| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 저항 - RDS(켜짐) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSB1151YSTU | 0.3900 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 1.3W | TO-126-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 831 | 60V | 5A | 10μA(ICBO) | PNP | 300mV @ 200mA, 2A | 160 @ 2A, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC238A | 0.0500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25V | 100mA | 15nA | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 120 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF19N60 | 2.6500 | ![]() | 681 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N채널 | 600V | 11.2A(Tc) | 10V | 380m옴 @ 5.6A, 10V | 5V @ 250μA | 90nC @ 10V | ±30V | 3600pF @ 25V | - | 120W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC557BTF | - | ![]() | 5902 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 934 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQU3P20TU | 1.0100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | P채널 | 200V | 2.4A(Tc) | 10V | 2.7옴 @ 1.2A, 10V | 5V @ 250μA | 8nC @ 10V | ±30V | 25V에서 250pF | - | 2.5W(Ta), 37W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC15005 | 2.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | QC 터미널 | 4 평방, GBPC | 기준 | GBPC | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 121 | 1.1V @ 7.5A | 50V에서 5μA | 15A | 단상 | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76113DK8T | 0.5100 | ![]() | 77 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-VFSOP(0.091", 2.30mm 폭) | HUF76113 | MOSFET(금속) | 2.5W(타) | US8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 6A(타) | 32m옴 @ 6A, 10V | 3V @ 250μA | 19.2nC @ 10V | 605pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C11 | 0.0500 | ![]() | 9821 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3V @ 100mA | 100nA @ 8.5V | 11V | 20옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7200 | - | ![]() | 9382 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | FDMC72 | MOSFET(금속) | 700mW, 900mW | 8-전원33(3x3) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 6A, 8A | 23.5m옴 @ 6A, 10V | 3V @ 250μA | 10nC @ 10V | 660pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMSZ4702 | 0.0300 | ![]() | 4562 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | SOD-123 | 500mW | SOD-123 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-MMSZ4702-600039 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 900mV @ 10mA | 11.4V에서 50nA | 15V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNA40860 | 9.1100 | ![]() | 364 | 0.00000000 | 비교차일드 | 모션 SPM® 45 | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | 26-PowerDIP 모듈(1.024", 26.00mm) | IGBT | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3상 | 8A | 600V | 2000Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRP3045NTU | 0.7000 | ![]() | 336 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-3 | 쇼트키 | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍씩 시작됩니다 | 45V | 15A | 650mV @ 15A | 45V에서 1mA | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HRF3205_NL | 1.0900 | ![]() | 392 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 55V | 100A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 59A, 10V | 4V @ 250μA | 170nC @ 10V | ±20V | 25V에서 4000pF | - | 175W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI3447DV | - | ![]() | 8313 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | MOSFET(금속) | SuperSOT™-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 5.5A(타) | 1.8V, 4.5V | 33m옴 @ 5.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 30nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 1926pF | - | 800mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF190N60-F152 | - | ![]() | 5550 | 0.00000000 | 비교차일드 | SuperFET® II | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-FCPF190N60-F152 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 20.2A(Tc) | 10V | 199m옴 @ 10A, 10V | 250μA에서 3.5V | 74nC @ 10V | ±20V | 2950pF @ 25V | - | 39W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFA20U120DNTU | 2.1000 | ![]() | 572 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | 기준 | TO-3P | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍씩 시작됩니다 | 1200V | 20A | 3.5V @ 20A | 120ns | 1200V에서 20μA | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC560C | 0.0700 | ![]() | 6745 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2156-BC560C-FS | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 250mV @ 5mA, 100mA | 380 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V3036P3 | 1.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | EcoSPARK® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 논리 | 150W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 300V, 1k옴, 5V | - | 360V | 21A | 1.6V @ 4V, 6A | - | 17nC | -/4.8μs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7060N7 | 1.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 188 | N채널 | 30V | 19A(타) | 4.5V, 10V | 5m옴 @ 19A, 10V | 3V @ 250μA | 56nC @ 5V | ±20V | 15V에서 3274pF | - | 3W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FSB50450UD | 6.0600 | ![]() | 489 | 0.00000000 | 비교차일드 | 모션 SPM® 5 | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | 23-PowerDIP 모듈(0.551", 14.00mm) | MOSFET | FSB50450 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3상 | 1.5A | 500V | 1500Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4392 | - | ![]() | 1075 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N채널 | 14pF @ 20V | 30V | 20V에서 25mA | 2V @ 1nA | 60옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF4533 | 0.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | FGPF4 | 기준 | 28.4W | TO-220F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 도랑 | 330V | 200A | 1.8V @ 15V, 50A | - | 44nC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V6 | 0.0200 | ![]() | 131 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C3 | 250mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 1V에서 5μA | 3.6V | 90옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST13MTF | 0.0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | KST13 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 30V | 300mA | 100nA(ICBO) | NPN-달링턴 | 1.5V @ 100μA, 100mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDN352AP | 1.0000 | ![]() | 6950 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FDN352 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | P채널 | 30V | 1.3A(타) | 4.5V, 10V | 180m옴 @ 1.3A, 10V | 2.5V @ 250μA | 1.9nC @ 4.5V | ±25V | 15V에서 150pF | - | 500mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75344P3 | 0.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 210nC @ 20V | ±20V | 3200pF @ 25V | - | 285W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4148_NL | 0.0200 | ![]() | 136 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 1N4148 | 기준 | DO-35 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 100V | 1V @ 10mA | 4ns | 75V에서 5μA | -65°C ~ 175°C | 200mA | 4pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N322AS3ST | 1.0300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | TO-263AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 35A(Tc) | 4.5V, 10V | 22m옴 @ 35A, 10V | 3V @ 250μA | 27nC @ 10V | ±20V | 970pF @ 15V | - | 50W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD14AN06LA0 | 2.1500 | ![]() | 85 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 9.5A(Ta), 50A(Tc) | 5V, 10V | 11.6m옴 @ 50A, 10V | 3V @ 250μA | 32nC @ 5V | ±20V | 25V에서 2810pF | - | 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD13AN06A0_NL | - | ![]() | 6377 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 9.9A(Ta), 50A(Tc) | 6V, 10V | 13.5m옴 @ 50A, 10V | 4V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±20V | 1350pF @ 25V | - | 115W(Tc) |

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