| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 테스트 조건 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BDX34A | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 70W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,070 | 60V | 10A | 500μA | PNP | 2.5V @ 8mA, 4A | 750 @ 4A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1G | 1.0000 | ![]() | 1761년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AC, SMA | 기준 | DO-214AC(SMA) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 400V | 1.3V @ 1A | 35ns | 400V에서 5μA | -55°C ~ 150°C | 1A | 10pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDB6030PL | 0.9000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | NDB603 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 8,000 | P채널 | 30V | 30A(Tc) | 4.5V, 10V | 25m옴 @ 19A, 10V | 2V @ 250μA | 36nC @ 5V | ±16V | 1570pF @ 15V | - | 75W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDB6S | - | ![]() | 3110 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ6V2B | 0.0200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±3% | -65°C ~ 175°C | 표면 실장 | DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 | 500mW | SOD-80 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2V @ 200mA | 3.3μA @ 3V | 6.1V | 8.5옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFP08D60L2 | - | ![]() | 8812 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 | 기준 | TO-220-2 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 600V | 3.6V @ 8A | 25ns | 600V에서 10μA | -65°C ~ 150°C | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5243B | - | ![]() | 9857 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOD-123 | 500mW | SOD-123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 9.9V에서 500nA | 13V | 13옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB50450AT | 4.9700 | ![]() | 347 | 0.00000000 | 비교차일드 | 모션 SPM® 5 | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | 23-PowerDIP 모듈(0.748", 19.00mm) | MOSFET | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3상 | 1.5A | 500V | 1500Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFW520ATM | 0.4000 | ![]() | 774 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 774 | N채널 | 100V | 9.2A(Tc) | 10V | 200m옴 @ 4.6A, 10V | 4V @ 250μA | 22nC @ 10V | ±20V | 25V에서 480pF | - | 3.8W(Ta), 45W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32725TF | - | ![]() | 9485 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 800mA | 100nA | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB20N6S2 | 0.6000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 125W | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V, 7A, 25옴, 15V | - | 600V | 28A | 40A | 2.7V @ 15V, 7A | 25μJ(켜짐), 58μJ(꺼짐) | 30nC | 7.7ns/87ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC556BBU | 0.0200 | ![]() | 6062 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 12,695 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N458A | 2.0000 | ![]() | 292 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 기준 | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,535 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 150V | 1V @ 100mA | 125V에서 25μA | 175°C(최대) | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG40N60B3-FS | - | ![]() | 5349 | 0.00000000 | 비교차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4953 | 0.0400 | ![]() | 4728 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,990 | 30V | 1A | 50nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 15mA, 150mA | 200 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N755ATR | 0.0200 | ![]() | 65 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5V @ 200mA | 100nA @ 1V | 7.5V | 6옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSW2N60BTM | 0.4600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 2A(TC) | 10V | 5옴 @ 1A, 10V | 4V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±30V | 490pF @ 25V | - | 3.13W(Ta), 54W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9510R4941 | - | ![]() | 6749 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 100V | 3A(TC) | 10V | 1.2옴 @ 1.5A, 10V | 4V @ 250μA | 11nC @ 10V | ±20V | 25V에서 180pF | - | 20W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB1116GTA | 0.0400 | ![]() | 2375 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 750mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,855 | 50V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 300mV @ 50mA, 1A | 200 @ 100mA, 2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDR844P | 0.7000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSOP(0.130", 3.30mm 너비) | MOSFET(금속) | SuperSOT™-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 10A(타) | 1.8V, 4.5V | 11m옴 @ 10A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 74nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 4951pF | - | 1.8W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSH31CTM | 0.2000 | ![]() | 7502 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 1.56W | TO-252-3(DPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 100V | 3A | 50μA | NPN | 1.2V @ 375mA, 3A | 10 @ 3A, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857CMTF | 0.0200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 310mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSP3N80A | - | ![]() | 1457 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 800V | 3A(TC) | 10V | 4.8옴 @ 850mA, 10V | 250μA에서 3.5V | 35nC @ 10V | ±30V | 25V에서 750pF | - | 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGP13N60UFTU | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | SGP13N60 | 기준 | 60W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 6.5A, 50옴, 15V | - | 600V | 13A | 52A | 2.6V @ 15V, 6.5A | 85μJ(켜짐), 95μJ(꺼짐) | 25nC | 20ns/70ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDH8304P | 0.7000 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSOP(0.130", 3.30mm 너비) | NDH8304 | MOSFET(금속) | 800mW | SuperSOT™-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 2.7A | 70m옴 @ 2.7A, 4.5V | 1V @ 250μA | 23nC @ 4.5V | 865pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N746A | 1.9200 | ![]() | 74 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 500mW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5V @ 200mA | 10μA @ 1V | 3.3V | 28옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMSZ4689 | - | ![]() | 7427 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | SOD-123 | MMSZ46 | 500mW | SOD-123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 2μA @ 3V | 5.1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDY100PZ | - | ![]() | 9774 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-89, SOT-490 | MOSFET(금속) | SOT-523F | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | P채널 | 20V | 350mA(타) | 1.8V, 4.5V | 1.2옴 @ 350mA, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 1.4nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 100pF | - | 625mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856AMTF | 0.0500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 310mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP15N05L | 0.8500 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | RoHS 비준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 50V | 15A(Tc) | 140m옴 @ 15A, 5V | 2V @ 250μA | ±10V | 25V에서 900pF | - | 60W(Tc) |

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