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불연속 불연속 제품 (5251)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	얻다	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
FDMS8692	0.5000	RFQ	65	페어차일드 페어차일드	Powertrench®	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn			MOSFET (금속 (()		8-pqfn (5x6)	다운로드	Rohs3 준수			귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널					30 v	12A (TA), 28A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 12a, 10V	3V @ 250µA	21 NC @ 10 v	± 20V	1265 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 41W (TC)
SSU2N60BTU	0.3200	RFQ	1	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			MOSFET (금속 (()		i-pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널					600 v	1.8A (TC)	10V	5ohm @ 900ma, 10V	4V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 30V	490 pf @ 25 v	-	2.5W (TA), 44W (TC)
MM3Z3V3B	1.0000	RFQ	5106	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-90, SOD-323F		MM3Z3V3		200 MW	SOD-323F	다운로드				귀 99	8541.10.0050	1																	1 V @ 10 ma	4.5 µa @ 1 v				3.3 v	89 옴
MM5Z11V	-	RFQ	7089	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523F		MM5Z1		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.10.0050	8,000																		100 na @ 8 v				11 v	20 옴
FDMC7200	-	RFQ	9382	페어차일드 페어차일드	Powertrench®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerwdfn		FDMC72	MOSFET (금속 (()	700MW, 900MW	8-power33 (3x3)	다운로드				귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)						30V	6a, 8a		23.5mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	10nc @ 10v		660pf @ 15V	논리 논리 게이트
FCP21N60N	2.3100	RFQ	20	페어차일드 페어차일드	-	튜브	활동적인		-	구멍을 구멍을	TO-220-3		FCP21	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8541.29.0095	800		n 채널					600 v	-		-	-				-	-
FDC6392S	1.0000	RFQ	9722	페어차일드 페어차일드	Powertrench®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6		FDC6392	MOSFET (금속 (()		SUPERSOT ™ -6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	0000.00.0000	3,000		p 채널					20 v	2.2A (TA)	2.5V, 4.5V	150mohm @ 2.2a, 4.5v	1.5V @ 250µA	5.2 NC @ 4.5 v	± 12V	369 pf @ 10 v	Schottky 분리 (다이오드)	960MW (TA)
KSP8098TA	0.0200	RFQ	18	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드				625 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수			귀 99	8541.21.0075	2,000																			60 v	500 MA	100NA			NPN	300mv @ 10ma, 100ma	100 @ 1ma, 5V	150MHz
1N5229B	0.0300	RFQ	233	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을					500MW		다운로드				귀 99	8541.10.0050	11,539																		5 µa @ 1 v				4.3 v	22 옴
PN2222ANLBU	1.0000	RFQ	3032	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625 MW	To-92-3	-	Rohs3 준수			귀 99	8541.21.0095	10,000																			40 v	1 a	10NA (ICBO)			NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	300MHz
BCX70J	0.0300	RFQ	7992	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는		-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	490																			45 v	200 MA	20NA			NPN	550MV @ 1.25ma, 50ma	250 @ 2MA, 5V	125MHz
FSB50450UD	6.0600	RFQ	489	페어차일드 페어차일드	spm® 5	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	23-powerdip ip (0.551 ", 14.00mm)	MOSFET	FSB50450				다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받습니다	귀 99	8542.39.0001	1	3 단계			1.5 a	500 v	1500VRMS
SS9011FBU	-	RFQ	6413	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				400MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수			귀 99	8541.21.0095	9,134																			30 v	30 MA	100NA (ICBO)			NPN	300mv @ 1ma, 10ma	54 @ 1ma, 5V	2MHz
FPAB50PH60	17.0600	RFQ	347	페어차일드 페어차일드	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	27-powerdip ip (1.205 ", 30.60mm)	IGBT					다운로드	Rohs3 준수			귀 99	8542.39.0001	10	2 단계			30 a	600 v	2500VRMS
fcpf11n60nt	2.2300	RFQ	14	페어차일드 페어차일드	Supermos ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()		TO-220F-3	다운로드				귀 99	8542.39.0001	135		n 채널					600 v	10.8A (TC)	10V	299mohm @ 5.4a, 10V	4V @ 250µA	35.6 NC @ 10 v	± 30V	1505 pf @ 100 v	-	32.1W (TC)
