| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 테스트 조건 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF75639S3S | 1.3700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 100V | 56A(티씨) | 10V | 25m옴 @ 56A, 10V | 4V @ 250μA | 130nC @ 20V | ±20V | 2000pF @ 25V | - | 200W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFPF06U40DNTU | 1.0000 | ![]() | 8480 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 기준 | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 400V | 6A | 1.4V @ 6A | 50ns | 400V에서 20μA | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDH8304P | 0.7000 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSOP(0.130", 3.30mm 너비) | NDH8304 | MOSFET(금속) | 800mW | SuperSOT™-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 2.7A | 70m옴 @ 2.7A, 4.5V | 1V @ 250μA | 23nC @ 4.5V | 865pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGP13N60UFTU | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | SGP13N60 | 기준 | 60W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 6.5A, 50옴, 15V | - | 600V | 13A | 52A | 2.6V @ 15V, 6.5A | 85μJ(켜짐), 95μJ(꺼짐) | 25nC | 20ns/70ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF13N50NZ | 1.0000 | ![]() | 4735 | 0.00000000 | 비교차일드 | UniFET-II™ | 대부분 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | FDPF1 | MOSFET(금속) | TO-220F | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 500V | 12A | 540m옴 @ 6A, 10V | 5V @ 250μA | 39nC @ 10V | 1930pF @ 25V | - | 42W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N746A | 1.9200 | ![]() | 74 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5V @ 200mA | 10μA @ 1V | 3.3V | 28옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGP15N60RUFTU | 3.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | SGP15N | 기준 | 160W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 300V, 15A, 13옴, 15V | - | 600V | 24A | 45A | 2.8V @ 15V, 15A | 320μJ(켜짐), 356μJ(꺼짐) | 42nC | 17ns/44ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N755ATR | 0.0200 | ![]() | 65 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5V @ 200mA | 100nA @ 1V | 7.5V | 6옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS0300S | - | ![]() | 4511 | 0.00000000 | 비교차일드 | PowerTrench®, SyncFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 30V | 31A(타), 49A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.8m옴 @ 30A, 10V | 3V @ 1mA | 133nC @ 10V | ±20V | 8705pF @ 15V | - | 2.5W(Ta), 96W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGH30N60RUFTU | - | ![]() | 2893 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | SGH30N60 | 기준 | 235W | TO-3PN | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 300V, 30A, 7옴, 15V | - | 600V | 48A | 90A | 2.8V @ 15V, 30A | 919μJ(켜짐), 814μJ(꺼짐) | 85nC | 30ns/54ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76609D3 | 0.4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 100V | 10A(TC) | 4.5V, 10V | 160m옴 @ 10A, 10V | 3V @ 250μA | 16nC @ 10V | ±16V | 25V에서 425pF | - | 49W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSR4N60BTF | 0.2100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 600V | 2.8A(Tc) | 10V | 2.5옴 @ 1.4A, 10V | 4V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±30V | 25V에서 920pF | - | 2.5W(Ta), 49W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC81825MTF | 0.0300 | ![]() | 289 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 310mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | 25V | 800mA | 100nA | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBFJ310 | - | ![]() | 1654년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 25V | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBFJ3 | 450MHz | JFET | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | N채널 | 60mA | 10mA | - | 12dB | 3dB | 10V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDBL9403-F085 | - | ![]() | 3363 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerSFN | MOSFET(금속) | 8-HPSOF | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 40V | 240A(Tc) | 10V | 0.9m옴 @ 80A, 10V | 4V @ 250μA | 188nC @ 10V | ±20V | 25V에서 12000pF | - | 357W(티제) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV21 | 0.0200 | ![]() | 339 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | BAV21 | 기준 | DO-35 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 250V | 1.25V @ 200mA | 50ns | 200V에서 100nA | -50°C ~ 200°C | 250mA | 5pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU6682_NL | 0.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 75A(타) | 4.5V, 10V | 6.2m옴 @ 17A, 10V | 3V @ 250μA | 31nC @ 5V | ±20V | 2400pF @ 15V | - | 1.6W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQH35N40 | 5.3400 | ![]() | 846 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247AD | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 400V | 35A(Tc) | 10V | 105m옴 @ 17.5A, 10V | 5V @ 250μA | 140nC @ 10V | ±30V | 5600pF @ 25V | - | 310W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2222AT | 1.0000 | ![]() | 5949 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-89, SOT-490 | MMBT2222 | 250mW | SOT-523F | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 600mA | - | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF10N20 | 0.4100 | ![]() | 3066 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 16 | N채널 | 200V | 6.8A(Tc) | 10V | 360m옴 @ 3.4A, 10V | 5V @ 250μA | 18nC @ 10V | ±30V | 670pF @ 25V | - | 40W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z16VC | - | ![]() | 1740년 | 0.00000000 | 비교차일드 | 기음 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | 200mW | SOD-323F | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-MM3Z16VC-600039 | 1 | 1V @ 10mA | 45nA @ 11.2V | 16V | 37옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP13009 | 1.0000 | ![]() | 1903년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 100W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,200 | 400V | 12A | - | NPN | 3V @ 3A, 12A | 8 @ 5A, 5V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75343S3S | 1.1200 | ![]() | 4055 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 9m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 205nC @ 20V | ±20V | 3000pF @ 25V | - | 270W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS8410A | 0.6000 | ![]() | 214 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 10.8A(타) | 4.5V, 10V | 12m옴 @ 10.8A, 10V | 3V @ 250μA | 22nC @ 5V | ±20V | 15V에서 1620pF | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH25N60N | 3.7500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 비교차일드 | 슈프리모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 80 | N채널 | 600V | 25A(TC) | 10V | 126m옴 @ 12.5A, 10V | 4V @ 250μA | 74nC @ 10V | ±30V | 100V에서 3352pF | - | 216W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8896 | 0.9100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 330 | N채널 | 30V | 19A(타), 93A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.7m옴 @ 35A, 10V | 2.5V @ 250μA | 67nC @ 10V | ±20V | 2525pF @ 15V | - | 80W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMPQ2907 | 1.0000 | ![]() | 2228 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | MMPQ29 | 1W | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 40V | 600mA | 50nA(ICBO) | 4 PNP(쿼드) | 1.6V @ 30mA, 300mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF654B | 0.9600 | ![]() | 447 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH의 영향을 받아들입니다. | 2156-IRF654B-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW9926A | 1.0000 | ![]() | 5232 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | FDW99 | MOSFET(금속) | 600mW | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 4.5A | 32m옴 @ 4.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 9nC @ 4.5V | 630pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD237STU | - | ![]() | 7331 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 25W | TO-126-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 80V | 2A | 100μA(ICBO) | NPN | 600mV @ 100mA, 1A | 40 @ 150mA, 2V | 3MHz |

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