| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TIP120TU-F129 | - | ![]() | 9032 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGS13N60UFDTU | 0.5100 | ![]() | 118 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | SGS13 | 기준 | 45W | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 6.5A, 50옴, 15V | 55ns | - | 600V | 13A | 52A | 2.6V @ 15V, 6.5A | 85μJ(켜짐), 95μJ(꺼짐) | 25nC | 20ns/70ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDJ1028N | 0.2900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-75-6 FLMP | FDJ1028 | MOSFET(금속) | 1.5W | SC75-6 FLMP | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 3.2A | 90m옴 @ 3.2A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 3nC @ 4.5V | 200pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI13N06LTU | 0.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 13.6A(Tc) | 5V, 10V | 110m옴 @ 6.8A, 10V | 2.5V @ 250μA | 6.4nC @ 5V | ±20V | 25V에서 350pF | - | 3.75W(Ta), 45W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMS7G15US60 | 20.4000 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 상자 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 오후 25시~AA | 73W | 삼상 다리 정류기 | 오후 25시~AA | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 브레이크가 있는 3상인터 | - | 600V | 15A | 2.7V @ 15V, 15A | 250μA | 예 | 30V에서 935pF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC658AP-G | - | ![]() | 8803 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-FDC658AP-G-600039 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP11N50CF | 1.7700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | FRFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 11A(티씨) | 10V | 550m옴 @ 5.5A, 10V | 4V @ 250μA | 55nC @ 10V | ±30V | 2055pF @ 25V | - | 195W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFSPF0665A | - | ![]() | 4447 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-220-2 풀팩 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | TO-220F-2FS | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-FFSPF0665A | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 650V | 1.75V @ 6A | 0ns | 650V에서 200μA | -55°C ~ 175°C | 6A | 361pF @ 1V, 100kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ2V2B | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±4% | -65°C ~ 175°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | SOD-80 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2V @ 200mA | 700mV에서 55μA | 2.3V | 35옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1623GMTF | 0.0200 | ![]() | 1558년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200mW | SOT-23-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,311 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 10mA, 100mA | 200@1mA, 6V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD435STU | - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | 36W | TO-126-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 32V | 4A | 100μA | NPN | 500mV @ 200mA, 2A | 50 @ 2A, 1V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT918 | - | ![]() | 9946 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT918 | 225mW | SOT-23-3(TO-236) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 15dB | 15V | 50mA | NPN | 20 @ 3mA, 1V | 600MHz | 6dB @ 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50250AB | 5.2300 | ![]() | 180 | 0.00000000 | 비교차일드 | SPM® | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | 23-PowerDIP 모듈(0.644", 16.35mm) | MOSFET | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3상 | 1.2A | 500V | 1500Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ16VB | 0.0200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±3% | -65°C ~ 175°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | SOD-80 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2V @ 200mA | 133nA @ 12V | 15.7V | 15.2옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA6023PZT | 0.3800 | ![]() | 369 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UDFN 옆패드 | FDMA6023 | MOSFET(금속) | 700mW | 6-MicroFET(2x2) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 792 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 3.6A | 60m옴 @ 3.6A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 17nC @ 4.5V | 885pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFU9210TU | 0.3200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 200V | 1.6A(Tc) | 10V | 3옴 @ 800mA, 10V | 4V @ 250μA | 11nC @ 10V | ±30V | 25V에서 285pF | - | 2.5W(Ta), 19W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNE41060 | 9.6300 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 비교차일드 | 모션-SPM® | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | 26-PowerDIP 모듈(1.024", 26.00mm) | - | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FSB50325 | 4.1900 | ![]() | 240 | 0.00000000 | 비교차일드 | SPM® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | 23-PowerDIP 모듈(0.551", 14.00mm) | MOSFET | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8542.39.0001 | 15 | 3상 | 1.5A | 250V | 1500Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C43 | 0.0200 | ![]() | 5665 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±7% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3V @ 100mA | 100nA @ 32V | 43V | 90옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSH340TF | 0.2700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 1.56W | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | 해당 없음 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 300V | 500mA | 100μA | NPN | - | 30 @ 50mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD5680 | - | ![]() | 1442 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 8.5A(타) | 6V, 10V | 21m옴 @ 8.5A, 10V | 4V @ 250μA | 46nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1835pF | - | 2.8W(Ta), 60W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N916B | 0.0300 | ![]() | 259 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 기준 | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0070 | 11,539 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 100V | 1V @ 20mA | 4ns | 75V에서 5μA | -65°C ~ 175°C | 200mA | 2pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC560ABU | 0.0200 | ![]() | 6659 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 13,975 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N916A | 1.0000 | ![]() | 1634년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 1N916 | 기준 | DO-35 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 100V | 1V @ 20mA | 4ns | 75V에서 5μA | -65°C ~ 175°C | 200mA | 2pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5254BTR | - | ![]() | 6698 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-1N5254BTR-600039 | 1 | 100nA @ 21V | 27V | 41옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76413D3S | 0.2700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,800 | N채널 | 60V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 49m옴 @ 20A, 10V | 3V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±16V | 25V에서 645pF | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C12 | 0.0300 | ![]() | 87 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5V @ 100mA | 100nA @ 8V | 12V | 25옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1015GRBU | - | ![]() | 8313 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 400mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 7,820 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | PNP | 300mV @ 10mA, 100mA | 200 @ 2mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6575 | 1.0000 | ![]() | 2847 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | P채널 | 20V | 10A(타) | 2.5V, 4.5V | 13m옴 @ 10A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 74nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 4951pF | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTTFS4930NTAG | 0.2400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | MOSFET(금속) | 8-WDFN(3.3x3.3) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,236 | N채널 | 30V | 4.5A(Ta), 23A(Tc) | 4.5V, 10V | 23m옴 @ 6A, 10V | 2.2V @ 250μA | 5.5nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 476pF | - | 790mW(Ta), 20.2W(Tc) |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고