 9MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FSBF15CH60CT | 21.6800 | ![]() | 56 | 0.00000000 | 비교차일드 | 모션-SPM® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | 27-PowerDIP 모듈(1.205", 30.60mm) | - | 다운로드 | 해당 없음 | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4672A | - | ![]() | 6057 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS4672 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 40V | 11A(타) | 4.5V | 13m옴 @ 11A, 4.5V | 2V @ 250μA | 49nC @ 4.5V | ±12V | 20V에서 4766pF | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSR1101MTF | 0.0700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | KSR1101 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 20 @ 10mA, 5V | 250MHz | 4.7kΩ | 4.7kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI3454DV | - | ![]() | 9310 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | MOSFET(금속) | SuperSOT™-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 671 | N채널 | 30V | 4.2A(타) | 4.5V, 10V | 65m옴 @ 4.2A, 10V | 2V @ 250μA | 15nC @ 10V | ±20V | 15V에서 460pF | - | 800mW(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1381CSTU | 0.1000 | ![]() | 7907 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 7W | TO-126-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 400 | 300V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP | 600mV @ 2mA, 20mA | 40 @ 10mA, 10V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z5V1C | 0.0300 | ![]() | 195 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | 200mW | SOD-323F | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1V @ 10mA | 1.8μA @ 2V | 5.1V | 56옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP400N80Z | - | ![]() | 1882년 | 0.00000000 | 비교차일드 | SuperFET® II | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 126 | N채널 | 800V | 14A(TC) | 10V | 400m옴 @ 5.5A, 10V | 4.5V @ 1.1mA | 56nC @ 10V | ±20V | 2350pF @ 1V | - | 195W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD117TF | 0.3000 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 1.75W | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-MJD117TF-600039 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100V | 2A | 20μA | PNP-달링턴 | 3V @ 40mA, 4A | 1000 @ 2A, 3V | 25MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP20B | 0.2400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AC, DO-15, 축방향 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,348 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 100V | 950mV @ 2A | 50ns | 100V에서 5μA | -65°C ~ 150°C | 2A | 70pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS3202RTA | - | ![]() | 5508 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 단기 캐리어 | FJNS32 | 300mW | TO-92S | - | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 30 @ 5mA, 5V | 250MHz | 10kΩ | 10kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP19N20C | 0.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 200V | 19A(TC) | 10V | 170m옴 @ 9.5A, 10V | 4V @ 250μA | 53nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1080pF | - | 139W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5249B_NL | 0.0200 | ![]() | 66 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2V @ 200mA | 100nA @ 14V | 19V | 23옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD3580 | 0.9600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 80V | 7.7A(타) | 6V, 10V | 29mΩ @ 7.7A, 10V | 4V @ 250μA | 49nC @ 10V | ±20V | 40V에서 1760pF | - | 3.8W(Ta), 42W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA1023PZ | - | ![]() | 3139 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-VDFN옆패드 | FDMA1023 | MOSFET(금속) | 700mW | 6-MicroFET(2x2) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 3.7A | 72m옴 @ 3.7A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 12nC @ 4.5V | 655pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDG330P | 0.3400 | ![]() | 219 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET(금속) | SC-88 (SC-70-6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 12V | 2A(타) | 110m옴 @ 2A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 7nC @ 4.5V | ±8V | 6V에서 477pF | - | 480mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6520TA | 1.0000 | ![]() | 5741 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 2N6520 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 350V | 500mA | 50nA(ICBO) | PNP | 1V @ 5mA, 50mA | 20 @ 50mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQU5N60CTU | 0.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 695 | N채널 | 600V | 2.8A(Tc) | 10V | 2.5옴 @ 1.4A, 10V | 4V @ 250μA | 19nC @ 10V | ±30V | 25V에서 670pF | - | 2.5W(Ta), 49W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N459-T50R | 0.0200 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 기준 | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | 해당 없음 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 200V | 1V @ 100mA | 175V에서 25nA | 175°C(최대) | 500mA | 6pF @ 0V, 1MHz |

일일 평균 견적 요청량

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