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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
FDMS5361L-F085 Fairchild Semiconductor FDMS5361L-F085 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 56 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-FDMS5361L-F085-600039 1 n 채널 60 v 35A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 16.5a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1980 pf @ 25 v - 75W (TC)
FDMS6673BZ Fairchild Semiconductor FDMS6673BZ 1.0000
RFQ
 ECAD 9931 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 p 채널 30 v 15.2A (TA), 28A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 15.2a, 10V 3V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 25V 5915 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 73W (TC)
SI3443DV Fairchild Semiconductor SI3443DV 0.1700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Hexfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1,906 p 채널 20 v 4.4A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 4.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 12V 1079 pf @ 10 v - 2W (TA)
FDP7030BL Fairchild Semiconductor FDP7030BL 0.6900
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 436 n 채널 30 v 60A (TA) 4.5V, 10V 9MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 5 v ± 20V 1760 pf @ 15 v - 60W (TC)
FDLL4151 Fairchild Semiconductor FDLL4151 0.0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 기준 SOD-80 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 50 ma 4 ns 50 Na @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
FQB33N10TM Fairchild Semiconductor FQB33N10TM 1.0000
RFQ
 ECAD 9376 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 33A (TC) 10V 52mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 25V 1500 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 127W (TC)
BC640BU Fairchild Semiconductor BC640BU 0.0200
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W. To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 100MHz
FDS6812A Fairchild Semiconductor FDS6812A 1.0000
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS68 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1 2 n 채널 (채널) 20V 6.7a 22mohm @ 6.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 19NC @ 4.5V 1082pf @ 10v 논리 논리 게이트
SB140 Fairchild Semiconductor SB140 0.0800
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 Schottky DO15/DO204AC 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
FDPF035N06B_F152 Fairchild Semiconductor FDPF035N06B_F152 1.0000
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 88A (TC) 3.5mohm @ 88a, 10V 4V @ 250µA 99 NC @ 10 v ± 20V 8030 pf @ 30 v - 46.3W (TC)
FDB039N06 Fairchild Semiconductor FDB039N06 -
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 3.9mohm @ 75a, 10V 4.5V @ 250µA 133 NC @ 10 v ± 20V 8235 pf @ 25 v - 231W (TC)
FDS6672A Fairchild Semiconductor FDS6672A 1.6500
RFQ
 ECAD 259 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12.5A (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 14a, 10V 2V @ 250µA 46 NC @ 4.5 v ± 12V 5070 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
FGPF4533 Fairchild Semiconductor FGPF4533 0.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FGPF4 기준 28.4 w TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 - 도랑 330 v 200a 1.8V @ 15V, 50A - 44 NC -
FCPF650N80Z Fairchild Semiconductor FCPF650N80Z -
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF650 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 650mohm @ 4a, 10V 4.5V @ 800µA 35 NC @ 10 v ± 20V 1565 pf @ 100 v - 30.5W (TC)
FDB2570 Fairchild Semiconductor FDB2570 1.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 22A (TA) 6V, 10V 80mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 1911 pf @ 75 v - 93W (TC)
FDW2504P Fairchild Semiconductor FDW2504P 1.1200
RFQ
 ECAD 523 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) FDW25 MOSFET (금속 (() 600MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 3.8a 43mohm @ 3.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 16nc @ 4.5v 1030pf @ 10v 논리 논리 게이트
BZX79C51-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C51-T50A 0.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79C51 500MW DO-35 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 500 NA @ 35.7 v 51 v 180 옴
MM5Z47V Fairchild Semiconductor MM5Z47V 0.0200
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523F MM5Z4 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 50 NA @ 32.9 v 47 v 170 옴
MMBZ5244B Fairchild Semiconductor MMBZ5244B -
RFQ
 ECAD 4032 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
FQP18N50V2 Fairchild Semiconductor FQP18N50V2 4.0400
RFQ
 ECAD 590 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 18A (TC) 10V 265mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 30V 3290 pf @ 25 v - 208W (TC)
FDS8449-G Fairchild Semiconductor FDS8449-G 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-FDS8449-G 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 7.6A (TA) 4.5V, 10V 29mohm @ 7.6a, 10V 3V @ 250µA 11 NC @ 5 v ± 20V 760 pf @ 20 v - 1W (TA)
FDZ2553N Fairchild Semiconductor FDZ2553N 0.5900
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-WFBGA FDZ25 MOSFET (금속 (() 2.1W 18-BGA (2.5x4) 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 9.6a 14mohm @ 9.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 1299pf @ 10V 논리 논리 게이트
MPS6521 Fairchild Semiconductor MPS6521 0.0400
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 5,000 25 v 100 MA 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 50ma 300 @ 2MA, 10V -
2N5550/D26Z Fairchild Semiconductor 2N5550/D26Z 0.0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 15,000 140 v 600 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
BZX79C4V7 Fairchild Semiconductor BZX79C4V7 0.0300
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 귀 99 8541.10.0050 11,539 1.5 v @ 100 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
FJP2145TU Fairchild Semiconductor FJP2145TU 1.0000
RFQ
 ECAD 4498 0.00000000 페어차일드 페어차일드 ESBC ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FJP214 120 W. TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 800 v 5 a 10µA (ICBO) NPN 2V @ 300MA, 1.5A 20 @ 200ma, 5V 15MHz
MMBZ5246BNL Fairchild Semiconductor MMBZ5246BNL 0.7700
RFQ
 ECAD 594 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 17 옴
BC32840TA Fairchild Semiconductor BC32840TA 0.0200
RFQ
 ECAD 6097 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 14,000 25 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
FDS9431 Fairchild Semiconductor FDS9431 -
RFQ
 ECAD 7646 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDS99 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1 -
BC550 Fairchild Semiconductor BC550 0.0400
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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