| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 테스트 조건 | 전력 - 출력 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BD13616STU | 0.2500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 1.25W | TO-126-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,222 | 45V | 1.5A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76619D3ST | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 18A(TC) | 4.5V, 10V | 85m옴 @ 18A, 10V | 3V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±16V | 25V에서 767pF | - | 75W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV21TR | - | ![]() | 4263 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | BAV21 | 기준 | DO-35 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 250V | 1.25V @ 200mA | 50ns | 200V에서 100nA | 175°C(최대) | 200mA | 5pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA642YBU | 0.0200 | ![]() | 144 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 400mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 25V | 300mA | 100nA(ICBO) | PNP | 600mV @ 30mA, 300mA | 120 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2756YMTF | 0.0200 | ![]() | 6280 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 150mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,295 | 15dB ~ 23dB | 20V | 30mA | NPN | 120 @ 5mA, 10V | 850MHz | 6.5dB @ 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA614YTU | 0.3300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | KSA614 | 25W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 55V | 3A | 50μA(ICBO) | PNP | 500mV @ 100mA, 1A | 120 @ 500mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76131SK8T | 0.4900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 10A(타) | 4.5V, 10V | 13m옴 @ 10A, 10V | 1V @ 250μA | 47nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1605pF | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD3N60CTM | - | ![]() | 2545 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 2.4A(Tc) | 10V | 3.4옴 @ 1.2A, 10V | 4V @ 250μA | 14nC @ 10V | ±30V | 25V에서 565pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD1396STU | 0.2000 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | BD139 | 1.25W | TO-126-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 80V | 1.5A | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 50mA, 500mA | 40 @ 150mA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFM220BTF | 0.2900 | ![]() | 70 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET(금속) | SOT-223-4 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 200V | 1.13A(Tc) | 10V | 800m옴 @ 570mA, 10V | 4V @ 250μA | 16nC @ 10V | ±30V | 390pF @ 25V | - | 2.4W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB3440G2-F085 | 1.0000 | ![]() | 1919년 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101, EcoSPARK® | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | 논리 | 166W | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 400V | 26.9A | 1.2V @ 4V, 6A | - | 24nC | 1μs/5.3μs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N976B | 1.8400 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 32.7V에서 5μA | 43V | 93옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76139S3STK | 0.5000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | TO-263AB | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 7.5m옴 @ 75A, 10V | 3V @ 250μA | 78nC @ 10V | ±20V | 2700pF @ 25V | - | 165W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP20G | 0.2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AC, DO-15, 축방향 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,158 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 400V | 1.25V @ 2A | 50ns | 400V에서 5μA | -65°C ~ 150°C | 2A | 45pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP2710_SN00168 | 1.0000 | ![]() | 5684 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDP2710 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSD2007ATF | 0.5300 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | SSD2007 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 50V | 2A | 300m옴 @ 1.5A, 10V | 4V @ 250μA | 15nC @ 10V | - | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75637S3ST | 1.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 100V | 44A(Tc) | 10V | 30m옴 @ 44A, 10V | 4V @ 250μA | 108nC @ 20V | ±20V | 25V에서 1700pF | - | 155W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS355AN-NB9L007A | - | ![]() | 3585 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | SOT-23-3 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156S355AN-NB9L007A-600039 | 1 | N채널 | 30V | 1.7A(타) | 4.5V, 10V | 85m옴 @ 1.9A, 10V | 2V @ 250μA | 5nC @ 5V | ±20V | 15V에서 195pF | - | 500mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6689S | 1.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 16A(타) | 4.5V, 10V | 5.4m옴 @ 16A, 10V | 3V @ 1mA | 78nC @ 10V | ±20V | 3290pF @ 15V | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5950 | - | ![]() | 8947 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 30V | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | JFET | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N채널 | 15mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5402 | - | ![]() | 7746 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-201AA, DO-27, 축방향 | 1N5402 | 기준 | DO-201 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 200V | 1.2V @ 3A | 1.5μs | 200nA @ 200V | -50°C ~ 175°C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FVP18030IM3LSG1 | 19.0600 | ![]() | 305 | 0.00000000 | 비교차일드 | SPM® | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | 19-PowerDIP 모듈(1.205", 30.60mm) | IGBT | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8542.39.0001 | 40 | 다리 다리 | 180A | 300V | 1500Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ375P | 1.5400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 4-XFBGA, WLCSP | MOSFET(금속) | 4-WLCSP(1x1) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | P채널 | 20V | 3.7A(타) | 1.5V, 4.5V | 78m옴 @ 2A, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 15nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 865pF | - | 1.7W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF04U40DNTU | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 기준 | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍씩 시작됩니다 | 400V | 4A | 1.4V @ 4A | 45ns | 400V에서 10μA | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6672A | 1.6500 | ![]() | 259 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 12.5A(타) | 4.5V, 10V | 8m옴 @ 14A, 10V | 2V @ 250μA | 46nC @ 4.5V | ±12V | 5070pF @ 15V | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2507N | 0.5100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | FDW25 | MOSFET(금속) | 1.1W | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 7.5A | 19m옴 @ 7.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 28nC @ 4.5V | 2152pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC3569YTU | 1.0000 | ![]() | 6299 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 15W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V | 2A | 10μA(ICBO) | NPN | 1V @ 100mA, 500mA | 40 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF40N25 | 2.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-3PF | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N채널 | 250V | 24A(TC) | 10V | 70m옴 @ 12A, 10V | 5V @ 250μA | 110nC @ 10V | ±30V | 25V에서 4000pF | - | 108W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFM2N111 | 1.0000 | ![]() | 2243 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-WDFN옆패드 | MOSFET(금속) | 마이크로FET 3x3mm | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 20V | 4A(타) | 2.5V, 4.5V | 100m옴 @ 4A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 3.8nC @ 4.5V | ±12V | 10V에서 273pF | 쇼트키 다이오드(절연) | 1.7W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C16 | 0.0600 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±6% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3V @ 100mA | 100nA @ 12V | 16V | 40옴 |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고