| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FLZ12VA | 0.0200 | ![]() | 53 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±3% | -65°C ~ 175°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | SOD-80 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2V @ 200mA | 133nA @ 9V | 11.4V | 9.5옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP6030L | 0.5700 | ![]() | 61 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 30V | 48A(타) | 4.5V, 10V | 13m옴 @ 26A, 10V | 3V @ 250μA | 18nC @ 5V | ±20V | 15V에서 1250pF | - | 52W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF6P25 | 0.8300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 250V | 4.2A(Tc) | 10V | 1.1옴 @ 2.1A, 10V | 5V @ 250μA | 27nC @ 10V | ±30V | 25V에서 780pF | - | 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNA51560TD3 | 10.3400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 비교차일드 | 모션 SPM® 55 | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | 20-PowerDIP 모듈(1.220", 31.00mm) | IGBT | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3상 인버터 | 15A | 600V | 1500Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU024ATU | - | ![]() | 1398 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | IRFU024 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD1616ALBU | 0.0700 | ![]() | 490 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 750mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 60V | 1A | 100nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 50mA, 1A | 300 @ 100mA, 2V | 160MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7766S | 2.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 17A(타) | 4.5V, 10V | 5.5m옴 @ 17A, 10V | 3V @ 1mA | 58nC @ 5V | ±16V | 4785pF @ 15V | - | 1W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75343S3 | 1.0000 | ![]() | 540 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 9m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 205nC @ 20V | ±20V | 3000pF @ 25V | - | 270W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9014BTA | 1.0000 | ![]() | 5715 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 450mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 100mA | 50nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 5mA, 100mA | 100 @ 1mA, 5V | 270MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5246BNL | 0.7700 | ![]() | 594 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | SOT-23-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 12V | 16V | 17옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF9N50T | 0.9600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 500V | 5.3A(Tc) | 10V | 730m옴 @ 2.65A, 10V | 5V @ 250μA | 36nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1450pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFI614BTUFP001 | 0.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 250V | 2.8A(Tc) | 10V | 2옴 @ 1.4A, 10V | 4V @ 250μA | 10.5nC @ 10V | ±30V | 275pF @ 25V | - | 3.13W(Ta), 40W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI5N20TU | 0.3100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 200V | 4.5A(Tc) | 10V | 1.2옴 @ 2.25A, 10V | 5V @ 250μA | 7.5nC @ 10V | ±30V | 270pF @ 25V | - | 3.13W(Ta), 52W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75645P3 | 1.1800 | ![]() | 5354 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | N채널 | 100V | 75A(Tc) | 10V | 14m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 238nC @ 20V | ±20V | 3790pF @ 25V | - | 310W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6685 | 1.3900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 30V | 8.8A(타) | 4.5V, 10V | 20m옴 @ 8.8A, 10V | 3V @ 250μA | 24nC @ 5V | ±25V | 15V에서 1604pF | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC636TFR | - | ![]() | 2847 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 1W | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 7,695 | 45V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 40 @ 150mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB751SL | - | ![]() | 3042 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SOD-923 | 쇼트키 | SOD-923F | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-RB751SL-600039 | 1 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 30V | 370mV @ 1mA | 8ns | 500nA @ 30V | -55°C ~ 150°C | 30mA | 2.5pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6780 | 0.2500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 16.5A(Ta), 30A(Tc) | 4.5V, 10V | 8.5m옴 @ 16.5A, 10V | 3V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±20V | 1590pF @ 13V | - | 3.7W(Ta), 32.6W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP7G50US60 | 28.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워-SPM™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 방역 | EPM7 | 250W | 기준 | EPM7 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 11 | 다리 다리 | - | 600V | 50A | 2.8V @ 15V, 50A | 250μA | 아니요 | 30V에서 2.92nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BS170 | - | ![]() | 9226 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | MOSFET(금속) | TO-92 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 60V | 300mA(타) | 5옴 @ 200mA, 10V | 3V @ 1mA | 10V에서 60pF | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMSZ5248B | - | ![]() | 6210 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | SOD-123 | MMSZ52 | 500mW | SOD-123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 14V | 18V | 16옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN100RM | 0.0400 | ![]() | 4159 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 500mA | 50nA | NPN | 400mV @ 20mA, 200mA | 100 @ 150mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFS2P753AZ | 0.5300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 30V | 3A(타) | 4.5V, 10V | 115m옴 @ 3A, 10V | 3V @ 250μA | 11nC @ 10V | ±25V | 15V에서 455pF | 쇼트키 다이오드(절연) | 3.1W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMSZ5236B | 0.0200 | ![]() | 134 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | SOD-123 | MMSZ52 | 500mW | SOD-123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 6V에서 3μA | 7.5V | 5옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6426DQ | 0.1900 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 20V | 5.4A(타) | 2.5V, 4.5V | 35m옴 @ 5.4A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 10nC @ 4.5V | ±8V | 710pF @ 10V | - | 1.1W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C11 | 0.0300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AL, DO-41, 축방향 | 1W | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,095 | 1.2V @ 200mA | 500nA @ 7.7V | 11V | 8옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6676 | 1.7700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 14.5A(타) | 4.5V, 10V | 7m옴 @ 14.5A, 10V | 3V @ 250μA | 63nC @ 5V | ±16V | 5103pF @ 15V | - | 1W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6982 | - | ![]() | 3920 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS69 | MOSFET(금속) | 900mW | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 6.3A, 8.6A | 28m옴 @ 6.3A, 10V | 3V @ 250μA | 12nC @ 5V | 760pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC239BBU | - | ![]() | 9151 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25V | 100mA | 15nA | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 180 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PF53012 | 0.0600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-92-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N채널 | - | 30V | 10V에서 30μA | 1.7V @ 1nA |

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