FQPF11P06	0.6200	RFQ	552	페어차일드 페어차일드	QFET®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()		TO-220F-3	다운로드				귀 99	8542.39.0001	552		p 채널					60 v	8.6A (TC)	10V	175mohm @ 4.3a, 10V	4V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 25V	550 pf @ 25 v	-	30W (TC)
TN6719A	-	RFQ	4174	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				1 W.	TO-226-3	다운로드	Rohs3 준수			귀 99	8541.21.0095	1,500																			300 v	200 MA	100NA (ICBO)			NPN	750mv @ 3ma, 30ma	40 @ 30MA, 10V	-
FQPF6N80	-	RFQ	8071	페어차일드 페어차일드	QFET®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			MOSFET (금속 (()		TO-220F-3	다운로드	Rohs3 준수			귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널					800 v	3.3A (TC)	10V	1.95ohm @ 1.65a, 10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 v	± 30V	1500 pf @ 25 v	-	51W (TC)
fqa6n70	1.2400	RFQ	4	페어차일드 페어차일드	QFET®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (금속 (()		to-3p	다운로드	Rohs3 준수			귀 99	8541.29.0095	30		n 채널					700 v	6.4A (TC)	10V	1.5ohm @ 3.2a, 10V	5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 30V	1400 pf @ 25 v	-	152W (TC)
KSC5200otu	0.4900	RFQ	5	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-264-3, TO-264AA		KSC5200		130 W.	HPM F2	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8541.29.0075	1																			230 v	13 a				NPN	3V @ 800ma, 8a	80 @ 1a, 5V	30MHz
FDD8770	0.4000	RFQ	79	페어차일드 페어차일드	Powertrench®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드				귀 99	8542.39.0001	742		n 채널					25 v	35A (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 35a, 10V	2.5V @ 250µA	73 NC @ 10 v	± 20V	3720 pf @ 13 v	-	115W (TC)
73282	0.4900	RFQ	9	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)				7328	-			다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		0000.00.0000	2,500							60V	12a		107mohm @ 8a, 5V	3V @ 250µA	6.2NC @ 5V			-
FDD5N50TM	0.3000	RFQ	2	페어차일드 페어차일드	Powertrench®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1		n 채널					500 v	4A (TC)	10V	1.4ohm @ 2a, 10V	5V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 30V	640 pf @ 25 v	-	40W (TC)
FDP6676S	0.9800	RFQ	1	페어차일드 페어차일드	Powertrench®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널					30 v	76A (TA)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 38a, 10V	3V @ 1mA	56 NC @ 5 v	± 16V	4853 pf @ 15 v	-	70W (TC)
2N4403TF	0.0400	RFQ	14	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드				625 MW	To-92-3	다운로드				귀 99	8541.21.0075	7,991																			40 v	600 MA	-			PNP	750mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	200MHz
KSA940H2TU	-	RFQ	1692	페어차일드 페어차일드	-	튜브	쓸모없는		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				1.5 w	TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수			귀 99	8541.29.0095	50																			150 v	1.5 a	10µA (ICBO)			PNP	1.5V @ 50MA, 500MA	40 @ 500ma, 10V	4MHz
PN3563	0.0400	RFQ	65	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				350MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수			귀 99	8541.21.0075	2,000			14dB ~ 26dB																15V	50ma				NPN		20 @ 8ma, 10V	1.5GHz	-
KSA614Y	-	RFQ	5342	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		KSA614		25 W.	TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	0000.00.0000	1																			55 v	3 a	50µA (ICBO)			PNP	500mv @ 100ma, 1a	120 @ 500ma, 5V	-
KSC2330YH2TA	0.2100	RFQ	10	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인		150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드)				1 W.	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8541.29.0075	1																			300 v	100 MA	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 1ma, 10ma	120 @ 20MA, 10V	50MHz
FQP11P06	1.0000	RFQ	8214	페어차일드 페어차일드	QFET®	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1		p 채널					60 v	11.4A (TC)	10V	175mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 25V	550 pf @ 25 v	-	53W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (5251)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²